Способ изготовления модуля доменной памяти

Авторы патента:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении модулей запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах /ЦМД/. Цель - повышение производительности изготовления за счет соединения доменосодержащего кристалла и внешних выводов модуля между собой коммутирующими проводниками на полиимидной пленке и заформовки элементов модуля путем литья быстроотверждающегося компаунда. В соответствии с предложенным способом доменосодержащий кристалл и внешние выводы, соединенные между собой коммутирующими проводниками, нанесенными на полиимидную пленку, помещают в литьевую разъемную форму. Сверху на доменосодержащий кристалл и внешние выводы накладывают Е-образное основание так, что в выемке центральной части основания размещается кристалл, а в выемках на периферийных частях основания размещаются внешние выводы. Форму закрывают и осуществляют заформовку элементов модуля быстроотверждающимся компаундом. Использование данного способа изготовления позволяет обеспечить высокопроизводительную технологию и автоматизировать процесс сборки модулей памяти на ЦМД. 4 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) Ai (51) 4 С 11 С 11/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

H А BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1. (21) 4302089/24-24 (22) 01.06.87 (46) 15.11.89, Бюл. )) 42 (72) Э.А. ) егагоина, А.M. Диженков и P.Н. Козловская (53) 681.327.6(088.8) (56) Заявка Японии Р 59-27998, кл. С 11 С 11/14, опублик. 1984.

Патент С11А N 4160274, кл. 365/2, опублик. 1979. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОДУЛЯ ДОМЕННОЙ ПАИЯТИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть .использовано при изготовлении модулей запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Цель изобретения вЂ повышение производительности изготовления за счет соединения доменосодержащего кристалла и внешних выводов модуля между собой коммуИзобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении модулей запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Цель изобретения вЂ” повышение производительности изготовления за счет .соединения доменосодержащего кристалла и внешних выводов модуля между собой коммутирующими проводниками на полиимидной пленке и заформовки элементов модуля путем литья быстроотверждающего компаунда.

2 тирующими проводниками на полиимидной пленке и заформовки элементов модуля путем литья быстроотверждающегося компаунда. В соответствии с предложенным способом доменосодержащий кристалл и внешние выводы, соединенные между собой коммутирующими проводниками, нанесенными на полиимидную пленку, помещают в литьевую разъемную форму. Сверху на доменосодержащий кристалл и внешние выводы накладывают

Е-образное основание так, что в выемке центральной части основания размещается кристалл, а в выемках на периферийных частях основания размещаются внешние выводы. Форму- закрывают и осуществляют заформовку элементов модуля быстроотверждающимся компаундом. Использование данного способа изготовления позволяет обеспечить С, высокопроизводительную технологию и автоматизировать процесс сборки модулей памяти на ЦМД. 4 ил.

На фиг. 1 показаны конструктивные элементы модуля доменной памяти до заформовки:, на фиг. 2 вЂ” чертеж Е-образного основания, состоящего из двух спрессованных плат, на фиг. 3 вЂ” часть разъемной формы с литниковым отверстием на фиг. 4 вЂ” модуль доменной памяти, изготовленный предложенным способом.

Модуль запоминающего устройства на ЦМД (фиг. 1) содержит доменасадержащий кристалл 1, внешние выводы 2, размещенные на полиимидной пленке 3, 1522286 содержащей матрицу 4 коммутирующих проводников для соединения доменосодержащего кристалла и внешних выводов, Е-образное основание 5 с прорезью б на торце центральной части с

5 выемками 7 на периферийных частях для размещения внешних выводов; на фиг. 1 вЂ” часть. разъемной формы 8 с лит-: никовым отверстием 9. 1О

Е-образное основание (фиг. 2) имеет.выемку 10 для фиксации доменосодержащего кристалла и прорези 11, в которые входят выступы 12 части разъемной .формы (фиг. 3) при заформовке компаундом.

В разъемной форме предусмотрены знаки 13 (фиг. 4) для фиксации положения полиимидной пленки с размещенными на ней доменосодержащнм кристал.лом и внешними выводамй относительно

Е-образного основания.

Р!зготовление модуля доменной памяти осуществляют следующим образом.

Доменосодержаший .кристалл 1 и внешние выводы 2 приваривают к основаниям коммутационных проводников 4, сформированных на полнимидной пленке 3 (фиг. 1), методом ультразвуковой сварки. Узел, состоящий из кристалла 1 с ЦИД, внешних выводов 2 и полиимидной.пленки 3 с коммутирующими.проводниками 4, помещают в одну из частей .разъемной формы 8 (фиг. 3,4).

