Способ измерения эффективных магнитных полей анизотропии в магнитной пленке

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является расширение области применения способа путем повышения его пространственного разрешения. В соответствии со способом намагничивают магнитную пленку до насыщения магнитным полем смещения H<SB POS="POST">см</SB>, приложенным перпендикулярно плоскости магнитной пленки, воздействуют на нее противоположно направленным импульсным магнитным полем, увеличивают амплитуду этого поля H<SB POS="POST">и</SB> и регистрируют ее пороговое значение H<SB POS="POST">и</SB>, при котором перемагничивание локальной области магнитной пленки осуществляется вращением векторов намагниченности, о чем судят по появлению динамических доменов с обратной намагниченностью в начале действия импульса магнитного поля. Затем вдоль выбранного направления в плоскости магнитной пленки прикладывают постоянное магнитное поле H<SB POS="POST">пл</SB>, изменяют это поле, определяют для той же локальной области зависимости H<SB POS="POST">и</SB>(H<SB POS="POST">пл</SB>) и регистрируют критическое значение напряженности постоянного магнитного поля H<SB POS="POST">пл</SB>, при которой значение H<SB POS="POST">и</SB> максимально. Об эффективных магнитных полей в локальной области магнитной пленки, перпендикулярного плоскости пленки и параллельного выбранному направлению в плоскости пленки, судят по значениям H<SB POS="POST">и</SB> и H<SB POS="POST">пл</SB>. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 G 11 С 11/14

ГОС

ПО И

ПРИ

ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

366418/24-24

9.01.88

3.11.90. Бюл. № 43 . В. Рандошкин

81.327.66 (088.8 )

Элементы и устройства на ЦМД. чник.— М.: Радио и связь, 1987, с. 34, менты и устройства на ЦМД. Спра.— М.: Радио и связь, 1987, с. 34, п. 3.

ПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЭФФЕКТИВАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ АНИЗОТРОМАГНИТНОЙ ПЛЕНКЕ зобретение относится к вычислитехнике и может быть использори разработке запоминающих устна цилиндрических магнитных домеЦМД) . Целью изобретения являсширение области применения спосом повышения его пространственного ения. В соответствии со способом ичивают магнитную пленку до насымагнитным полем смещения Н., енным перпендикулярно плоскости

Из техник разраб линдри

Цел област ния ег

На ства, на фиг

Уст мого сп распол

3 импу затор рации (2!) (22) (46) (75) (53) (56)

Справ п. 2.

Эл вочни (54)

НЫХ

ПИИ (57) тельно вано ройств нах ется р ба пут разре намаг щения прило

АРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

БРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

НТ СССР ретение относится к вычислительной и может быть использовано при тке запоминающих устройств на циеских магнитных доменах (ЦМД). ю изобретения является расширение применения способа путем повышепространственного разрешения. иг. 1 приведена блок-схема устройеализующего предлагаемый способ;

2 — за виси м ость Н(Н ) . ойство для реализации предлагаесоба содержит столик 1, на котором жена магнитная пленка 2, источник ьсов света,.объективы 4 и 5, полярии анализатор 7, блок 8 регистзображения домеков, пару катушек

„„Я0„„1608747

2 магнитной пленки, воздействуют на нее противоположно направленным импульсным магнитным полем, увеличивают амплитуду этого поля Н„и регистрируют ее пороговое значение Н,при котором перемагничивание локальной области магнитной пленки осуществляется вращением векторов намагниченности, о чем судят по появлению динамических доменов с обратной намагниченностью в начале действия импульса магкитного поля. Затем вдоль выбранного направления в плоскости магнитной пленки прикладывают постоянное магнитное поле

Н"", изменяют это поле, определяют для той же локальной области зависимости Н (Н„„:) и регистрируют критическое значение напряженности постоякного магнитного поля Нп, при которой значение Н максимально. Об эффективных магнитных полях в локальной области магнитной пленки, перпендикулярном плоскости пленки и параллельном выбранному направлению в плоскости пленки, судят по значениям Н,", и Н„"„. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

9 индуктивности для создания поля Н„„с источником 10 тока, пару катушек 11 индуктивности для создания поля Н,„с источником 12 тока, катушку 13 для создания импульсного магнитного поля с источником

14 импульсов тока, блок 15 запуска источника импульсов света и линию 16 задержки.

Измерение эффективных магнитных полей анизотропии в магнитной пленке осуществляют следующим образом.

Намагничивают магнитную пленку до насыщения магнитным полем смещения Н, приложенным перпендикулярно плоскости магнитной пленки 2, воздействуют ка нее противоположно направленным импульсным

1608747

Н„„+Н„=О, Формула изобретения

55 магнитным полем, увеличивают амплитуду этого поля Ни и регистрируют ее пороговое значение Н» при котором перемагничивание локальной области магнитной пленки осуществляется вращением векторов намагниченности, о чем судят по появлению динамических доменов с обратной намагниченностью в начале действия импульса магнитного поля, затем вдоль выбранного направления в плоскости магнитной пленки прикладывают постоянное магнитное лоле

Н ., изменяют это поле, определяют для той же. локальной области зависимость Н„ (Н„„) и регистрируют критическое значение напряженности постоянного магнитного поля

Н, при которой значение Н„максимально, а о эффективных магнитных полях в локальной области магнитной пленки, перпендикулярном плоскости пленки и параллельном выбранному направлению в плоскости пленки, судят по значениям Н и Н„„

В частности, дополнительно изменяют направление постоянного магнитного поля в плоскости магнитной пленки, определяют азимутальную зависимость критической напряженности постоянного магнитного поля

»

Hn ((p), по которой судят о компонентах эффективных магнитных полей, имеющих различную физическую природу.

