Способ обнаружения дефектов в доменосодержащих эпитаксиальных пленках

 

Изобретение относится к области магнитной микроэлектроники и может быть использовано для неразрушающего контроля доменосодержащих эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок при изготовлении доменных запоминающих устройств. Целью изобретения является повышение чувствительности способа обнаружения дефектов. Способ включает воздействие на эпитаксиальную пленку импульсным неоднородным магнитным полем смещения, кратковременно перемагничивающим доменосодержащую пленку до насыщения. Противоположно вертикальной составляющей импульсного поля подают однородное постоянное поле смещения. Дефект пленки обнаруживают по наличию изолированного кольцевого домена на фоне однородно намагниченной области. Дополнительное повышение чувствительности достигается при использовании регулируемого по величине магнитного поля в плоскости пленки. Наличие однородного постоянного и регулируемого планарного полей повышает чувствительность способа обнаружения дефектов за счет облегчения зародышеобразования в размагничивающейся после окончания воздействия импульсного поля доменосодержащей пленке. Способ обладает хорошей визуализацией дефектов. 1 з.п. ф-лы.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (sn 4 С 11 С 11/14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГННТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCH0IVIY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) 1322373 (21) 4283729/24 — 24 (22) 13.07.87 (46) 23.04.89. Бюл. Р 1 5 (71) Донецкий государственный университ ет (72) А. В. Ковалев и И. В. Никонец . (53) 681.327.66(088.8) (56) Авторское свиде тельство СССР

1! - 1322373, кл. G 11 С 11/!4, 1986. (54) СПОСОБ ОБНАРУЖЕНИЯ ДЕФЕКТОВ В

ДОИЕНОСОДЕРЖАЩИХ ЭПИТАКСИАЛЬНЪ|Х ПЛЕНКАХ (57) Изобретение относится к области магнитной микроэлектроники и может быть использовано для неразрушающего контроля доменосодержащих эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок при изготовлении доменных запоминающих устройств. Целью изобретения является повышение чувствительности способа обнаружения дефектов. Способ включает воздействие на эпитаксиальную

Изобретение относится к области магнитной микроэлектроники, может быть использовано для неразрушающего контроля доменосодержащих эпитаксиальных феррит †гранатов пленок при изготовлении доменных запоминающих устройств и является усовершенствованием основного изобретения по авт. св, Nl 1322373.

Целью изобретения является повышение чувствительности известного спо соба обнаружения, дефектов.

ÄÄSUÄÄ 1474787 А 2 пленку импульсным неоднородным магнитнымым полем смещения, к ратко в ременно перемагничивающим доменосодержащую пленку до насыщения. Противоположно вертикальной составляющей HMпульсного поля подают однородное постоянное поле смещения. Дефект пленки обнаруживают по наличию изолированного кольцевого домена на фоне однородно намагниченной области. Дополнительное повышение чувствительности достигается при исполь зов анни регулируемого по величине магнитного поля в плоскости пленки. Наличие однородного постоянного и регулируемого планарного полей повышает чувствительность способа обнаружения дефектов за счет облегчения зародышеобразования в размагничивающейся после окончания воздействия импульсного поля доменосодержащей пленке. Способ обладает хорошей визуализацией дефектов. 1 з.п. ф-лы.

Предлагаемый способ обнаружения. дефектов заключается в следующем.

На участок доменосодержащей плен— ки воздействуют импульсным неоднородным магнитным полем смещения, которое может быть создано, íanример, пропусканием импульсов тока длительностью 3-5 мкс через плоскую катушку, с внутренним диаметром порядка миллиметра, Амплитуда этого поля должна быть достаточна для полного перемагничивания области пленки внутри ка1474737

Сос тав итель Г. Анике ев

Редактор Л. Гратилло Техред Л. Сердюкова Корректор Л. Пилипенко

Заказ 1901/51, Тираж 558 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета Ilo изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 эоизводственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,1()1 тушки. Об этом можно судить по появлению в пленке системы радиально сходящихся к центру катушки полосовык доменов (при отсутствии других полей смещения). Доменную структуру можно наблюдать в поляризационный микроскоп, освещая пленку поляризованным светом. При подаче на эпитаксиальную пленку однородного постоянного поля смещения, направленного встречно вертикальной составляющей импульсного . неоднородного магнитного поля, вокруг дефекта образуется изолированный кольцевой домен, появляющийся в месте раздела двух систем доменов (радиально сходящейся полосовой и радиально расходящейся из дефекта в, пленке гребешковой) в результате коллапса обеих доменных структур. Величина напряженности магнитного одно родного по сто янно r о и о ля см еще ния, при которой возникают также кольцевые домены, является характеристикой пленки и не меняется от дефекта к дефекту. Эта величина определяется экспериментально.

Перемещая пленку относительно катушки, можно обнаружить в се дефек ты по появлению кольцевых доменов. Экспериментально установлено, что подача однородного поля смещения повышает чувствительность способа за счет облегчения условий зарождения новых доменов на дефектах в пленке.

Дополнительное повышение чувствительности способа достигается при использовании также регулируемого по величине напряженности магнитного поля в плоскости пленки.

Наличие этоrо поля способствует проявлению новых центров зародьппеобразования в размагничивающейся после кратковременного воздействия жпульсным магнитным полем пленА ке, намагничивающим ее до насыщения.

В комбинации с однородным постоянным полем смещения регулируемое планарное поле, монотонно изменяющее свою напряженность от нуля, позволяет tlo

5 очереди выявить практически все дефекты пленки, вплоть до самых слабых.

Благодаря хорошей визуализации дефектов при таком способе возможна точная фиксация значений напряженности пла10 нарного поля, т,е. возможна калибровка дефектов по степени их активности.

Таким образом, предлагаемый способ обладает хорошей визуализацией дефектов домено содержащих пленок, 15 позволяет повысить чувствительность обнаружения дефектов с малой коэрцитивной силой и размерами, дает возможность калибровать дефекты по их активности.

Фо рмула изо б ре те ния

1. Способ обнаружения дефектов в доме носодержащих эпитаксиальных пленках по авт. св. N - 1322373, о т л ич ающий с я тем, что, с целью по вьпп ения чув ств ительно сти спо соб а, на эпитаксиальную пленку подают однородное постоянное поле смещения, на30 правленное про тив опо ложно в ертикальной составляющей импульсного неоднородного магнитного поля смещения, и по наличию изолированного кольцевого домена на фоне однородно намагниченной области обнаруживают дефект, расположенный в области пленки внутри кольцевого домена.

2. Способ по п. 1, о тлича— ю щ и. и с я тем, что в плоскости

40 пленки подают монотонно изменяющееся по величине нап ря женно с ти м агни тна е поле и фиксируют проявление областей перемагничивания в пленке в виде новых кольцевых доменов, по моменту

45 появления и положению которых судят соответственно об активности и местоположении дефектов пленки.