Способ определения параметров глубоких уровней в полупроводниках
1. Способ определения параметров глубоких уровней в полупроводниках, заключающийся в том, что к образцу прикладывают постоянное напряжение смещения различной величины, формирующее область обеднения, пропускают через образец высокочастотный ток с заданной амплитудой, прикладывают к образцу низкочастотное напряжение с частотой 
, вызывающее амплитудную модуляцию глубины области обеднения, регистрируют высокочастотное напряжение на образце, по которому определяют глубину области обеднения, выделяют огибающую этого сигнала, определяют ее квадратурную составляющую посредством синхронного детектирования на частоте , изменяют температуру образца, проводят измерения при нескольких частотах модулирующего напряжения и определяют расчетным путем параметры глубоких уровней основных носителей заряда, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности определения параметров глубоких уровней неосновных носителей заряда, повторяют все вышеуказанные измерения, используя в качестве сигнала, вызывающего низкочастотную модуляцию высокочастотного напряжения, импульсы света с энергией квантов h
Eg, где Eg - ширина запрещенной зоны полупроводника, и по полученным результатам определяют расчетным путем параметры глубоких уровней неосновных носителей заряда.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности при определении параметров глубоких уровней в низкоомных полупроводниках, в качестве сигнала высокочастотного напряжения регистрируют емкостную компоненту высокочастотного напряжения.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности определения параметров глубоких уровней в высокоомных полупроводниках, в качестве сигнала высокочастотного напряжения регистрируют активную компоненту высокочастотного напряжения.
