Способ закрепления барьерной пленки на поверхности микроканальной пластины

 

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 Н 01,Х 9,/12

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГИНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ -... ;,,

И АВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (46) 5.06.92.Бюл. № 22 (21) 43221?О/21 (22) 02.11.87 (71) Ленинградский институт точной механики и оптики

{72) Б. Н. Смирнов, С.Н.Лещиков, В.П.Денисов и Л,В.Александров (53) 621, 387. 3 (088,8) (56) Авторское свидетельство СССР

¹ 725517, кл. Н 01 J 9/12, 11.10.78..

Авторское свидетельство СССР № 1264761, кл. Н 01 3 9/12,05.10.89. (54) СПОСОБ ЗАКРЕПЛЕНИЯ БАРЬЕРНОЙ .

ПЛЕНКИ НА ПОВЕРХНОСТИ МИКГОКАНАЛЬНОЙ . ПЛАСТИНЫ . (57) Изобретение относится к области электронной техники, в частности к технологии изготовления электронных умножителей на основе микроканальиых пластин (МКП). Цель изобретения — поИзобретение относится к электронной технике, а более конкретно к тех" нологии изготовления электронных ум.ножителей на основе микроканальйых пластин (МКП), и может быть использовано во всех областях народного хозяйства, где необходимы усиление и регистрация потоков различных излучений.

Целью изобретения является повыше-: н.. выхода годных пластин за счет уь., ньшения нарушений вторично-эмиссионных свойств каналов и порывов ба- рьерной пленки, а также снижение опе-рационного времени.

Изобретение заключается в том, что закрепляют барьерную пленку на поверхности МКП, для чего размещс-.."™. ;ИМ в

„.,Я0„„1563485 A 1 вышение выхода годных пластин за счет уменьшения нарушений вторично-эмиссионных свойсTD каналов ипорывов барьерной пленки, а также снижение операционного времени. Изобретейие заключается в том, что закрепляют барьерную пленку нэ поверхности МКП, для чего размещают МКП в вакуумной камере в среде .разреженного. воздуха, располагают параллельно ей двухслойную пленку на держателе, состоящую из органической основы с напыпенным на нее слоем исходного для барьерной пленки мате риала, совмещают пленку с поверхностью

МКП и зажигают нормальный тлеющий разряд между держателем и катодом с областью отрицательного тлеющего све-. чения в плоскости держателя в тЕчение

3...6 мин при катодной плотности тока

0,5...20 мА/см .1 з.п. ф-лы,. 1 ил. (, вакуумной камере в среде разреженно- ©Д го воздуха, располагают параллельно ей двухслойную пленку на держателе, .состоящую из органической основы, с на. — р„ пыпенным на нее слоем исходного для gg барьерной пленки материала, совмещают © пленку с поверхностью МКП и зажигают нормальный тлеющий разряд между держателем и катодом с областью ".;-пцательного тлеющего свечения в плоскости держателя в течение 3...6 мин при катодной плотности тока 0,5...

° ааЭь

20 мА/см"

Граничное значение плотности тока разряда в предложенном способе 0,52,0 мА/см ограничено сверху (2 мА/см ) тем, что при больших плотностях тока

156 3485 удаление органической основы двухслойной пленки с одновременным разрушением слов исходного материала носит вэрь1вной характер. Ограничение плот5 ности тока разряда снизу (0,5 мА/см ) обусловлено двумя причинами! с одной стороны, уменьшением скорости оксиди25 qa 10 А/мин, с другой стороны, образованием более рыхлого Щ т.е, гаэопроницаемого, окисла.

Время горения разряда должно быть не менее 3 мин, поскольку эа меньшее время не происходит полного выгораиия органической основы двухслойной плен- 15 ки и оксидирования материала барьерной пленки., Увеличение времени горения разряда выше 6 HHIt приводит толь ко к увеличению операционного време" ни, поскольку к этому моменту процес-- 20 сы, происходящие в пленке, полностью заканчиваются„

Б силу строения молекулы полимерных лаков пленки толщиной менее

0,5 мкм, полученные иа их основе,об- 25 лапают сквозными каналами. Пленки толщиной более 1 мкм обладают достаточной упругостью и плохо прилегают к пои рхности ИКП и иачальньп| момент, что пальнеГппем при выжигании приводит 30 к дефектам в виде трещин.

