Патент ссср 158349

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

0HNCAH И Е

ИЗОЬРКтКния

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ № 158M9

Класс 21g, 14в1

ЧПК Н Olj

Заявлено 01.XII.1962 (¹ 806362)24-7) ГОСУДАРСТВЕН Н Ы И

КОМИТЕТ ПО ДЕЛАМ

ИЗОБРЕТЕНИИ И ОТКРЫТИЙ

СССР

УДК

Опуоли<овано 19.Х.1963. Бюллетень № 21

Подписная группа Л 97 С .(Q+ г1ДЯ

ПАТЕИТРОГ;.Х НИЧЕ

Л. Я. Гринберг

УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕГУЛИРОВАНИЯ ГЛУБИНЬ! -ПОГРУЖЕНИЯ ИГНАЙТЕРОВ В РТУТНОМ ВЕНТИЛЕ

Предмет изобретения

Известные устройства для регулирования глубины погружения игнайтеров используют гибкие диафрагмы и позволяют устанавливать один игнайтер.

Предложенное устройство для регулирова,ния глубины погружения игнайтеров в ртут.ном вентиле отличается от известных тем, что к катодному днищу ртутного вентиля приварен гибкий сильфон с катодной вставкой, в которую вмонтированы три расположенные на разных уровнях над ртутью игнайтера и подхватывающий анод. Такое выполнение устройства удлиняет срок службы игнайтеров.

На чертеже изображено описываемое устройство.

Устройство состоит из гибкого сильфона 1, приваренного к катодному днищу вентиля 2.

В сильфон вварена катодная вставка 8 с тремя игнайтерами 4 и подхватывающим анодом

5. Игнайтеры приварены на разных уровнях таким образом, что если самый нижний из них погружен, остальные два находятся над уровнем ртути.

Гибкий сильфон позволяет производить регулировку глубины погружения опущенного в ртуть игнайтера, который является рабочим.

Игнайтеры, находящиеся над ртутью, — резервные. Такое размещение резервных игнайтеров уменьшает интенсивность амальгамирования их и увеличивает срок службы игнайтеров. При выходе из строя одного из игнайтеров растяжением сильфона погружается в ртуть следующий, а вышедший из строя игнайтер погружается глубже в ртуть и т. д.

Устройство для регулирования глуб1п1ы погружения игнайтероB в ртутном вентиле, о тл и ч а ю ш е е с я тем, что, с целью увеличения срока службы игнайтеров, к катодному днищу ртутного вентиля приварен гибкий сильфон с катодной вставкой, в которую вмонтированы три расположенных на разных уровнях над ртутью игнайтера и подхватывающий а иод.

Патент ссср 158349 

 

Похожие патенты:

 // 158957

 // 160233

 // 170128
Наверх