Способ регистрации ик-излучения

Авторы патента:

H01L31/10 - отличающиеся наличием, по меньшей мере, одного поверхностного барьера или потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, например фототранзисторы

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

А1 (51) 5 Н О1 L 31/10

ЮЭНМ с л: %МИ !

ОП=;.А

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н A BTQPCH0MY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГННТ СССР (46) 23.04.91. Бюл. Ф 15 (21) 4204523/25 (22) 04.03.87 (72) Я.A,Îêñìàí, И.Я,Мармур, С,П.Ашмонтас и Й,Й.Градаускас (53) 621.382.(088.8) (56) Фотоприемники видимого и ИК-диапазона./Под ред. Киеса, 14., 1985, с. 282.

Полупроводниковые фотоприемники,/

Под ред, В.И.Стафеева, И,, !9849 с,72, 169. (54) СПОСОБ РЕГИСТРАЦИИ ИК-ИЗЛУЧЕНИЯ (57) Изобретение относится к области микрофотоэлектроники„ конкретно к способам регистрации инфракрасного излучения. Целью изобретения является повышение быстродействия. Способ

Изобретение относится к области микрофотоэлектроники, Целью изобретения является повышение быстродействия.

В способе используется излучение с длинами волн, лежащими в области поглощения свободными носителями, вплоть до субмиллиметровых волн. Поглощение излучения свободными носителями заряда приводит к их разогре ву. При этом концентрация носителей тока в полупроводнике остается постоянной, а меняется их распределение по энергии и импульсу. Разогрев носителей тока в подзатворной области приводит к изменению барьерной емкости управляющего затворного контакИзменение барьерной емкости затворного контакта лолевого транзисто„„Я0„„1478918 заключается в том, что регистрируемое излучение с энергией квантов

hh E- где Е вЂ” ширина запрещенной У и зоны полупроводника, лежащей в области поглощения свободными носителями заряда, направляют в подзатворную область полевого транзистора, у которого затвор закорочен с истоком, По току в цепи исток-сток регистрируют излучение. Повышенйе быстродействия обеспечивается тем, что управление током канала осуществляется путем малоинерционного разогрева свободных носителей, изменяющих барьерную емкость затвора, и отсутствует влияние сопротивления в цепи затвора на инерционность фотоответа. ра ведет к изменению сечения и проводимости канала и соответственно к изменению протекающего. в цепи исток-сток тока. Заявляемый способ применим в широком температурном интервале. Высокое быстродействие обеспечивается тем, что разогрев электронной подсистемы отличается малой инерционностью (время релакЫ ,сации носителеи по энергии 1О с). !

Затвор должен быть закорочен с истоком, так как сечение канала и его проводимость управляются не напряжением на затворе, а разогревом носителей излучением."

П р и и е р. Проверка способа была проведена на кремниевых полевых транзисторах КП902, КП903, КП302, КП!03, у которых были удалены корпу1ч 78918 свободных носителей и отсутствует влияние сопротивления затвора на инерционность.

Формула изобретения

"Я 9 где Е вЂ” ширина запрещенной зоны;

Ь вЂ” постоянная Планка; вЂ” частота регистрируемого излучения.

Составитель И.Бурлаков

Техред А.Кравчук Корректор О,Кравцова

Редакто" Т.Врчикона

Заказ 1899 -:. тираж 367 ПодпиСное

ВЙИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР.

113035, Иосква, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 са, В качестве источников излучения были использованы СО -лазеры с длиной волны излучения 10,6 мкм: непрерывный ЛГ22 и импульсный с поперечным разрядом при атмосферном давлении

I (длительность импульса по полушири- не - .O,I5 мкс), Иодуляция излучения непрерывного лазера осуществлялась с помощью злектрооптического моду. вЂ:ятора 1П-7., У,транзисторов заэемляля .,ictoK здмкнутый накОроткО с зат

ЭОPОМ..

Полезный си .нал снимался с сопро-тивления нагрузки 100 аму включенно- 15 г B» цепь стока. При температуре

77 К и -;ас-:.-::-:те модуляции излучения

tl1J U «jyo Tooтв" 11 достигал ро 1 0 мЯ/Ят а пви коi äiëTиой температуре вЂ” Ло в

МБу 8Т. ц ор,.а сиги- па воспроизводил:.: Форму ла - pRQY o импульса, ИСПОЛЬ ОВаНИЕ иэобрЕТЕНИя ГОЗВОЛя

p7 повысив быс;-родействие пои f o з10.":енном „тровне щма олагодаря тому ь -! то упраB3 . <=p."M тОХОм ОСушествля ется пу тем мадопнерв цунного оазогреяа

Способ регистрации ИК-излучения, включающий освещение подэатворной области полевого транзистора с р-ипереходом или диодом Шотки, регистрируемым излучением, оценку интенсивности и временных характеристик по току в цепи исток-сток, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повышения быстродействия, закорачивают затвор с истоком, а ширину запрещенной зоны полупроводниковой подзатворной области выбирают из условия

Похожие патенты:

Фототранзистор // 1407353

Изобретение относится к области фотоэлектроники, в частности регистрации излучения

Фототранзистор // 862753

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к функциональным элементам оптических интегральных схем, и может быть использовано в системах обработки оптической информации, а также в измерительной, вычислительной и усилительной технике

Позищионно-чувствительный фотоприемник // 622368

Полупроводниковый фотоприемник // 528823

Фототриод // 121881

Полупроводниковый микроканальный детектор с внутренним усилением сигнала // 2212733

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, конкретно к полупроводниковым детекторам, и может применяться для регистрации слабых потоков световых квантов, гамма излучения и заряженных ядерных частиц

Измерительная система с полупроводниковым датчиком на основе карбидокремниевого диода шотки // 2224332

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в конструкции измерительной системы (ИС) температуры и/или ультрафиолетового излучения (УФИ)

Интегральная схема оптического датчика вектора перемещения и скорости наблюдаемого объекта // 2232997

Фотолюминесцентный излучатель, полупроводниковый фотоэлемент и оптрон на их основе // 2261502

Полупроводниковый элемент-детектор излучения // 2281531

Датчик оптического излучения и система контроля оптического излучения с его использованием // 2281585

Быстродействующий сверхпроводниковый однофотонный детектор // 2300825

Изобретение относится к устройствам для регистрации отдельных фотонов и может быть использовано в системах оптической волоконной связи, для телекоммуникационных технологий в системах защиты передаваемой информации, диагностике и тестировании больших интегральных схем, в спектроскопии одиночных молекул, астрономии, медицине

Полупроводниковый координатный детектор ионизирующего излучения // 2306633

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к полупроводниковым детекторам ионизирующего излучения, и может быть использовано для регистрации излучений в ядерной физике, медицине, а также в цифровых аппаратах, регистрирующих заряженные частицы и гамма-кванты

Фотодиодный приемник инфракрасного излучения // 2310949

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при создании фотоприемных устройств (ФПУ) для регистрации и измерения инфракрасного (ИК) излучения как в виде одиночных фотодиодов, так и в виде матриц фотодиодов

Фотодиод на антимониде индия // 2324259

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, чувствительным к инфракрасному излучению, и может быть использовано при производстве одноэлементных, линейных и матричных приемников излучения с фоточувствительными элементами - фотодиодами на антимониде индия (InSb)