Способ очистки пленок оксидных материалов от углеродсодержащих примесей

Авторы патента:

H01G4/10 - диэлектрики из оксида металла

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании просветляющих, изолирующих и полупроводниковых структур на основе высших оксидов металлов. Цель изобретения - снижение температуры очистки, устранение твердофазного легирования и улучшение диэлектрических свойств пленок. Изолирующие подложки обрабатываются в окислительной озонкислородной среде в присутствии УФ-излучения. Облучение УФ-светом проводят с длиной волны 240-290 нм под углом 5-90^o к подложке. Концентрацию озона в озонкислородной смеси поддерживают 0,01-11,0 об.%. Использование способа позволяет снизить температуру очистки до 18-25^oC и улучшить такие свойства пленки, как диэлектрическая проницаемость, электрическая прочность и диэлектрические потери. 1 табл., 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано, например, в технологии изготовления просветляющих, изолирующих и полупроводниковых структур на основе оксидов материалов, полученных из металлоорганических соединений. Целью изобретения является снижение температуры очистки, устранение твердофазного легирования и улучшение диэлектрических свойств пленок оксидных материалов, что позволяет улучшить качество покрытий из этих материалов и повысить выход годных изделий, изготовляемых на их основе. Примеры выполнения, иллюстрирующие особенности осуществления предлагаемого способа и свойства полученных пленок оксидных материалов, приведены в таблице. Очистке подвергают такие оксидные материалы, как оксиды алюминия, индия, кремния, олова, титана, циркония, вольфрама, полученные термическим разложением металлоорганических соединений (алкильных и алкоголятных производных, ацетилацетанатов, пероксидов и карбонилов). На чертеже графически показано отсутствие твердофазного легирования пленок оксидных материалов. По данным Оже-спектров, обезуглероживание оксидных материалов протекает с сохранением бездефектной структуры оксидных пленок и отсутствием твердофазного легирования пленок материалом подложки: Оже-спектры пленок на металлическом кремнии до (а) и после (б) обработки озонкислородной смесью при 18^oC в условиях облучения уф-светом, что ширина переходной зоны пленка-подложка остается постоянной При этом оксидные покрытия однородны по составу по всей глубине, старого стехиометричны, не имеют сквозных пор и трещин. Изобретение позволяет снизить температуру очистки с 60 150^oC до 18 25^oC, устранить твердофазное легирование пленок оксидных материалов материалом подложки и улучшить такие их свойства, как диэлектрическая проницаемость, электрическая прочность и диэлектрические потери, что дает возможность улучшить качество покрытий из этих материалов и повысить выход годных изделий, изготовляемых на их основе.

Формула изобретения

Способ очистки пленок оксидных материалов от углеродсодержащих примесей, основанный на обработке изолирующей подложки с пленкой оксидного материала в озонокислородной смеси, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры очистки, устранения твердофазного легирования материалом подложки и улучшения диэлектрических свойств, одновременно с обработкой изолирующей подложки с пленкой оксидного материала в озонокислородной смеси проводят ее облучение УФ-светом с длиной волны 240 290 нм под углом 5 90^o к подложке, причем концентрацию озона в озонокислородной смеси поддерживают в диапазоне 0,01 - 11,0 об.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 36-2000

Извещение опубликовано: 27.12.2000

Трехуровневый тонкопленочный неполярный конденсатор // 879664

Способ тренировки тонкопленочных конденсаторов // 588569

Тонкопленочный конденсатор // 422047

Патент 415734 // 415734

Способ изготовления сегнетокерамических конденсаторов // 337836

Патент 322796 // 322796

Способ нанесения двуокиси марганца на диэлектрик тонкопленочнь[х конденсаторов // 294191

Патент 294184 // 294184

Патент 291251 // 291251

Конденсатор с оксидным диэлектриком // 2141143

Изобретение относится к радиоэлектронике, конкретно к электронакопительным устройствам

Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора // 2284070

Изобретение относится к способам изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов

Способ изготовления ниобиевого объемно-пористого анода повышенного рабочего напряжения // 2287869

Изобретение относится к производству ниобиевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов, в частности повышенного рабочего напряжения

Тонкопленочный конденсатор на основе проводящих полимеров // 2318263

Способ изготовления тонкопленочного конденсатора // 1581097

Изобретение относится к технологии электронной техники и может быть использовано в производстве тонкопленочных гибридных интегральных схем при изготовлении тонкопленочных конденсаторов

Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора // 2516525

Изобретение относится к области электротехники, а именно к технологии нанесения покрытия из диоксида марганца на оксидированные объемно-пористые аноды вентильного металла, например тантала, ниобия. Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора заключается в нанесении многослойного катодного покрытия из диоксида марганца на оксидированный объемно-пористый анод из вентильного металла и включает в себя многократные циклы пропитки-пиролиза анодов с использованием пропитывающего водного раствора с возрастающей от цикла к циклу концентрацией нитрата марганца с добавкой азотной кислоты в качестве активного негалогенированного окисляющего реагента в количестве, обеспечивающем в пропитывающем растворе величину рН 1, не более, и водяного пара во время пиролиза, а также в подформовке анодов после получения каждого слоя диоксида марганца и финишной обработке сформированного многослойного покрытия из диоксида марганца парами азотной кислоты при повышенной температуре 55-70°С в течение не менее 1 минуты. Техническим результатом заявленного изобретения являются стабильные улучшенные электрические характеристики конденсатора, в том числе низкое эквивалентное последовательное сопротивление, а также увеличение выхода годных изделий при сокращении расхода материалов и энергоресурсов. 2 табл., 2 ил., 6 пр.