Способ осаждения пленок поликристаллического кремния

Авторы патента:

H01L21/205 - разложением газовой смеси с выходом твердого конденсата или химическим осаждением

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку подслоя кремния толщиной 30-50 нм пиролитическим разложением моносилана при температуре 550-600°С, последующее доращивание подслоя до получения пленки поликристаллического кремния при температуре 600-650°С до заданной толщины, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок путем снижения в них уровня механических напряжений при одновременном снижении трудоемкости, подслой осаждают при давлении 2,66-13,3 Па.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности МДП - транзисторов на подложке арсенида галлия

Способ получения эпитаксиальных структур на основе арсенида галлия // 1591751

Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния // 1588202

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния // 1584641

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния // 1568798

Эпитаксиальный реактор // 1541689

Изобретение относится к электронной технике, в частности к установкам эпитаксиального наращивания монокристаллических слоев полупроводниковых материалов на монокристаллические подложки методом газофазного осаждения

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния на полупроводниковую подложку // 1484193

Способ изготовления кремниевых структур // 1316486

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых структур, в частности к технологии изготовления кремниевых структур

Способ изготовления полупроводниковых структур // 1264440

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при производстве кремниевых эпитаксиальных обращенных структур

Способ получения эпитаксиальных слоев сульфида кадмия из газовой фазы // 1256608

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано для получения эпитаксиальных слоев сульфида кадмия из газовой фазы

Способ формирования пленки карбида кремния на подложке // 2100870

Способ получения сплошной пленки с алмазоподобной структурой и устройство для его осуществления // 2105379

Устройство для автоматизированного газофазного наращивания // 2143155

Изобретение относится к технологическому оборудованию для автоматизированного производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, в частности к устройствам газофазного наращивания слоев при быстром термическом воздействии

Способ получения тонких пленок многокомпонентных твердых растворов // 2156518

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых тонких пленок многокомпонентных твердых растворов и может использоваться при выращивании тонких пленок контролируемого состава, в том числе эпитаксиальных, из паровой фазы на разнообразных подложках

Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния и реактор для его осуществления // 2162117

Способ получения композиционных металлокерамических мембран cvd-методом и устройство для его реализации // 2164047

Способ получения пленки аморфного гидрогенизированного кремния // 2168795

Способ нанесения пленок аморфного кремния и устройство для его осуществления // 2188878

Изобретение относится к технологии получения пленок аморфного кремния

Способ и устройство для изготовления тонкой полупроводниковой пленки // 2189663

Тонкие пленки гидрогенизированного поликристаллического кремния и технология их получения // 2227343

Изобретение относится к новым материалам электроннной техники и технологии его получения