Способ изготовления полупроводникового прибора

Авторы патента:

H01L21/02 - изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей (отличающиеся использованием органических материалов H01L 51/40)

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов с металлокерамических корпусах. Целью изобретения является повышение электрической прочности корпуса при повышенной влажности и выхода годных за счет снижения уровня тока утечки керамического материала. Металлокерамические корпуса, металлические части которых изготовлены из ковра, имеющие антикоррозионное покрытие из золота с подслоем никеля, подвергают электрохимической обработке в растворе соляной кислоты, HCl:H₂O = 1:15 (концентрация кислоты 1,5 М), при плотности тока 0,1 А/дм² в течение 0,5 ч. Способ обеспечивает резкое снижение уровня тока утечки керамического материала в условиях воздействия на него повышенной влажности окружающей среды. 1 табл.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов в металлокерамических корпусах. Целью изобретения является повышение электрической прочности корпуса при повышенной влажности и выхода годных за счет снижения уровня тока утечки керамического материала. Изготавливают металлокерамический корпус, наносят на его металлические части антикоррозионное покрытие, осуществляют электрохимическую очистку корпуса в слабом растворе кислоты при приложении к его металлическим частям положительного потенциала, при этом в качестве слабого раствора кислоты используют раствор кислоты из ряда соляная, серна, фосфорная, а концентрацию раствора выбирают равной 0,05 1,5 М. При концентрации менее 0,05 м не создаются условия для электрохимического процесса, а при концентрации более 1,5 М происходит ухудшение качества антикоррозионного покрытия. Пример конкретного выполнения. Металлокерамические корпуса, металлические части которых изготовлены из ковара и имеют антикоррозионное покрытие из золота с подслоем никеля, подвергают электрохимической обработке в растворе соляной кислоты, HCl: H₂O 1:15 (концентрация кислоты 1,5 М), при плотности тика 0,1 А/дм² в течение 0,5 ч. После обработки корпуса подвергали испытаниям на воздействие повышенной влажности (98 3%) и температуры окружающей среды +50^oC в течение 10 сут. Одновременно с корпусами испытывали выпрямительные диоды, собранные в таких корпусах. После извлечения из камеры влаги в течение 0,5 ч для испытываемых образцов определяли уровень обратного тока. Данные сведены в таблицу. Способ обеспечивает резкое снижение уровня тока утечки керамического материала в условиях воздействия на него повышенной влажности окружающей среды.

Формула изобретения

1. Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий изготовление металлокерамического корпуса, нанесение на его металлические части антикоррозионного покрытия, монтаж кристалла и выполнение межсоединений, отличающийся тем, что, с целью повышения электрической прочности корпуса при повышенной влажности и выхода годных, перед монтажом кристалла осуществляют электрохимическую очистку корпуса в слабом растворе кислоты при приложении к его металлическим частям положительного потенциала. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве слабого раствора кислоты используют раствор кислоты из ряда соляная, серная, фосфорная, при этом концентрацию раствора выбирают равной 0,05 1,5 М.

РИСУНКИ

Рисунок 1

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 8-2000

Извещение опубликовано: 20.03.2000

Изобретение относится к производству интегральных схем и полупроводниковых приборов, в частности к технологии рентгенолитографиио Цель изобретения - повьпиение выхода годных по лупроводниковых приборов - достигается путем обеспечения лучшей воспроизводимости топологического рисунка в рентгенорезисте подложки В устройстве для совмещения и экспонирования рентгеновское излучение экспонирует через рентгеношаблон 3 подложку I с рентгенорезистом 2 Метку совмещения на подложке I формируют в виде набора плоских р-п-переходов или чередующимися проводящими и непроводящими слоями, а метка рентгеношаблона 3 представляет собой набор координатносопряженных с метками на подложке 1 отверстий в слое золота Рентгеновское излучение проходит через метку рентгеношаблона 3 и поглощается в слоях метки пластины, вызывая изменение величины обратного тока р-п-переходао Совмещенному положению соответствует максимальный обратный ток слоистой структуры р-п-переходаоЗ ил

Устройство для совмещения рисунка на маске с рисунком подложки // 1595270

Изобретение относится к технике полупроводникового производства, в частности к рентгенолитографии, и может быть использовано в установках для совмещения рисунка на маске с рисунком на подложке и экспонирования

Генератор потока диссоциированных молекул // 1551163

Устройство импульсной обработки полупроводниковых структур // 1492398

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем

Способ изготовления кремниевых структур с диэлектрической изоляцией // 1405629

Изобретение относится к технологии полупроводникового производства и может быть использовано при изготовлении кремниевых структур с диэлектрической изоляцией

Способ изготовления полупроводниковых микросхем // 1376839

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии производства полупроводниковых микросхем

Детектор короткопробежных заряженных частиц и способ его изготовления // 1371475

Изобретение относится к полупроводниковым детекторам ядерных излучений

Способ изготовления полупроводниковых приборов на основе кремния // 1273224

Изобретение относится к области пайки, в частности, к технологии изготовления полупроводниковых приборов пайкой, и может быть использовано при изготовлении симисторов и тиристоров с обратной проводимостью

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 1269930

Изобретение относится к области производства силовых полупроводниковых приборов , в частности к способам изготовления приборов с присоединением контактных элементов пайкой, и позволяет повысить качество приборов и выхода годны.к

Способ изготовления полупроводниковых приборов с объемными выводами // 1251749

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых устройств, в частности, к способам защиты р-n переходов на планарной поверхности полупроводниковых кристаллов

Способ изготовления чувствительных элементов для полупроводниковых детекторов импульсного ионизирующего излучения на основе теллурида кадмия // 2103765

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при исследовании спектрального состава и плотности потока высокоинтенсивного излучения электрофизических установок, в частности линейных ускорителей, импульсных реакторов, где требуются детекторы с высоким временным разрешением, высокой радиационной стойкостью и высокой избирательностью детектора к жесткой части спектра излучения

Фотошаблон для фотолитографии // 2114485

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к устройствам для фотолитографических процессов, и может быть использовано при изготовлении микросхем

Емкостной акселерометр и способ его изготовления // 2114489

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых емкостных акселерометров

Способ создания монолитной интегральной свч схемы // 2130215

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при создании монолитных интегральных схем СВЧ и прежде всего схем миллиметрового диапазона длин волн, монтируемых в волноводный узел

Способ изготовления двусторонней печатной платы и двусторонняя печатная плата // 2138931

Изобретение относится к технологии изготовления печатных плат и их конструкции и может быть использовано в приборостроении, радиоэлектронике и других областях техники

Полупроводниковый газовый сенсор и способ его изготовления // 2143678

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления интегральных газовых сенсоров с тонкими диэлектрическими мембранами (1-5 мкм)

Линия фотолитографии // 2201012

Изобретение относится к области микроэлектроники

Способ изготовления микромеханического инерциального чувствительного элемента емкостного типа // 2207658

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при изготовлении малогабаритных микромеханических датчиков: акселерометров, гироскопов и др

Способ формирования электропроводящих и/или полупроводниковых трехмерных структур, способ уничтожения этих структур и генератор/модулятор электрического поля для использования в способе формирования // 2210834

Изобретение относится к микроэлектронной технологии, а именно к технологии получения тонкопленочных электронных схем

Устройство для формирования рисунков // 2257603