Способ получения структур диэлектрик-полупроводник на основе антимонида индия

 

Способ получения структур диэлектрик - полупроводник на основе антимонида индия, включающий очистку поверхности полупроводниковой подложки, формирование потока молекул окиси кремния в атмосфере кислорода при давлении от 1,15 до 4,0 Па, зажигание ВЧ-разряда с плотностью мощности от 0,3 до 1,0 Вт/см² на электроде с подложкой, охлаждение на подложке пленки двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств структур за счет уменьшения влияния высокочастотного газового разряда, перед зажиганием газового разряда осаждают подслой двуокиси кремния толщиной от 150 до при температуре от 293 до 323 К.