На чертеже представлено устройство для реализации описанного способа.

Устройство представляет собой раз" рядную камеру, состоящую иэ основания.3g

1, стекпянного цилиндра 2 с катодом

3, держателя 4 и подвижного столика

5. На столике, который выполнен с возможностью вертикального перемещения, находится МКП 6. Двухслойная пленка 40 (слой 7 исходного материала барьерной пленки, органическая основа 8) закреплена в держателе 4. Напряжение к дер" жателю 4 подводится через гоковвоц 9.

Устройство работает следующим об- 45 разом.

Откачкой в разрядной камере создается давление 2-20 Па. В исходном сос" тояиии столик 5 с МКП 6 находится в крайнем нижнем положении. Затем сто- щ> лик 5 поднимается до полного совмещеая поверхностей МКП 6 и слоя 7 исходного материала двухслойной пленки, (1еобходнмость вертикального перемещения столика 5 вызвана возможным появлением морщин на двухслойной пленке при ее неточном опускании на поверхность МКП 6. Исходное расстояние межqy столиком 5 и двухслойной пленкой может быть любьпч. Например, при рас" стоянии 20-30 мкм можно в случае необходимости производить ионную чистку в разряде соприкасающихся поверхностей исходного материала и поверхности ИКП 6.

После совмещения поверхностей МКП

6 и слоя исходного материала двух-. слойной пленки в .зазоре между держа" телем 4 и катодом 3 зажигают нормаль- ный тлеющий разряд с плотностью тока

0,5-2,0 мЛ/см и областью отрицательного тлеющего свечения в плоскости держателя 4. При этом приповерхностный слой органической основы 8 двухслойной пленки со стороны катода заряжается и под действием cHJt электрического поля прижимает к входной поверхности ИКП 6 слой исходного материала. Чере= 30-60 с органическая основа 8 двухслойной пленки выжигаетая в результате взаимодействия с ионами .кислорода, а алюминиевая пленка 7 удерживается на поверхности МКП 6 за счет сил межмолекулярного взаимодействия. Еще через 2-5 мин разряд выключается, и МКП с нанесенной на ее поверхность барьерной пленкой извлекается из камеры.. За указанный промежуток времени происходит оксидирование слоя металла.

Следует заметить, что если в качестве барьерной пленки необходимо использовать слой металла, то разряд выключается через 30-60 с, т.е. после удаления органической основы 8 двухслойной пленки, В качестве конкретного примера осу" ществления способа предлагается способ закрепления барьерной пленки из

А1 0 на.поверхности NKII диаметром

32 мм.

Двухслойную пленку изготавливают следующим образом.

В стаканчик диаметром л400 мм и глубиной 20-40 мм наливают деионизованную воду. Затем на поверхность во. ды из шприца с высоты 2-3 см капают каплю дока. В качестве лака могут быть использованы полимерные лаки на основе нитрата целлюлозы, например лак при следующем процентном соотношении компонентов: целлюлоидный коллоксилии

4,25, дибутилфталат 1,8j бугилацетат

78,65, изобуйиловый спирт 6,8; анизол

8„5, После растекания лака по поверхности воды и высыхания в течение 49прототипе. Кроме того, в сипу эластичности органических соединений они устойчивы к откачке и включению раз5 ряда, поэтому при закреплении барьер- > ной пленки предлагаемым способом выход годных узлов в среднеи выше на

15Х.!, Способ закрепления барьерной пленки на поверхности микроканальной пластины, заключающийся в размещении микроканальной пластины в вакуумной камере, в среде разреженного воздуха, расположении параллельно ей пленки на держателе и зажигании в камере нормального тлеющего разряда, о т л и— ч а.ю шийся тем, что, с целью повыпения выхода годных за счет уменьшения нарушений вторично-эмиссионных свойств каналов и порывов пленки, а также операционного времени, используют двухслойную пленку из органической основы с нанесенным на нее слоем исходного материала для барьерной пленки, пленку совмещают исходным материалом с поверхностью микрока нальной пластины, а нормальный тлеющий разряд формируют между держателем и катодом с областью отрицательного тлеющего свечения. в плоскости держателя в течение 3...6 мин при катодной плотности тока 0,5...2,0 мА/см

2. Способ по п. 1, о т л и ч.а вшийся тем, что в качестве органической основы двухслойной пленки используют полимерный лак на основе нитрата целлюпозы толщиной 0,5...

