Способ обработки шихты из алюмоаммонийных квасцов для выращивания кристаллов корунда

 

Изобретение относится к выращиванию кристаллов, в частности к обработке алюмоаммонийных квасцов при приготовлении шихты для выращивания монокристаллов корунда, и позволяет повысить степень измельчения шихты при снижении степени ее загружения. Шихту из алюмоаммонийных квасцов обрабатывают в атмосфере водяного пара под давлением 150-200 КПа, нагретого до 95-120°С, в течение 5-10 мин. Достигают измельчения до 0,4 мм. 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)5 С 30 В 29/20

ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4408963/23-26 (22) 12.04.88 (46) 07,11.90, Бюл. М 41 (72) 3 А.Шевченко, А.В.Цуранов, В.С.Суздаль и Ю.M.Åïèôàíîâ (53) 621.315.529 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

М 1189831, кл. С 04 В 7/00, 1984.

Авторское свидетельство СССР

N . 1024563, кл. Е 02 F 5/30, 1981. (54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ ШИХТЫ И3

АЛЮМОАММОНИЙНЫХ КВАСЦОВ ДЛЯ

ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ КОРУНДА

Изобретение относится к области выращивания кристаллов, в частности к способам обработки алюмоаммонийных квасцов при приготовлении шихты для выращивания монокристаллов корунда.

Целью изобретения является повышение степени измельчения шихты при снижении степени ее загрязнения, Пример 1. Подготавливают шихту для выращивания монокристаллов цветного корунда. Подвергают разрушению алюмоаммонийные квасцы массой 30 кг, находящиеся в стандартной двойной герметичной упаковке (первый слой — бумага, второй — полиэтилен), С помощью иглы, не разрушая упаковки, в нее вводят водяной пар, нагретый до 110 С, до создания давления 175 кПа, Обработку ведут втечение8 мин. После остывания шихты фиксируют, прОизошло ли ее измельчение на частицы размером в среднем 1,1 мм. При этом устанавливают, что содержание посторонних примесей увеличилось от 15 10 до 70 10 6 вес .,, 42„„1604872 А1

{57) Изобретение относится к выращиванию кристаллов, в частности к обработке алюмоаммонийных квасцов при приготовлении шихты для выращивания монокристаллов корунда, и позволяет повысить степень измельчения шихты при снижении степени ее загружения. Шихту из алюмоаммонийных квасцов обрабатывают в атмосфере водяного пара под давлением 150-200 КПа, нагретого до 95-120 С, в течение 5-10 мин.

Достигают измельчения до 0,4 мм. I табл.

Пример 2, Процесс проводят, как в и римере 1, но изменяют температуру и давление пара, а также длительность обработки.

Результаты обработки в зависимости от ее режимных параметров представлены в таблице.

Из таблицы видно, что предлагаемый способ позволяет на порядок повысить степень измельчения при уменьшении степени загрязнения шихты на два-три порядка, Формула изобретения

Способ обработки шихты из алюмоаммонийных квасцов для выращивания кристаллов корунда, включающий воздействие на шихту неконденсированной средой под давлением, отличающийся тем, что, с целью повышения степени измельчения шихты при снижении степени ее загрязнения, в качестве неконденсированной среды используют водяной пар, нагретый до 95 — 120 С, давление поднимают до 150 — 200 кПа, а процесс проводят в течение 5-10 мин.

1604872

Составитель В, Безбородова

Редактор А. Шандор Техред М.Моргентал Корректор В.Гирняк

Заказ 3436 Тираж 349 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Способ обработки шихты из алюмоаммонийных квасцов для выращивания кристаллов корунда Способ обработки шихты из алюмоаммонийных квасцов для выращивания кристаллов корунда 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к получению изделий из монокристаллов корунда и позволяет повысить изделий за счет локального упрочнения зон, содержащих напряжения

Изобретение относится к способу выращивания монокристаллов тугоплавких окислов, позволяет повысить их качество и исключить карбидизацию контейнера

Изобретение относится к способам затравления при выращивании профилированных монокристаллов корунда методом Степанова и способствует повышению их структурного совершенства

Изобретение относится к элект- ipoHHoft технике, производству специальных материалов для изготовления диэлектрических подложек

Изобретение относится к выращиванию искусственных кристаллов (ZnO, SiO2, СаСО3, Al2О3)

Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов монокристаллов сапфира методом кристаллизации из расплава

Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов монокристаллов сапфира и направлено на совершенствование тепловой защиты системы

Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов объемных монокристаллов сапфира и направлено на повышение срока службы элементов конструкции

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов и может быть использовано для создания устройств для выращивания монокристаллов сапфира
Изобретение относится к технологии ювелирного производства, точнее к способам получения цветных ювелирных вставок, а также вставок с применением ювелирных эмалей, и предназначено для использования в ювелирной промышленности тиражом

Изобретение относится к медицинском технике, в частности к производству микрохирургического инструмента для офтальмологии

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов тугоплавких оксидов из расплавов методом направленной кристаллизации и может быть использовано для получения монокристаллов сапфира, соответствующих требованиям оптоэлектроники

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов тугоплавких оксидов из расплавов методом направленной кристаллизации и может быть использовано для получения монокристаллов сапфира, соответствующих требованиям оптоэлектроники
Наверх