Патент ссср 155572

 

¹ 155572

Класс G 21; 21g 21,в

СССР

-" хЬя(„

- " В.-1„„.

V4 1;riУ11О "ХИОн,с Г, "6 »О7д

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа ¹ 97

Ф. Ф. Кушнир и Г. В. Спивак

ЭКРАН ДЛЯ ЗАЩИТЬ! ПОВЕРХНОСТЕЙ, НАХОДЯЩИХСЯ

В ГАЗОВОМ РАЗРЯДЕ, OT ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКИ

Заявлено 9 августа 1962 г. за X 803921/26-24 в Комитет по детам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изоогетении и товарных знаков» № 13 за 1963 г.

Предмет изобретения

Экран для защиты поверхностей, находящихся в газовом разряде, от ионной бомбардировки, отличающийся тем, что, с целью упроPi известных устройствах, содержащих газоразрядную плазму, защита поверхностей от ионной бомбардировки осуществляется установKGA перед защищаемыми поверхностями (вплотную к ннм) диэлектрических пластин или установкой перед защищаемыми поверхностями ка1од". проводящего экрана, э.-.ектрически соединенного с анодом.

Предложенный защитный экран выполнен в виде двух нлн более проводящих пластин, укрепленных на диэлектрических держателях и электрически изолированных друг от друга и от электродов.

Конструкция экрана приведена на чертеже, где 1 — катод с держателем, 2 — диэлектрическая пластина, 8, 4 — пластины экрана, 5 — диэлектрическая плита.

Е пластинах имеются отверстия, выполняющие две функции — через них производится откачка и с их помощью дозируется количество плазмы, которое может проникнуть в объем между пластинами.

Благодаря экранирующему эффекту н заряду пластин разряд между пластинами, а следовательно, и между пластинами и катодом отсутстг:ует.

С помощью описанного экрана разряд может быть сконцентрирован va малой поверхности, а остальные поверхности надежно защищаются от ионной бомбардировки из плазмы. № l55572 щения защиты и повьп ения ее эффективности, он выполнен в виде двух или более проводящих пластин с отверстиями в них, причем пластины электрически изолированы одна от другой и от электродов.

Редактор Е. Семанова Техред T. П. Курилко Корректор И. А. Шпынева

Подп. к печ. 25/VII — 63 г. Формат сум 70 )(108 /iq Объем 0 18 изд л

Заказ 1950/18 Тиоахк 1250 Цена 4 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4.

Типография, пр. Сапунова, 2.

Патент ссср 155572 Патент ссср 155572 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к источникам ВУФ-фотонов и химически активных частиц, предназначенным для поверхностной обработки ВУФ-излучением, а также для плазмохимического травления и наращивания материалов на подложках с большой общей обрабатываемой площадью

 // 277962

 // 378996

Изобретение относится к области технической физики, конкретнее к средствам настройки и контроля работы рентгеновских микроанализаторов
Наверх