Способ возведения круглого в плане подземного сооружения

 

Изобретение относится к возведению круглого в плане подземного сооружения и позволяет снизить материалоемкость сооружения за счет обеспечения равномерности обжатия его грунтом в процессе возведения. При возведении сооружения разрабатывают траншею под защитой тиксотропного раствора и затем устраивают в этой траншее стеновое ограждение 2. После возведения стенового ограждения разрабатывают дополнительные выемки в виде траншей 3 или скважин 4 вокруг стенового ограждения. После этого производят разработку грунтового ядра 5 и бетонирование днища сооружения. При этом выемки размещают на расстоянии от траншеи, равном 10-20 м, и на расстоянии друг от друга, не превышающем меньшего из значений длины выемки или удвоенного расстояния между траншеей и выемкой. 8 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (111 (51) 5 Е

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

H ABTGPCHGMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4453175/23-33 (22) 01.07.88 (46) 15.10.90. Бюл. № 38 (71) Проектный и научно-исследовательский институт «Харьковский Промстройниипроект» (72) И. Я. Лучковский, Г. С. Лекумович и Э. Ю. Малый (53) 624.134 (088.8) (56) Зубков В. М. и др. Подземные сооружения, возводимые способом стена в грунте, Л.: Стройиздат, 1977, с. 6 — 8. (54) СПОСОБ ВОЗВЕДЕНИЯ КРУГЛОГО

В ПЛАНЕ ПОДЗЕМНОГО СООРУЖЕНИЯ (57) Изобретение относится к возведению круглого в плане подземного сооружения и позволяет снизить материалоемкость сооружения за счет обеспечения равномерности обжатия его грунтом в процессе возведения. При возведении сооружения разрабатывают траншею под защитой тиксотропного раствора и затем устраивают в этой траншее стеновое ограждение 2. После возведения стенового ограждения разрабатывают дополнительные выемки в виде траншей 3 или скважин 4 вокруг стенового ограждения. После этого производят разработку грунтового ядра 5 и бетонирование днища сооружения. При этом выемки размещают на расстоянии от траншеи, равном

10 — 20 мм, и на расстоянии одна от другой, не превышающем меньшего из значений длины выемки или удвоенного расстояния между траншеей и выемкой. 8 ил.

1599476

Изобретение относится и строительству, в частности к возведенкчо круглого в плане подземного сооружения.

Цель изобретения — снижение материалоемкости сооружения за счет обеспечения равномерности обжатия его грунтом в процессе возведения.

На фиг. 1 показана разработка в грунте траншеи под защитой тиксотропного раствора; на фиг. 2 — разрез А — А на фиг. 1 на фи г. 3 — бетонирование стен 10 сооружения; на фиг. 4 — разрез Б — Б на фиг. 3; на фиг. 5 — разработка выемок (траншей или скважин) вокруг стен сооружения; на фиг. 6 — разрез  — В на фиг. 5; на фиг. 7 — разработка грунто- .15 вого ядра внутри стен сооружения; на фиг. 8 — разрез à — Г на фиг. 7.

Возведение сооружения производят следующим образом.

Разрабатывают траншею 1 под защитой тиксотропного раствора, после чего устраи- 20 вают в этой траншее стеновое ограждение

2. Затем по периметру сооружения разрабатывают выемки в виде траншей 3 или скважин 4 с зазорами одна относительно npyroA и заполняют их тиксотропным раствором. После этого произвсдят

25 разработку грунтового ядра 5 и бетонируют днище сооружения.

Разработка допопнительны выемок 3 и 4, устраиваемых по периметру сооружения, изменяет характер распределения бокового давления грунта как по глубине, так и в плане сооружения. Неравномерность бокового давления круглого сооружения приводит к появленнк> существенных кольцевых изгибающих моментов в стеновом ограждении. Причем после устройства днища максимальные моменты снижаются, примерно, на 30 — 50%. Так как в стадии эксплуатации сооружения, после затвердевания тиксотропного раствора в дополнительных выемках, либо их тампона>ка твердеющим раствором, неравномерность бокового дав- 4О ления практически возвращается в исходное состояние (25%), то целесообразно уменьшить неравномерность давления грунта в период строительства сооружения только на 30 — 50%, чтобы получить одинаковую величину максимальных изгибающих моментов на всех стадиях (строительство, 1 эксплуатация). Это достигается за счет наличия зазоров между дополнительными выемками 3 и 4, величина которых не должна превышать длины дополнительной выемки.

1 роме того, чтобы исключить появление зон грунта, на которые не передается давление тиксотропного раствора и которые могут стать участками повышенной неравномерности бокового давления грунта, зазоры не должны превышать удвоенного расстояния между траншеей и выемкой. Исходя из этого выемки 3 и 4 размещают на расстоянии одна от другой, не превышающем меньшего из значений длины выемки или удвоенного расстояния между траншеей и выемкой.

Оптимальное перераспределение давления грунта на сооружения, заглубленные в грунт на 10 — 30 м, достигается при размещении выемок 3 и 4 на расстоянии 1,0—

2,0 м от траншеи 1. В этом случае максимальное боковое давление грунта на 5—

10% меньше гидростатического давления тиксотропного раствора.

Использование изобретения позволяет обеспечить равномерное давление грунта на стены в процессе возведения н за счет этого снизить материалоемкость.

Формула изобретения

Способ возведения круглого в плане подземного сооружения, включающий разработку траншеи под защитой тиксотропного раствора, выполнение в траншее стенового ограждения и разработку внутреннего грунтового ядра, отличающийся тем, что, с целью снижения матерлалоемкости сооружения за счет обеспечения равномерности обжатия его грунтом в процессе возведения, перед разработкой грунтового ядра вокруг траншеи образуют расположенные на расстоянии одна от другой выемки глубиной, превышающей глубину разработки грунтового ядра, и заполняют их тиксотропным раствором, при этом выемки размещают на расстоянии от траншеи, равном 1,0—

2,0 м, и на расстоянии одна от другой, не превышающем меньшего из значений длины выемки или удвоенного расстояния между траншеей и выемкой.

1599476

Уиг,2

Составитель Г. Гаврищук

Реда к тор И. К а с а рда Техред А. Кравчук Ко екто Н. Рев

Заказ 3)25 Т 552 ираж Подписное орректор . евская

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат «Патент», г. Ужгород, ул. Гагарина, 101