Патент ссср 174171

Авторы патента:

C30B11 - Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу Бриджмена-Стокбаргера (C30B 13/00, C30B 15/00,C30B 17/00,C30B 19/00 имеют преимущество; под защитной жидкостью C30B 27/00)

О П И С А Н И Е l7417I

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соаетских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт, свидетельства №

Заявлено 10.Х1.1963 (№ 864930/26-25) Кл. 12с, 2 с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 27Х111.1965. Бюллетень № 17

Дата опубликования описания 8.Х.1965

Государствейный комитет по делам изобретений и открытий СССР

МПК В Old

Ъ ДК 548,55(088.8) 3

БС:00". „;,, И. И. Кисиль и Н. И. Крайнюков

1;)

7 .;;, ;:. 1,, Г".

Всесоюзный научно-исследовательский институт монокриста,;ллов

Авторы изобретения

Заявитель

АМПУЛА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ

МОНОКРИСТАЛЛОВ

Предмет изобретения

Подписная группа № 89

Известные ампулы для выращивания высокотемпературных монокристаллов типа сульфида кадмия, имеют сужение (шейку) для отбора монокристаллической затравки.

Ампулы, изготовленные, например, из кварца, не пригодны для повторного использования и применяются в сравнительно узком температурном интервале. Предлагаемая ампула отличается от известных тем, что в нее по скользящей посадке вставлена соответствующего размера диафрагма с отверстием для отбора монокристаллической затравки.

Такая конструкция облегчает выращивание монокристаллов и повышает их выход. При этом возможна замена деформированной диафрагмы новой и, следовательно, многократное использование ампулы в широком температурном интервале.

На чертеже показана конструкция предлагаемой ампулы.

Она изготовлена из графита и имеет форму цилиндра с коническим дном 1 под углом

120 вЂ” 130, заканчивающимся коническим сужением, но с острым углом, например 20вЂ”

30 . Высота ее вЂ” 150 аль В конусное дно ампулы вставлена диафрагма 2 до упора, с диаметром 22 льп и высотой 12 плс, имеющая

5 двухсторонние конические углубления, изготовленные под углом 120 вЂ” 130, и отверстие диаметром 0,8 лль Изготовлена она из материала ампулы.

Ампула для выращивания высокотемпературных монокристаллов типа сульфида кад15 мия, имеющая форму цилиндра с коническим дном, заканчивающимся коническим сужением, но с более острым углом, отличающаяся тем, что, с целью интенсификации выращивания и многократного использования ампу20 лы, она снабжена сменной диафрагмой, имеющей отверстие для отбора монокристаллической затравки и вставляемой в ампулу перед выращиванием, 174171

Составитель Т, Ухорская

Редактор И. Хабибулина Текред Т. П. Курилко Корректор Ф. П. Киреева

Заказ 2680/17 Тираж 900 Формат бум, 60X90 /з Объем 0,1 изд. л. Цена 5 коп. 11-1ИИПИ Государственного комитета по делам изобретении и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Устройство для направленного отвода тепла // 169795

Способ получения щелочногалоидных^' кристаллов // 168262

Способ выращивания монокристаллов слюды // 165670

Аппарат для выращивания монокристаллов и зонной очистки высокотемпературных разлагающихсясоединений // 163759

Способ получения полупроводниковых материалов // 150495

Патент 149395 // 149395

Патент 148380 // 148380

Печь к аппаратам для выращивания монокристаллов тугоплавких веществ // 148017

Устройство для ускоренного выращивания кристаллов из расплава // 132614

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений // 2105831

Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6

Устройство для получения термоэлектрических материалов // 2107116

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению и может найти применение в создании высокоэффективных преобразователей на основе полупроводниковых материалов для прямого преобразования тепловой энергии в электрическую, например, в холодильниках, термостатах, агрегатах для кондиционирования воздуха и других устройствах

Способ выращивания звездчатых монокристаллов тугоплавких окислов по методу вернейля // 2124077

Изобретение относится к производству монокристаллов корунда и других тугоплавких веществ по методу Вернейля, в частности кристаллов сапфира и рубина с эффектом астеризма, которые иначе называются звездчатыми

Способ получения высококачественных монокристаллических заготовок // 2127774

Изобретение относится к металлургии, преимущественно к технологии получения литых монокристаллических заготовок из сплавов, содержащих Fe-Co-Ni-Al-Cu-Ti (ЮНДКТ)

Способ получения никелида титана и сплавов на его основе // 2132415

Способ получения окрашенных монокристаллов (его варианты) // 2132416

Способ получения монокристаллов (его варианты) // 2133787

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)

Способ получения окрашенных монокристаллов (его варианты) // 2134314

Сцинтилляционный материал на основе йодида цезия и способ его получения // 2138585

Изобретение относится к области выращивания активированных монокристаллов и может быть использовано при производстве сцинтилляторов, применяемых в приборостроении для ядерных, космических, геофизических исследований, для медицинской и промышленной компьютерной томографии

Устройство (печь цивинского-эдемского) для получения слитков кремния // 2147631

Способ получения кристаллов халькогенидов типа aiibvi использование: в приборостроении, квантовой электронике, лазерной спектроскопии и т // 2031983