Устройство для двухсторонней механической очистки кремниевых и других тонких круглых пластин

Авторы патента:

H01L21/302 - для изменения физических свойств или формы их поверхностей, например травление, полирование, резка

Изобретение относится к технологии очистки полупроводниковых пластин , в частности кремниевых подложек, Устройство позволяет производить двухстороннюю очистку пластин и повысить качество обработки. Кремние

союз советских

РЕСПУБЛИК (19) (И) (бц4 Н Ol Ь 21 306

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЙ

ГосудАРственкый кОмитет сссР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OTKPblTWI

К А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (89) CS 237688 (48) 22.05.85 (21 ) 777351?/24-25 (22) 02,08,84 (31) РЧ 7122-83 (32) 29,09,83 (33) CS (46) 30.04.88. Бюл. М 16 (7l) Тесла, Кондерновы подник (CS) (72) Дргач Любомир (CS) (53) 621.382 (088.8) i(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДВУХСТОРОННЕЙ

МЕХАНИЧЕСКОЙ ОЧИСТКИ КРЕМНИЕВЫХ И

ДРУГИХ ТОНКИХ КРУГЛЫХ ПЛАСТИН (57) Изобретение относится к технологии очистки полупроводниковых пластин, в частности кремниевых подложек.

Устройство позволяет производить двухстороннюю очистку пластин и повысить качество обработки. Кремние1392602 вая пластина 20 с помощью ролика 9 и пальца попадает в рабочее прост-, ранство, ограниченное корпусом 1 и крышкой 2. При вращении опорного дис ка 3 внутри неподвижного корпуса I пластины 20 обкатываются по пути, ограниченном пазами колец 6 и 7 .Очистка пластин происходит с помощью

Изобретение относится к технологическому оборудованию для механичес кой очистки полупроводниковых пластин, в частности кремниевых пластин.

Известны устройства для механической обработки полупроводниковых пластин,. в которых кремниевая пластина посредством вакуума прикреплена тыль ной стороной к рабочему поворотному 10 столику и обрабатывается с помощью щеток или направленного потока воды с одной стороны. Если необходимо обработать и вторую сторону, то пластину необходимо перевернуть. Качество обработки в значительной степени эа висит от манипуляций и чистоты про" ведения операций (патент ФРГ

2849184,,кл. Н 01 Ь 21/304, 1980).

Наиболее близким по технической 20 сущности к предлагаемому является устройство для изготовления полу" проводниковых подложек (патент США

1 4276114, кл. Н 01 L 21/304, 1981), включающее опорный диск с приводом 25 вращения, .средства очистки пластин в виде вращающегося диска. Данное устройство также не позволяет одно" временно вести обработку двух сторон пластины без дополнительных манипуля- 30 ций и операций, Предлагаемое устройство для двух" сторонней механической очистки кремниевых н других тонких круглых пластин состоит из неподвижного корпуса, 35 на крышке которого симметрично расположены моечные сегменты, причем между крыпкой и корпусом установлены направляющие, одна иэ которых выполнена в виде незамкнутого цилнндричес- 4р кого кояьца с конусным пазом, на торцах которого установлены пальцы, другая вЂ” a виде периферийного ролика с поролоновых сегментов 8. Рабочий путь пластин 20 заканчивается прн помощи пальца и ролика 9. Рабочий раствор подается в отверстие 19. При отсутствии в рабочем пространстве пластин 20 происходит самоочистка сегментов 8 путем взаимного трения.

2 ил. конусным пазом, а третья вЂ” в виде цилиндр ич е с ко г о коль ца с ко ну сным п аэом, установленного соосно с опорным диском, на котором также установлены моечные сегменты. Привод всего устройства обеспечивается одним двигателем.

Предлагаемое устройство позволяет производить одновременную очистку двух сторон полупроводниковых пластин без дополнительного проведения операции по перегрузке пластин, а также улучшить качество очистки преимущественно центральной поверхности пластин при низкой материалоемкости устройства и уменьшении расходов вспомогательных материалах.

На фиг.l изображен профиль устрой" ства; на фиг. 2 вЂ” устройство, плоский разрез.

Устройство содержит корпус l,крышку 2, опорный диск 3, прижимное кольцо 4, ось 5, центральное кольцо 6 с конусным пазом, незамкнутое цилиндрическое кольцо 7 с конусным пазом, моечные сегменты 8, периферийный ролик 9 с конусным пазом, прижимные диски 10, вал 11, ведущий 12 и ведомый 13 шкивы, ременную передачу 14, подшипники 15 и 16 двигатель 17, цальцы 18, отверстие 19, обрабатываемую пластину 20.

Устройство работает следующим образом.

Кремниевая пластина 20, вставленная во входную щель, подхватывается вращающимся периферийным роликом 9 и пальцем 18 и попадает в конусные пазы колец б и 7, при этом моечные сегменты 8 устанавливают кремниевую пластину 20 в определенной плоскости.

