Паяный узел высокотемпературных вакуумных интегральных схем
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении высокотемпературных интегральных схем. Цель изобретения - повышение надежности - достигается путем нанесения на ограничивающее покрытие дополнительного покрытия из материала, способного образовать твердый раствор с припоем. Паяный узел содержит диэлектрические подложки 1 с соосными отверстиями, вокруг которых выполнены контактные площадки 2, ограничивающее тонкопленочное покрытие 3 с незаполненной d-оболочкой, на которое нанесено дополнительное покрытие 4, штыревой вывод 5, закрепленный в отверстии с помощью бусинок 6 припоя. В устройстве осуществляется пропай всего пакета подложек по толщине, что также обеспечивает повышение надежности паяного узла. 1 ил.
Изобретение относится к электронной технике и может использоваться при изготовлении высокотемпературных вакуумных интегральных схем. Цель изобретения - повышение надежности - достигается за счет нанесения на ограничивающее покрытие дополнительного покрытия из материала, способного образовывать твердый раствор с припоем. На чертеже изображен паяный узел высокотемпературной вакуумной интегральной схемы. Узел содержит диэлектрические подложки 1 с соосными отверстиями, вокруг которых выполнены контактные площадки 2 с обеих сторон наложенных друг на друга подложек 1, ограничивающие тонкопленочные покрытия 3, выполненные из элементов 5, 6 периодов V, VI, VII групп с незаполненной d-оболочкой, на которые нанесено дополнительное покрытие 4 из материала, образующего твердый раствор с припоем, и штыревой вывод 5, закрепленный в отверстии с помощью бусинок 6 припоя. Контактные площадки 2 выполнены из никеля, а ограничивающие покрытия 3 толщиной 0,3 мм и диаметром 330 мкм - из молибдена или тантала, или вольфрама. Тонкопленочное дополнительное покрытие 4 диаметром 230 мкм выполнено электронно-лучевым испарением в вакууме никеля, а штыревые выводы 5 из никелевой проволоки диаметром 0,1 мм размещены в отверстиях диаметром 0,13 мм, выполненных в металлизированных с обеих сторон подложках из алюминия. Выбранные материалы ограничивающего покрытия из-за несмачиваемости расплавленным припоем исключают протекание при пайке и работе высокотемпературной вакуумной интегральной схемы растворно-диффузионных процессов и, следовательно, не образуют с припоем интерметаллических соединений и сплавов, что служит одной из причин отказа при длительной эксплуатации узла в условиях высоких температур. Кроме того, наличие дополнительного покрытия, способного образовывать с материалом припоя твердый раствор, способствует растеканию припоя при пайке по дополнительному покрытию и штыревому выводу, в результате чего обеспечивается пропай всего пакета подложек по толщине, что, в свою очередь, обеспечивает повышение надежности паяного узла.
Формула изобретения
ПАЯНЫЙ УЗЕЛ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ВАКУУМНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, содержащий диэлектрические подложки, расположенные параллельно одна другой с соосными отверстиями, тонкопленочные контактные площадки, выполненные вокруг отверстий с обеих сторон каждой подложки, ограничивающие покрытия, выполненные на контактных площадках, и металлический штыревой вывод, запаянный в отверстия подложек, отличающийся тем, что с целью повышения надежности, ограничивающее покрытие выполнено толщиной не менее 0,3 мкм из металлов элементов 5,6 периодов V, VI и VII групп с незаполненной d-оболочкой, на которые нанесено дополнительное покрытие из материала, образующего с материалом припоя твердый раствор, причем площадь дополнительного покрытия выбрана меньшей площади ограничивающего покрытия.РИСУНКИ
Рисунок 1
