Способ изготовления мдп-транзисторов

 

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления МДП БИС. Цель - увеличение процента выхода годных транзисторов путем локации обработки рентгеновским излучением. Способ включает операции формирования на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, нанесение металлической разводки и подгонку порогового напряжения путем облучения пластин со структурами дозой рентгеновского излучения, пропорциональной величине подгонки ΔU. Для этого измеряют геометрическое распределение пороговых напряжений транзисторов по пластине и выделяют на пластине n + 1 зон, в которых пороговые напряжения имеют значения в пределах [U_o+(n-1/2)ΔU_o]-[U_o+(n-1/2)ΔU_o], где n - числа натурального ряда; ΔU_o- допустимый разброс пороговых напряжений годных изделий. Затем выделенные зоны пластины облучают ренгеновским излучением дозами соответствующими средней величине отклонения порогового напряжения приборов n·ΔU_o в каждой из зон. 1 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления МДП БИС. Целью изобретения является увеличение процента выхода годных изделий на пластине путем локализации обработки рентгеновским излучением. Обоснованием данного способа является то, что значения пороговых напряжений МДП-приборов распределены геометрически по пластине приблизительно аксиально относительно некоторой точки на пластине либо вне ее, названной центром распределения. Этот центр, как правило, не совпадает с центром пластины. При этом линии одинаковых порогов в первом приближении совпадают с окружностями. На чертеже изображена пластина 1 с примерным распределением на ней линии равных значений пороговых напряжений МДП-транзисторов 2. Границы соседних выделенных зон обозначены штриховыми линиями. Из чертежа видно, что центр распределения параметров изделий 3 смещен относительно центра пластины 4 на определенное расстояние. Показанные на пластине зоны облучают пучком рентгеновского излучения в соответствии с отклонениями n ˙ Δ U_o в каждой из них от заданного значения порогового напряжения U_o. Облучение проводят путем диафрагмирования рентгеновского пучка с установкой последнего по границам зон в n стадий, начиная с зоны, отклонение параметров в которой от нормы максимально. Способ испытан в производственных условиях на изделиях типа К 1001ВЕ10, выполненных на кремниевых пластинах диаметром 100 мм. На каждой из пластин размещалось 214 изделий указанного типа. В результате профилированного облучения пластин при n=4 в соответствии с предлагаемым способом выход продукции по параметру порогового напряжения увеличился до 80% (в прототипе увеличение выхода составляло 20% ). Величина n в каждом случае опpеделяется исходя из значений допустимого требованиями ТУ на годную продукцию разбросом ΔU_o= δ параметра порогового напряжения и полученного действительного разброса ΔU= δ на финише технологии, и очевидно, что (n+1)= Δ / δ Использование изобретения позволит существенно увеличить выход годных изделий.

Формула изобретения

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ с пороговым напряжением U_о, включающий операции формирования на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, нанесения металлической разводки и подгонки порогового напряжения, которую проводят после нанесения металлической разводки путем облучения подложек с транзисторами дозой рентгеновского излучения, пропорциональной величине необходимого изменения порогового напряжения ΔU отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов путем локализации обработки рентгеновским излучением, после нанесения металлической разводки измеряют геометрическое распределение пороговых напряжений транзисторов на подложке, определяют положение n + 1 зон, пороговые напряжения транзисторов которых лежат в интервале [U_o+(n-1/2)ΔU_o]+[U_o+(n+1/2)ΔU_o, где n числа натурального ряда; ΔU_o допустимый разброс пороговых напряжений годных транзисторов, после этого каждую из выделенных зон подложки облучают рентгеновским излучением дозами, соответствующими среднему необходимому изменению величины порогового напряжения транзисторов, равного n·ΔU_o.

РИСУНКИ

Рисунок 1