Шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала
Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков , и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамических конденсаторов. Для повышения диэлектрической проницаемости шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала содержит в качестве добавки СаЗпОз при следующем соотношении компонентов, мас.%: BaTiOj-.S, 12- 88,97; CaZrOj 7,8-8,6; МпСОэ.0,08- 0,10; О,70,-О,98; ZnO 0,45- 0,70; CaSnO,, 2,00-2,50. Полученные по обычной керамической технологии составы материала из предлагаемой шихты имеют следуюпше характеристики: Е 15000-17000; tg сГ(1,25-2,25) f при (5,0-9,1 ГОм-м-.Е пр 5,0- ,-6,4 МВ/м;Т 15-25 0; Тспек материала 1260-1 . 2 табл. (Л
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н АВТОРСКОМ,Ф СВИД=ТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТ8ЕККЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ
flPH fKHT СССР (21) 4143614/29-33 (22) 03.11.86 (46) 15.02.89. Бюл, Ф 6 (72) Э.И.Мамчиц, И.Г.Бертош, В.В.Самойлов, Л.И.Егоров, З.И,Давыдова, Л.Д.Подласенко и В.Ф.Ларичева (53) 666.638(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР
1258825, кл. С 04 В 35/46, t986.
Авторское свидетельство СССР й".- 810643, кл. С 04 В 35/46, 1981. (54) ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КЕРАМИЧЕСКОГО КОНДЕНСАТОРНОГО МАТЕРИАЛА (57) Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано для
Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамических конденсаторов.
Цель изобретения — повьппение диэлектрической проницаемости.
Шихту получают следующим образом.
Предварительно известным. способом получают спеки титаната бария, цирконата кальция и станната кальция ко8 торые синтезируют при 1220-1300 С; затем измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см /г. Измельченные спеки, взятые в заданном соотношении, . смешивают с требуемым количеством углекислого марганца и оксидов цинка и ниобия {см. табл. 1).
„„SU„„.1458355 А1
15ц 4 С 04 В 35/46 Н 01 G 4/12 изготовления низкочастотных керамических конденсаторов. Для повышения диэлектрической проницаемости шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала-содержит в качестве добавки CaSnO при следующем соотношении компонентов, мас .7.: Ba 7i0,8 7 1288,97; CaZr0 7,8-8,6; ИпСОэ.0,08О, 10; Nb 0 5 0,70,-0,98; ZnO 0,45О, 70; Са8пО э 2,00-2,50. Полученные по обычной керамической технологии составы материала из предлагаемой шихты имеют .следующие характеристики:
Е 15000-17000; tg d (1,25-2,25) х10 ; р, при 100 С (5,0-9,1 ГОм.м;Е zp 5,0- ©
-6,4 МВ/м;Т„15-25 С;, Т„„„материала
1260-1300 С. 2 табл.
- Полученную смесь измельчают до удельной поверхности 5000-7000 см /г и используют для получения диэлектрика конденсаторов по принятой технологии, Конкретные примеры составов шихты приведены в табл. 1.
В табл. 2 приведены характеристики полученных из шнхты материалов.
Формула изобретения
Шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического кондвн- саторного материала, включающая BaTiO
Са2гО,, МпСО, Nb О, ZnO и добавку, отличающаяся тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости, она содержит в каче
