Способ получения полупроводниковых структур арсенида галлия

Авторы патента:

H01L21/263 - с высокой энергией (H01L 21/261 имеет преимущество)

Способ получения полупроводниковых структур арсенида галлия, включающий ионное легирование пластин из арсенида галлия, отжиг путем облучения пучком электронов и последующее охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур за счет снижения температуры отжига, облучение проводят электронами с энергией более 330 кэВ в течение 8-14 с и прекращают при температуре пластин 490-600^oC.

Способ изготовления мдп-транзисторов // 1499614

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления МДП- транзисторов интегральных микросхем

Способ радиационной обработки арсенидгаллиевых свч полевых транзисторов // 1468318

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам радиационной обработки арсенидгаллиевых СВЧ полевых транзисторов

Способ изготовления мдп бис // 1384106

Изобретение относится к микроэлектронике

Способ геттерирования атомов тяжелых металлов и дефектов в полупроводниках // 1313254

Изобретение относится к технологии очистки полупроводниковых материалов и приборов от рекомбинационно-активных примесей

Способ отжига дефектов в кремнии // 1253380

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых материалов, в частности к способам отжига радиационных дефектов, полученных ионной бомбардировкой, и способам отжига ростовых дефектов, полученных при выращивании кристаллов

Способ изготовления быстродействующих мощных тиристоров // 1151148

Способ изготовления планарных полупроводниковых приборов и интегральных схем // 1102416

Способ получения ядерно легированного германия // 1100959

Способ обработки структур кремний-двуокись кремния // 1031367

Способ изготовления биполярных полупроводниковых приборов // 2100871

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Способ обработки лавинных диодов // 2100872

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Способ регулирования величины заряда обратного восстановления полупроводниковых приборов с заданной точностью // 2110113

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов

Способ легирования полупроводниковых пластин // 2111575

Изобретение относится к технике, связанной с процессами легирования и диффузии примесей в полупроводники и металлы, а именно к способам диффузионного перераспределения примеси с поверхности по глубине полупроводниковых пластин путем обработки в потоке электронного пучка, и может быть использовано в пространстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Способ формирования проводящей структуры // 2129320

Изобретение относится к технологии создания сложных проводящих структур с помощью потока заряженных частиц и может быть использовано в микроэлектронике для создания сверхминиатюрных приборов, интегральных схем, запоминающих устройств и оптических элементов

Способ получения кремниевых наноструктур // 2153208

Способ снижения концентрации радиационных дефектов в нейтронно-легированном кремнии при импульсном облучении // 2162256

Мощный полупроводниковый резистор и способ его изготовления // 2169411

Способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния // 2193609

Способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния // 2193610

Изобретение относится к технологии нейтронно-трансмутационного легирования (НТЛ) кремния при промышленном производстве на энергетических реакторах типа РБМК, широко применяемого в технологии изготовления приборов электронной и электротехнической промышленности