Способ отработки микросхем программируемых постоянных запоминающих устройств

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для программирования микросхем постоянных запоминающих устройств и программируемых логических матриц. Цель изобретения - сокращение времени отбраковки. Поставленная цель достигается за счет того, что между верхней и нижней поверхностями микросхемы создают градиент температурного поля, при котором на входы микросхемы подают информационные сигналы. Длительность воздействия градиента температурного поля не превышает 3-5 мин 2 ил

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)я G 11 С 17/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ (К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4765154/24 (22) 04.12.89 (46) 30.11.91, Бюл, ¹ 44 (71) Ленинградское научно-производственное объединение "Красная Заря" (72) Я.М.Беккер, M,ß.Áåêêåð, А,А.Заколдаев, В.M.Ìàñëîâ и М.И,Фомин (53) 681,327.6 (088,8) (56) Электронная техника. Сер. 8. Управление качеством, метрология и стандартизация, вып.8(78), 1979, Инструкция по программированию

РЮО,308,024 ИЗ.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для программирования микросхем полупроводниковых постоянных запоминаю.цих устройств (ПЗУ) и программируемых логических матриц (ПЛМ).

Цель изобретения — сокращение времени отбраковки.

На фиг.1 представлена структура микросхемы; на фиг.2 — устройство для реализации способа отбраковки.

Микросхема содержит подложку 1, контактные выводы 2, кристалл 3 полупровод= ника, активный слой 4 полупровбдника и крышку 5 корпуса.

Устройство для отбраковки микросхем содержит основание 6 камеры 7 с теплоотводом 8, контактное устройство 9, микросхему

10, кабель 11, измеритель 12 электрических

„„5U„„1695385 Al (54) СПОСОБ ОТБРАКОВКИ МИКРОСХЕМ

ПРОГРАММИРУЕМЫХ ПОСТОЯННЫХ 3АПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для программирования микросхем постоянных запоминающих устройств и программируемых логических матриц, Цель изобретения — сокращение времени отбраковки. Поставленная цель достигается за счет того, что между верхней и нижней поверхностями микросхемы создают градиент температурного поля, при котором на входы микросхемы подают информационные сигналы. Длительность воздействия градиента температурного поля не превышает 3 — 5 мин. 2 ил. параметров, нагревател 13,разъем 14 и устройство 15 управления.

Способ отбраковки заключается в том, что микросхему размещают в камере 7 и производят нагрев верхней поверхности кристалла 3 (фиг,1). В результате этого в кристалле 3 возникает градиент температуры.

Под действием градиента температуры в кристалле. 3 (фиг.1) возникает поле термомеханических напряжений.

B поле термомеханических напряжений деградационные процессы развиваются более интенсивно: происходит локальное перераспределение ионов примеси, образуются группы вакансий, что приводит к появлению микропор, развиваются локальные термомеханические взаимодействия. Кроме того, изменяется ширина запрещенной зоны кремния, сме1695385 щается уровень Ферми, в деформированных микрообъемах полупроводника происходит перераспределение электронов между уровнями, что изменяет концентрацию носителей заряда в зоне, В этих условиях более интенсивно происходят деградационные процессы, изменяющие расчетные параметры структуры микроприборов схемы, и, следовательно, выявляются скрытые дефекты потенциально ненадежных микросхем 10, Фие. г

Составитель С.Королев

Техред M,Moðãåíòàï Корректор G,Êðàâöîâà

Редактор А.Лежнина

Заказ 4167 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская н а б„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.I агарина, 101

После создания градиента температурного поля между верхней и нижней поверхностями кристалла 3 на адресные входы микросхемы 10 подают информационные сигналы и производят отбраковку микросхем

10 по электрическим параметрам выходных сигналов. Длительность воздействия градиента температурного поля не превышает

3 — 5 мин, Устройство, реализующее предлагаемый способ отбраковки, работает следующим образом, Микросхему 10 (фиг.2) устанавливают в контактное устройство 9 камеры 7, Затем с помощью устройства 15 управления включают соединенный через разьем 14 поверхностный нагреватель 13, Для длительного поддержания градиента температур контак5 тное устройство 9 с размещенной в нем микросхемой 10 устанавливают на теплоотвод

8, После создания градиента температурного поля производят контроль параметров выходных сигналов на соответствие нормам

10 и требованиям ТУ измерителем 12 электрических параметров, подключенным к контактному устройству 9 кабелем 11.

Формула изобретения

Способ отбраковки микросхем про15 граммируемых постоянных запоминающих устройств, заключа:-ощийся в том, что микросхему помещают в термокамеру, подают информационные сигналы на входы микросхемы, определяют годность микросхемы

20 пс сигналам на ее выходах, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью сокращения времени отбраковки, между верхней и нижней поверхностями микросхемы создают градиент температурного поля, 25 при котором на входы микросхемы подают информационные сигналы.