Базовый кристалл масочно-программируемых фильтров

 

Изобретение относится к автоматике и может быть использовано при создании интегральных схем большой функциональной сложности. Цель изобретения - повышение плотности компоновки. Поставленная цель достигается за счет введения дополнительных контактных площадок для коммутации накопительных элементов на конденсаторах, ячейки с переключательными элементами образуют матрицу базового кристалла. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51) 4 С 11 С 11/40

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМ У СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4226175/24--24 (22) 08.04.87 (46) 30.04.89. Бюл. № 16 (72) Ю.Т.Белоус, А.Б.Макаров и Н.С.Теплякова (53) 681.327.66(088.8) (>) ТИИЭР, т. 71, №- 8, с. 35-67.

Заявка Франции ¹ 2548847, кл. Н 03 К 11/12, 1985. ! (54) БАЗОВЫЙ КРИСТАЛЛ МАСОЧНО-ПРО

ГРАММИРУЕМЫХ ФИЛЬТРОВ

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к интегральным устройствам частотной и временной обработки сигналов.

Цель изобретения — повышение плотности компоновки базового кристалла, На фиг. 1 изображен кристалл, общий вид; на фиг. 2 — расположение ячеек нечетного и четного столбцов.

На фиг. 1 и 2 обозначены кристалл

1, матрица 2 накопительных элементов, информационные шины 3, группы 4 тактовых шин и шин питания, ячейки 5 нечетной строки нечетного столбца и четной строки четного столбца, ячейки 6 нечетной строки четного столбца и четной строки нечетного столбца и накопительные элементы 7 ячейки.

Устройство работает следующим образом.

Каждая из ячеек 5 и 6 реализует независимые передаточные характеристики второго порядка. Коммутируя ячейки 5 и 6 путем подсоединения их (57) Изобретение относится к автоматике и может быть использовано при создании интегральных схем большой функциональной сложности, Цель изобретения — повышение плотности компоновки. Поставленная цель достигается за счет введения дополнительных контактных площадок для коммутации накопительных элементов на конденсаторах, ячейки с переключательными элементами образуют матрицу базового кристалла. 2 ил. входов и выходов перемычками к информационным шинам 3, можно на крис" талле 1 организовать или несколько фильтров второго порядка, или фильтр высокого порядка, или фильтры более низкого порядка.

При организации фильтров высокого порядка соединение необходимого количества накопительных элементов 7 с ячейками 5 и 6 осуществляется в соответствии с требуемой электрической схемой также при помощи перемычек. Объединение накопительных элементов 7 ячеек 5 и 6 в матрицу 2 позволяет использовать их максимальным образом.

Сигналы тактовых частот и питаю- ф щих напряжений проходят по соответст-

Ь вующим проводникам всех шин и с помощью. перемычек подаются на ячейки, задействованные при организации фильтров. Поскольку проводники, по которым проходят сигналы тактовых частот, расположены перпендикулярно проводникам, 1476534 по которым распространяются информационные сигналы, то взаимодействие

Вх между собой незначительно и наблюдается только в местах пересечения. а повышения плотности компоновки базоФормула изобретения

)y 6

Составитель Б.Венков

Техред А.Кравчук Корректор О.Кравцова

Редактор А.Огар

Заказ 2163/53 Тираж 559 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина, 101

Базовый кристалл масочно-программируемых фильтров, содержащий ячейки с переключательными элементами, операционными усилителями, группой накопительных элементов на конденсаторах, группы тактовых и информационных шин, группы шин питания, контактные площадки для коммутации информационных входов и выходов соответственно переключательных элементов и операционных усилителй, групп шин питания, тактовых и информационных шин, причем соответствующие выводы переключательных элементов, операционных усилителей соединены с соответствующими контактными площадками, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью вого кристалла, он содержит дополнительные контактные площадки для коммутации накопительных элементов на

5 конденсаторах, первые и вторые выводы которых соединены с соответствующими дополнительными контактными площадками, ячейки с переключательными элементами образуют матрицу базового кристалла, причем группа накопительных элементов ячейки нечетной строки нечетного столбца, ячейки нечетной строки четного столбца, ячейки четной строки нечетного столбца примыкают к группе накопительных элементов ячейки четной строки четного столбца, соответствующая группа тактовых шин и шин питания расположена перед ячейками первого столбца и после ячеек каждого четного столбца, соответствующая группа информационных шин расположена перед ячейками первой строки и после ячеек каждой четной

25 стРоки 11cLTPHIJbI °

Базовый кристалл масочно-программируемых фильтров Базовый кристалл масочно-программируемых фильтров 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области цифровой вычислительной техники, в частности к запоминающим устройствам, выполненным на динамических элементах памяти

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании БИС запоминающих устройств

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в цифровых вычислительных машинах с магазинной памятью

Изобретение относится к программируемым запоминающим устройствам с плавающим затвором и ультрафиолетовым стиранием и может быть применено для записи информации в ячейку полупостоянного запоминающего устройства с использованием пониженного напряжения записи

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для сопряжения вычислительных устройств с разным быстродействием

Изобретение относится к полупроводниковым запоминающим устройствам на биполярных транзисторах

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в оперативных запоминающих устройствах на КМДП-транзисторах

Изобретение относится к вычисли- ,тельной технике, в частности к устройствам управления запоминающими устройствами динамического типа

Изобретение относится к вьг1ислительной технике, а именно к запоминающим устройствам, и может быть использовано при проектирован1га микро-: схем ПЗУ и ППЗУ

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания постоянных (ПЗУ) и репрограммируемых (РПЗУ) запоминающих устройств повышенной информационной емкости на основе МДП-структур

Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству и, в частности, к цепи усиления напряжения (употребляемый здесь термин "цепь усиления напряжения" имеет тот же смысл, что и "усилительная схема", "цепь выработки усиленного напряжения", "однокаскадная усилительная схема с компенсационной обратной связью" и т.д.) для усиления подаваемого от системы питающего напряжения до желательного уровня усиления напряжения

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к способу регенерации ячеек памяти в динамическом запоминающем устройстве с произвольным доступом и, в частности, к способу, который уменьшает помехи регенерации на напряжении стока динамического запоминающего устройства с произвольным доступом, имеющего КМОП-структуру

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к запоминающей ячейке статического ЗУПВ

Изобретение относится к схемному устройству с некоторым числом электронных схемных компонентов, состояние которых может переводится в исходное состояние
Наверх