Способ изготовления сегнетокерамических конденсаторов

 

О П И С А Н И Е 337836

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соеетокик

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 25.XII.1969 (№ 1388072/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 05.Ч.1972. Бюллетень № 15

Дата опубликования описания 7Л 1.1972

М. Кл. Н OIQ 3/075

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.319.4 (088,8) Авторы изобретения

Л. М. Александрова, Т. Н. Вербицкая и А. А. Иофан

Заявитель

СПОСОБ ИЗ ГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКИХ

КОНДЕНСАТОРОВ

Предмет изобретен ия

Изобретение относится к радиоэлектронной ,промышленности и может быть использовано в производстве л|обых конденсаторов, работающих в различных схемах радиоэлектроники.

Известен опособ изготовления сегнетокерамических конденсаторов путем литья, вырубки и обжига заготовок с последующей металлизацией и резкой заготовки на отдельные элементы.

Цель изобретения — повышение надежности конденсаторов в работе и обеспечение возможности нодгонки отдельных конденсаторов до разрезания.

Для этого по предлагаемому способу металлизацию заготовок, осуществляют с одной стороны сплошньцт слоем, а с другой — в виде отдельных электродов, обеспе ивающнх заданную емкость конденсатора.

Особенность предлагаемого способа заключается в групповом изготовлении партии конденсаторов до определенной операции. В этом случае из сырой керамической пленки штампуют заготовки,,площадь .которых в 50—

100 раз больше расчетной площади конденсатора. Металлизацию обо>к>кенных заготовок производят нанесением пасты методом шелкографии с последующим вжиганием. Одну поверхность заготовки металлизируют полностью, а другую — отдельными квадратами, площадь которых должна обеспечивать емкость каждого конденсатора. Число квадратов на заготовке соответствует количеству отдельных конденсаторов. При таком располо>кении конденсаторов на заготовке удобно по5 следовательно контролировать величину номинальной емкости и,производить подготвку ее в заданный допуск, После разбраковкп конденсаторов заготовки разрезают на отдельные детали с помощью, например, ультlo развукового станка .или скрайбера (алмазной иглы).

Выводы к годным конденсаторам припаивают электропаяльником или приваривают на сварочной установке, детали покрывают вла15 гозащитной эмалью.

Предлагаемый способ .позволяет изготавливать в условиях серийного производства сегнетокерамияеские конденсаторы малой емкости с .площадью диэлектрика 1 мм и менее.

20 Применяя, предварительную подготовку толщины сырой пленки при вальцовке, можно получить конденсаторы с допуском по емкости +- (5 — 10) %, а наличие зазора по диэлектрику повышает надежность конденсаторов

25 или позволяет увеличить рабочее напря>кение, Способ изготовления сегнетокерамических

З0 конденсаторов, путем литья, вырубки и обжи337836

Составитель Н. Герасимова

Техред Л. Богданова Корректор В. )Колудева

Редактор Т. Иванова

Заказ 1581j10 Изд. ¹ б74 Тираж 448 Подписное

ЦИИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министрос СССР

Москва, )К-З5, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

ra заготовок с последующей металлизацией и резкой заготовки на отдельные элементы, отличи(ощийся тем, что, с целью повышения надехкности конденсаторов и обеспечения возможности подготовки отдельных конденсаторов до разрезания, металлизацгио заготовок осуществляют с одной стороны сплошным слоем, а с другой †.в виде отдельных электродов, обеспечивающ! Ix заданную емкость

5 конденсатора.

Способ изготовления сегнетокерамических конденсаторов Способ изготовления сегнетокерамических конденсаторов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к радиоэлектронике, конкретно к электронакопительным устройствам

Изобретение относится к способам изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов
Изобретение относится к производству ниобиевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов, в частности повышенного рабочего напряжения

 // 415734

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании просветляющих, изолирующих и полупроводниковых структур на основе высших оксидов металлов
Наверх