Сущность изобретения заключается в следующем.

Известно, что согласно результату классической теории Стонера-Вольфарта перемагничивание магнитных пленок вращением векторов намагниченности должно происходить при достижении критерия, который для магнитоодноосных пленок можно записать в виде

Н i +H =(4ê — 4 M ) л и Я где Н и H„ — компоненты магнитного поля, перпендикулярная и параллельная плоскости пленки соответственно;

Н„ — поле одноосной анизотропии;

4лМ вЂ” намагниченность насыщения.

Для данного случая это условие может быть переписано в виде (НН+ Нв) 2."+ (Н„„+Ф/ =

=(Н 4 М), где выделены перпендикулярная Н и паралэ лельная Н„плоскости магнитной пленки, составляющие локальных эффективных магнитных полей. Из этого соотношения следует, что для однородной магнитной пленки в отсутствие локальных эффективных магнитных полей при Н„„=О перемагничивание начинается, если м

̈́— Н =̈́— 4лМ, При H„„=O любое эффективное магнитное поле, параллельное плоскости магнитной пленки, снижает значение H„, а эффектив10

25 за

40 ное магнитное поле, перпендикулярное плоскости пленки, увеличивает значение H если это поле направлено в ту же сторону, что и- Н или уменьшает значение Н,,если

Н направлено в ту же сторону, что и Н э

При наличии поля Н„„ в плоскости пленки значение Н достигает максимума только в том случае, если т.е. когда внешнее магнитное поле полностью компенсирует эффективное магнитное поле. Это позволяет определить H„. э

Сравнение значений Н» для разных точек магнитной пленки или с эталонной магнитной пленкой, не подверженной локальным воздействиям, создающим эффективное магнитное поле, позволяет найти Н .

Устройство для реализации предлагаемого способа работает следующим образом.

На столик 1, установленный с возможностью вращения, помещают магнитную пленку 2 та к, чтобы исследуемая локальная область совпала с осью вращения.

Столик 1 может быть неподвижным, если поле Нд„создают с помощью двух пар катушек, если которых ортогональны. Домены наблюдают с помощью эффекта Фарадея.

Намагничивают магнитную пленку 2 полем смещения с помощью катушек 9. Прикладывают с помощью катушки 13 импульсное магнитное поле. С помощью линии 16 задержки устанавливают задержку импульса подсветки 10 — 100 нс относительно начала импульса магнитного поля. Увеличивая амплитуду Н,„регистрируют появление доменов с обратной намагниченностью и определяют значение Н» Вдоль выбранного направления в плоскости пленки 2 прикладывают постоянное поле Н . Определяют его критическое значение Н „при котором Н „максимально. Определяют азимутальную зависимость Н (ср). С помощью фурье-анализа, полученного по известным соотношениям, определяют компоненты эффективных магнитных полей.

1. Способ измерения эффективных магнитных полей анизотропии в магнитной пленке, основанный на воздействии на магнитную пленку магнитными полями, перпендикулярным и параллельным плоскости пленки, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа путем повышения его пространственного разрешения, намагничивание магнитной пленки магнитным полем смещения, перпендикулярным плоскости магнитной пленки, осуществляют до насыщения пленки, воздействуют на пленку противоположно направленным импульсным магнитным полем, увеличивают напряженность этого поля Н и регистрируют пороговое значение Н„, при

1608747 кото ти щен лени нам пуль дейс напр

Н, ки, поля обла (Н нап

5 ом перемагничивание локальной обласагнитной пленки осуществляется враем векторов, о чем судят по появдинамических доменов с обратной гниченностью в начале действия има магнитного поля, затем после возвия на магнитную пленку в одном влении постоянным магнитным полем араллельным плоскости магнитной пленизменяют величину напряженности определяют для той же локальной 10 ти магнитной пленки зависимость Н и регистрируют критическое значение яженности постоянного магнитного поля

Н, при которой значение Н" максимально, а об эффективных магнитных полях анизотропии в локальной области магнитной пленки судят по значениям Н„и H .

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что изменяют направление постоянного магнитного поля в плоскости магнитной пленки, определяют азимутальную зависимость критической напряженности постоянного магнитного поля Н„„(q>), по которой судят о компонентах эффективных магнитных полей анизотропии, имеющих различную фи зи че скую при роду.

1608747 о з

С) )

С1

Составитель Ю. Розенталь

Редактор Н. Лазаренко Техред А. Кравчук Корректор А. Осауленко

Заказ 3622 Тираж 484 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат «Патент», г. Ужгород, ул. Гагарина, 101