Способ изготовления полевых транзисторов с изолированным затвором

Авторы патента:

Румак Н.В.

Тишкевич Г.И.

Хатько В.В.

Куксо В.В.

Пекуров В.С.

Канищев А.Ф.

H01L29/76 - униполярные приборы

Способ изготовления полевых транзисторов с изолированным затвором, включающий формирование на полупроводниковой подложке областей исток - сток, нанесение подзатворного диэлектрика, создание области высокоомного канала в подзатворном диэлектрике, образование затвора, контактов к областям истока - стока, дополнительных контактов к области высокоомного канала, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов путем улучшения однородности высокоомного канала, после образования дополнительных контактов к области высокоомного канала проводят электротренировку в течение 32-66 с при заземленном затворе, положительном напряжении на истоке с напряженностью поля (1,6-2,8) МВ·см^-1 и отрицательном напряжении на стоке с напряженностью поля 0,2-1,1 МВ·см^-1.

Полевой транзистор с планарным легированием // 1389611

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний

Полупроводниковый преобразователь // 1246833

Полупроводниковый прибор // 1031378

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в схемах управления в качестве программируемого источника ограничительного напряжения

Силовой полупроводниковый прибор с полевым управлением // 1001830

Полупроводниковый прибор // 997581

Тестовая мдп структура // 884508

Фототранзистор // 862753

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к функциональным элементам оптических интегральных схем, и может быть использовано в системах обработки оптической информации, а также в измерительной, вычислительной и усилительной технике

Полупроводниковый прибор // 858493

Полупроводниковый прибор с зарядовойсвязью // 824346

Устройство считывания для двумерных приемников изображения // 2111580

Изобретение относится к интегральной микроэлектронике и может быть использовано в системах обработки оптической информации

Устройство считывания на приборах с зарядовой связью для двухмерных приемников изображения // 2119697

Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и может быть использовано в системах обработки оптической информации

Конструкция ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями // 2156013

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Моп-транзистор с высоким быстродействием и с высокой производительностью и способ его изготовления // 2197769

Планарный электронный эмиттер (пээ) // 2224327

Изобретение относится к электронной технике

Устройство полевого моп-транзистора и способ его изготовления // 2245589

Многоканальное устройство считывания для фотоприемников // 2357323

Изобретение относится к интегральной микроэлектронике и предназначено для предпроцессорной обработки фотосигналов

Прибор с резким переходом металл-изолятор с параллельными проводящими слоями // 2392692

Изобретение относится к прибору с резким ПМИ (переходом металл-изолятор) с параллельными проводящими слоями

Ячейка памяти на базе тонкослойной наноструктуры // 2444806

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании интегральных схем памяти с элементами нанометровых размеров

Способ изменения проводимости канала исток - сток полевого транзистора // 2007785

Изобретение относится к электронной технике, к униполярным полупроводниковым приборам, управляемым электрическим полем