Способ определения давления максимальной интенсивности разрушения полупроводниковых керамических материалов под действием поверхностного разряда

 

Изобретение относится к технике емкостных систем зажигания, в которых используется явление низковольтного разряда на поверхности полупроводниковых керамических материалов. Цель изобретения - сокращение времени определения. Способ заключается в том, что на поверхность испытуемых образцов воздействуют электрическим разрядом при различных давлениях, определяют длительность первой стадии поверхностного разряда и частоту следования импульсов второй стадии разряда, произведения этих величин используют в качестве параметра, характеризующего действие разряда на материал, строят зависимость этого параметра от давления и по этой зависимости определяют давление при максимальной интенсивности разрушения . i С/)

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) 9 27 А1 (51) 4 С 01 N 17/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМ .Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ ния.

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

Г10 ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4314130/28-25 (22) 27.07.87 (46) 30.03.89. Бюл.К - 12 (71) Башкирский государственный университет им. 40-летия Октября (72) Р.Ф.Альмухаметов, P.À.ßêøèáàåâ и С.А,Розенберг (53) 620.190(088.8) (56) Поталицин Ю.Ф. Импульсный разряд в сжатом газе при мегавольтных напряжениях. — В кн.: Импульсный разряд в диэлектриках. Новосибирск:

Наука, 1985, с.55-83. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДАВЛЕНИЯ

МАКСИМАНЪНОЙ ИНТЕНСИВНОСТИ РАЗРУШЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КЕРАМИЧЕСКИХ

МАТЕРИАЛОВ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ПОВЕРХНОСТНОГО РАЗРЯДА

Изобретение относится к технике емкостных систем зажигания, в частности систем зажигания, в которых используется явление низковольтного разряда на поверхности полупроводниковых керамических материалов (ПКМ), Целью изобретения является сокра-,: щение времени определения, На фиг.1 представлена схема установки для осуществления предлагае- . мого способа; на фиг.2 — зависимость интенсивности злектроэрозии I (кри" вая 1) и величины К = Lf (кривая 2)

: от давления воздуха P для

IIKM на основе оксида хрома; на (57) Изобретение относится к технике емкостных систем зажигания, в которых используется явление низковольтного разряда на поверхности полупроводниковых керамических материалов.

Цель изобретения — сокращение времени определения. Способ заключается в том, что на поверхность испытуемых образцов воздействуют электрическим разрядом при различных давлениях, определяют длительность первой стадии поверхностного разряда и частоту следования импульсов второй стадии разряда, произведения этих величин используют в качестве параметра, характеризующего действие разряда на материал, строят зависимость этого параметра от давления и по этой зависимости определяют давление при максимальной интенсивности разруше2 фиг. 3 — схематическая осциллограмма разрядного тока; на фиг.4 — зависимость частоты следования импульсов второй стадии разряда1(кривая 1) и длительности первой стадии (кривая 2) от давления воздуха для ПКМ на основе оксида хрома.

Способ реализуется следующим образом.

На поверхность испытуемых образцов воздействуют электрическим разрядом при различных давлениях, определяют длительность первой стадии поверхност- ного разряда и частоту следования импульсов второй стадии разряда, произведение этих величин используют в

1469327 качестве параметра, характеризующего действие разряда на материал, строят зависимость изменения этого параметра от давления и по этой зависимости определяют давление при максимальной

5 интенсивности разрушения.

Пример. Требуется определить величину давления максимальной интенсивности разрушения ПКМ на основе ок-. 1О сида хрома. Испытания проводят на емкостной разряцной установке (фиг.1)

Исследуемый образец 1 помещают в ячейку между двумя концентрическими электродами 2 и 3 и плотно прижимают к ним. Исследования в атмосфере газа под давлением проводят в специальной камере, имеющей окно для регистрации разряда с помощью фоторезистора.

Импульсы напряжения с фоторезистора 2О ,усиливаются транзисторным каскадом и подаются на вход частотомера, Давле ..ние в камере измеряют с помощью мано.метра. Определяют длительность первой стадии поверхностного разряда и час- 25 тоту следования импульсов второй стадии (фиг.3). Строят зависимость длительности первой стадии и частоты следования импульсов второй стадии от давления (фиг.4). Далее строят у(1 зависимость параметра К=И от давления P (фиг. 2) и определяют давление максимальной интенсивности разрушения

ПКМ, которое равно Р„= 5 кгс/см .

Формула изобретения

Способ определения давления максимальной интенсивности разрушения полупроводниковых керамических материалов под действием поверхностного разряда, по которому воздействуют на поверхность испытуемых образцов электрическим разрядом при различных давлениях, определяют параметр, характеризующий действие разряда на материап, строят зависимость изменения этого параметра от давления и.по этой зависимости определяют давление при максимальной интенсивности разрушения, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени определения, определяют длительность пер- вой стадии поверхностного разряда и частоту следования импульсов второй стадии разряда, а произведение этих величин используют в качестве параметра, характеризукщего действие разряда на материал.

1469327

Корректор В,Гирняк Редактор Т,Парфенова

Тираж 788

Заказ 1347!45

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открьггиям при ГКНТ СССР

1.13035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина,101 кгц

Составитель Г.Алехов

Техред М.Ходанич

lg

era,4

K O,с