1,0 мкм.

60 с на поверхность лаковой пленки опускают держатель 4. При помощи пинцета по внешнему диаметру держателя обрывают органическую пленку. Затем держатель 4 е органической пленкой вынимают из стаканчика и высушивают в течение 15 мин при 60-65 С. После этого на напыпительной установке через маску методом термического ис- !ð Ф о р м у л а и з о б р е т е н н я парения в вакууме наносят пленку алюминия (йсходного материала для барьер-. ной пленки) толщиной 80 А и диаметром 31 мм.

Подученную таким образом двухслойную пленку помещают в специальное углубление держателя 4. В разрядной камере создают давление .!О Па. Столик

5 поднимают до совмещения поверхностей МКП 6 и слоя алюминия двухспой- 20 ной пленки. Затем между держателем

4 и катодом 3 зажигают нормальный тлеющий разряд с плотностью тока

1,5 мА/см .Через 4 мин 20 с разряд выключают и МКП с нанесенной на ее 25 поверхность пленкой окиси алюминия извлекают из камеры.

При нанесении барьерной пленки предлагаемым способом отпадает необ-. ходимость работы на воздухе с тонкивы 30 о /

{ 100 А) пленками диаметром 28-60 мю, что является весьма трудоемким нро;. цессом с низким процентом выхода.

Предлагаемым способом можно наносить на поверхность ИКП не только ди- :35 электрические, но и металлические пленки. Оперирование с барьерной ппеккой, находящейся на подложке, значительно проще, чем со свободной ппеа- кой. Выход непосредственно барьерных ф> пленок примерно на 20Х выше, чем в I 563485

Составитель С.Стрелков

Редактор T.Þð÷èêîâà Техред И.Ходаннч Корректор 3. Лончакова

» «» ° «Ю «&&«&»&&&«»& М «» Ф Ы

° ° «» Ю««

3аказ 2810 . Тираж 250 йодписное

38ИИПИ Государственного комитета по изобретениям .и открытиям при ГКНТ СССР

113035; Москва, Ж-35, Раушскаа наб., д. 4/5

Ф6&»& ° производственно- издательский комбинат "Патент", r Укгород, ул. Гагарина, 101

Способ закрепления барьерной пленки на поверхности микроканальной пластины Способ закрепления барьерной пленки на поверхности микроканальной пластины Способ закрепления барьерной пленки на поверхности микроканальной пластины Способ закрепления барьерной пленки на поверхности микроканальной пластины 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано, например, в аппаратуре для каротажа нефтяных и газовых скважин
Изобретение относится к электровакууммой технике

Изобретение относится к электронной технике, в частности к изготовлению фотокатода фотоэлектронного прибора, используемого для геофизических исследований глубоких скважин

Изобретение относится к области электронной техники и быть использовано в мякроканальных фотоэлектронных умножителях; Цель изобре-геняя - распмрение функциональных возможностей

Изобретение относится к электронной технике, в частности к полупрозрачным фотокатодам на основе соединений АIIIBV и способам их изготовления
Изобретение относится к получению паров щелочных элементов, в частности к источникам паров калия, рубидия и цезия, которые используются при изготовлении эммитеров в термоэмиссионных и электронно-оптических преобразователях

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции катодных узлов на основе металлического эмиттера

Изобретение относится к технике высоких напряжений, в частности к области электрической изоляции в вакууме, и может быть использовано в электронной промышленности для повышения качества микроканальных фотоэлектронных приборов

Изобретение относится к фотоэлектронным приборам, а более конкретно к технологии изготовления фотокатода

Изобретение относится к области электротехники, в частности к способу одновременного активирования нескольких фотокатодов, которые используются в электронно-оптических преобразователях (ЭОП), фотоэлектронных умножителях, счетчиках фотонов и других фоточувствительных приборах

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способу изготовления многощелочного фотокатода в индивидуальном стеклянном вакуумном баллоне, так называемом контейнере
Изобретение относится к пленочной технологии и может быть использовано в производстве фотоэлектронных электровакуумных приборов (ФЭП), в частности для формирования подложки к фоточувствительному слою фотокатодов

Изобретение относится к пленочной технологии и может быть использовано в производстве фотоэлектронных электровакуумных приборов (ФЭЦ), в частности для формирования фоточувствительных слоев фотокатодов
Наверх