Сверху на этот узел устанавливают прочиое Е-образное осйование 5 (фиг. 1,2,4), состоящее из двух спрессованных плат. Доменосодержащий, . кристалл 1 размещают .в выемке 10 основания.

Форму 8 закрывают второй частью (фиг. 4), стягивают,с -помощью пресса литьевого автоматизированного устройства и нагревают до температуры

1-30-140 С. Через литниковые отверстия 9» расположенные соосно с про- 45 резью 6 s основании 5 (фиг. 1,3) впрыскивают быстроотверждающийся компаунд, нагретый до температуры на

15-20 С ниже температуры формы 8. Начальное давление вспрыска компаунда 50 не превышает 5 Па, à к концу процес-, са оно плавно повышается до 20-25 Па.

После окончания процесса желатиниэации через 5-15 мин форму 8 раскрывают и из нее извлекают заформованный модуль. Компаунд выполняет роль связующего конструктивные элементы модуля компонента, изолирует коммутирующие проводники на полиимидной пленке и защищает доменосодержащий кристалл от внешних воздействий и проникновения влаги.

Таким образом, использование данного способа изготовления модуля доменной памяти обеспечивает повышение производительности изготовления и позволяет автоматизировать все операции сборки: сварку внешних выводов и контактов доменосодержащего кристалла с проводниками на полиимидной пленке и эаформовку всех элементов модуля путем литья быстроотверждающегося компаунда.

Формула изобретения

Способ изготовления модуля доменной памяти, основанный на фиксации доменосодержащего кристалла в выемке, находящейся в центральной части Е-образного основания, защите основания и доменосодержащего кристалла изолирующими пленками, о т л и ч а ющ и,й с я тем, что, с целью повышения производительности изготовления, доменосодержащйй кристалл и внешние выводы, соединенные между собой коммутирующими проводниками, нанесенны" ми на полиимидную пленку,.помещают в литьевую разъемную форму, сверху на доменосодержащий кристалл и внешние выводы накладывают Е-образное основание так, что в выемках на периферийных частях Е-образного основания размещаются внешние выводы,апрорезь, . находящаяся на торце централь= ной части Е-образного основания, размещается соосно,с литниковым отверстием в литьевой форме, форму закрывают и производят соединение Е-образного основания с полиимидной пленкой, доменосодержащим кристаллом и внешними выводами путем заформовки быстроотверждающимся компаундом.

1522286

Составитель В. Топорков

Редактор М.Товтин Техред М. Ходанич

Корр е к тор О. Кра в цова

Заказ 6970/50 Тираж 558 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издател .кий комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101

Способ изготовления модуля доменной памяти

Похожие патенты:

Элемент памяти // 1522285

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств, устройств бесконтактного ввода информации в ЭВМ и др

Устройство для ассоциативного поиска информации // 1520594

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для ассоциативного поиска информации в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) и вертикальных блоховских линиях (ВБЛ)

Способ л.в.гловацкого записи информации в доменное запоминающее устройство и доменное запоминающее устройство // 1520593

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании доменных запоминающих устройств

Устройство для считывания информации из накопителя доменной памяти // 1515943

Изобретение относится к вычислителы1П11 технике и может бьт, использовано при иострпснии таноминлюших УСТрОЙСТП на ИИ-ЧЧПЛРИЧСГКИХ МШ ЧИТИЫХ домсплк, наксититпли которых содс ржат в Tpaine cMiiTi.inainiH рабочей и комненсацио11Н.П1 длтчяки

Способ определения температуры компенсации момента импульса в доменосодержащих пленках // 1513518

Изобретение относится к области вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Структура для продвижения цилиндрических магнитных доменов // 1513517

Изобретение относится к области функциональной электроники и может быть использовано в устройствах памяти на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Носитель информации // 1513516

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на основе магнитных пленок с плоскими магнитными доменами

Способ измерения неоднородности доменосодержащей пленки // 1513515

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке магнитооптических управляемых транспортеров

Формирователь импульсных последовательностей для контроля запоминающих модулей на цилиндрических магнитных доменах // 1513514

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Резонансный формирователь вращающегося магнитного поля для доменной памяти // 1506480

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)