Способ получения люминесцирующей кристаллической окиси цинка

 

Изобретение относится к химической промышленности, в частности к способу получения кристаллической окиси цинка, которая может быть использована при производстве люминофоров, в электрофотографии, для приготовления пигментов и композиций. Цель изобретения - повышение интенсивности люминесценции. Окись цинка обрабатывают в парах воды при 380-450°С и давлении 100-300 атм в присутствии хлорида цинка в количестве 0,05-5,00% от веса окиси цинка. Получена кристаллическая окись цинка с высокой интенсивностью люминесценции в зеленой области спектра. 1 ил., 1 табл.

СОНИ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

А1 (gg)g С 30 В 7/10, 29/16

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

fl0 ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСЛНИК ИЭ0БРЯТЬНИЯ

Н АВТОРСКОМ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4335980/31-26 (22) 02.12.87 (46) 30.04.90. Бюл. 1Ô 16 (71) МГУ им. М.В. Ломоносова (72) М.Н. Данчевская и Ю.Д. Ивакин (53) 521.315.592 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

М 983812, кл. Н 01 J 9/22, 1981. на 2Х от веса ZnO. Вкладыш помещают в автоклав объемом 1 л, который нагревают до 400 С и выдерживают при данной температуре 24 ч. Затем автоклав охлаждают до комнатной температуры, вскрывают и выгружают продукт.

Конечный продукт представляет собой кристаллическую окись цинка с размером зерен .2-8 мкм и габитусом бипираьщцы, люминесцирующую в зеленой области спектра.

Результаты проведения процесса при различных значениях параметров приведены в таблице.

Проведение обработки окиси цинка в парах воды в присутствии ZnCl< в предлагаемых пределах параметров процесса позволяет осуществить 1007-е превращение окиси цинка и получить люминофор с высокой интенсивностью свечения. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛЮМИНЕСЦИРУЮЩЕЙ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ОКИСИ ЦИНКА (57) Изобретение относится к химичес,кой промьппленности, в частности к

Изобретение относится к химической промышленности, в частности к способу получения люминофоров на основе окиси цинка, и может быть использовано при производстве люминофоров, в электрофотографии, для приготовления пигментов и композиционных материалов.

Целью. изобретения является повышение интенсивности люминесценции.

На чертеже представлены спектры люминесценции окиси цинка, где Х— относительная интенсивность; % — длина волны. Кривая 1 соответствует спектру люминесценции окиси цинка, полученной по предлагаемому способу, кривая 2 — ло способу-прототипу.

Пример 1. 100 r окиси цинка помещают во вкладыш автоклава и заливают 200 см 17.-ного водного раствора ZnCLg . Концентрация ZnC1 рав2 способу получения кристаллической окиси цинка, которая может быть использована при производстве люминофоров, в электрофотографии, для приго" товления пигментов и композиций. Цель изобретения — повышение интенсивности люминесценции. Окись цинка обрабатывают в парах воды при 380-450 С и давлении 100-300 атм в,присутствии хлорида цинка в количестве 0,05-5,00Х от массы окиси цинка. Получена кристаллическая окись цинка с высокой интенсивностью люминесценции в зеленой области спектра. 1 ил., 1 табл.

1560644

Формула изобретения с целью повышения интенсивности люминесценции, териообработку ведут в парах воды при температуре 380о

450 С и давлении 100-300 атм в присутствии ЕпС1 в количестве 0,055,007. от веса ZnO.

Способ получения люминесцирующей кристаллической окиси цинка путем ее термообработки и активной среде, отличающийся тем, что, 0 @бд ббб ЯУ бдФ бЯ д,дн

Составитель Е. Лебедева

Техред А. Кравчук

Корректор М. Пожо

Редактор А. Лежнина

Заказ 956 Тираж 342 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101

Предлагае-. мый .1

3

5

7

9

11

Прототип

0,13

0,73

0,43

0,05

2,3

1,5

5,0

0,01

2,1

2,1

499

800.300

280 ,250

150 ,100

?80

190 ,350

24

24

48

72

7-2

42

42

24

1,2

1,5

1,4

1 06

1,3

1,1

1,1

06

0,8

0,04

0,8

1,0

Способ получения люминесцирующей кристаллической окиси цинка Способ получения люминесцирующей кристаллической окиси цинка 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов соединений со структурой эвлитина, в частности монокристаллов ортогерманата висмута Bi4Ge3O12, которые широко используются в качестве сцинтилляционных детекторов гамма-излучения, электронов, мезонов и других элементарных частиц в ядерной физике, гамма-астрономии, космических исследованиях, геофизике (гамма-каротаж скважин при разведке месторождений полезных ископаемых), в ядерной медицине (рентгеновская и позитронная компьютерная томография)

Изобретение относится к росту кристаллов, конкретно - к получению эпитаксиальных пленок оксидов металлов, обладающих стабильностью термоэлектрических свойств при высоких температурах, и позволяет повысить термическую устойчивость пленок за счет улучшения их структуры до эпитаксиальной
Наверх