Способ обработки алмаза

 

Способ обработки алмаза, включающий контактирование его при 600-1800oC с шаблоном, выполненным из материала, растворяющего углерод при этой температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения четкости рисунка на алмазе, наносимого с помощью шаблона, упрощения процесса и расширения области применения, процесс ведут в закрытом объеме в присутствии графита, который берут в количестве 0,26-500 г/дм3.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к обработке кристаллов, а именно к технологии травления кристаллов кварца

Изобретение относится к обработке кристаллов, может найти применение для определения толщины нарушенных слоев, образующихся при полировке кристаллов, и позволяет повысить точность определения толщины микронных и субмикронных слоев

Изобретение относится к области нелинейной техники и может быть использовано для изготовления параметрических преобразователей частоты оптического излучения (ППчОИ), обеспечивает повышение выхода преобразователя

Изобретение относится к способам повышения оптической и механической прочноаи монокристаллических материалов, используемых в лазерном гр1бороа|эоении, и поздоляет повысить механическую и лазерную прочность

Изобретение относится к способам получения синтетических алмазов и может быть использовано в абразивной проьышленности

Изобретение относится к синтезу легированных алмазов и обеспечивает повышение выхода легирован гьгх алмазов за счет смешения и измельчения углеводородсодержащего материала (дифенил, нафталин, антрацен, толан или адамантан) с 0,001-30 мас.% органического соединения, выбранного из группы: нафтиламин, дефиниламин, аминотетразол, изопропечил-ортокарборан, ортокарборан, трифенилфосфин

Изобретение относится к получению поликристаллического алмаза и rJ алшт-1нт т 6ИБЛИ01 -;А позволяет повысить механическую прочность (микротвердость) и удельное электросопротивление

Изобретение относится к области получения материалов для синтеза сверхтвердых поликристаллов, в частности к получению аморфных нитрида бора или графита, и может быть использовано для создания полупроводниковых устройств на основе этих материалов

Изобретение относится к взрывному синтезу алмазов и может быть использовано для синтеза алмаза непосредственно в процессе детонации углеродсодержащего взрывчатого вещества с отрицательным кислородным балансом (BB) и дальнейшего разлета продуктов взрыва
Наверх