При вращении опорного диска 3 внутри

1392602 неподвижного корпуса 1 пластины 20 обкатываются по пути, ограниченном пазами колец 7 и 6. Очистка пластин формула изобретения

Редактор Е.Копча Техред Л.Сердюкова

Корректор М,Пожо

Заказ 1811/55 Тираж 746 Подписное

В11ИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 происходит с помощью подвижных и не5 подвижных поролоновых моечных сегментов 8; Рабочий путь пластины 20 заканчивается при помощи пальца 18 и ролика 9, Рабочий раствор подается в отверстие 19. В момент отсутствия fð пластин 20 в рабочем пространстве происходит самоочистка сегментов 8 путем взаимного трения.

Предлагаемое устройство позволяет

IlpoBopHTh двухстороннюю очистку Kpуг 15 лых пластин и повысить качество обработки.

Устройство для двухсторонней меха" нической очистки кремниевых и других тонких круглых пластин, включающее опорный диск с приводом вращения, средства очистки пластин, моечные сегменты, о тлич ающе е ся тем, что устройство снабжено полым цилиндрическим корпусом с крышкой, между которыми установлены направляющие, одна из которых выполнена в виде незамкнутого цилиндрического кольца с конусным пазом, на торцах которого установлены пальцы, другая вЂ” в виде периферийного ролика с конусным пазом, а третья вЂ” в виде центрального кольца с конусным пазом, установ" ленного соосно с опорным диском, при этом средство очистки состоит из сегментных колец, жестко закрепленных на внутренних поверхностях крышки и опорного диска, размещенного внут" ри корпуса соосно с ним, а периферийный ролик соединен . ременной передачей с приводом вращения опорного .диска,

Устройство для вакуумно-плазменного травления пластин из немагнитных материалов // 1289308

Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин // 1207339

Устройство управления процессом плазмохимической обработки полупроводниковых пластин // 1199151

Травитель для халькогенидных стекол (его варианты) // 1160483

Способ изготовления образцов для использования структуры твердых тел // 1119535

Способ получения изображения // 879682

Способ формирования рисунков // 864382

Устройство для изготовления микрорисун-kob ha изделии // 851555

Способ получения рисунка на пленкеалюминия // 834805

Способ изготовления полупроводниковых пластин // 2105380

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение технологичности процессов механической обработки, выхода годных пластин, в частности, из материалов группы A3B5 в случае получения пластин с допуском диаметра 0,3 мм и менее

Способ глубокого анизотропного травления кремниевой пластины и устройство для глубокого анизотропного травления кремниевой пластины // 2127926

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности, к технологии изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления интегральных газовых датчиков с тонкими мембранами /1- 5 мкм/, а также мембран для рентгеновских фотошаблонов

Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего элемента // 2146842

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых лазерных диодов и светодиодов

Способ обработки полупроводниковых пластин // 2249881

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых структур, получаемых:- путем механического утонения структур с нерабочей стороны структур до фиксированной толщины, например до толщины 6-20 мкм;- путем термического соединения (сварки через окисел) двух пластин разной проводимости, легирования и кристаллографической ориентации и механического утонения одной из пластин до фиксированной толщины, например до толщины 6-10 мкм;- путем механической или химико-механической доводки структур для выравнивания планарного рельефа, удаления дефектов с использованием Stop-процесса

Способ профилирования тугоплавких и химически стойких материалов // 2252280

Изобретение относится к способам термохимического травления тугоплавких химически стойких материалов, в частности к методам локального травления их поверхности, например, с использованием локального лазерного облучения

Станок для обработки полупроводниковых пластин // 2260872

Устройство для обработки полупроводниковых пластин // 2273075

Изобретение относится к технике полупроводникового производства и может быть использовано для формирования многоуровневых межсоединений СБИС, в частности, для планаризации поверхности межслойного диэлектрика, межуровневого диэлектрика, для получения вертикальных проводников, диффузионно-барьерных слоев и адгезионных слоев на операциях подготовки поверхности пластин, например, при химико-механической полировке с последующей отмывкой их (гидромеханической, мегазвуковой и др.)

Способ получения фотошаблонных заготовок // 2274925

Изобретение относится к электронной промышленности, а именно к фотошаблонным заготовкам (ФШЗ), предназначенным для формирования рисунка микроизображения при изготовлении интегральных схем

Способ изготовления пластин монокристаллов // 2284073

Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при изготовлении пластин из слитков или булей монокристаллов, например, сапфиров

Устройство для обработки полупроводниковых пластин // 2295172

Изобретение относится к производству изделий электронной техники и может быть использовано, например, на операциях очистки полупроводниковых пластин с помощью щеток и мегазвука