Монокристаллический материал

 

Изобретение относится к монокристаллам на основе диоксида циркония ^гО2) и может быть использовано при изготовлении инструмента для обработки металлов (волок, плавающих оправок и др.). Цель изобретения - повышение ударной вязкости. Монокристаллический материал представляет собой кристалл кубической сингонии с мелкодисперсными выделениями тетрагональной фазы и содержит компоненты в следующем соотношении, мол.%; диоксид циркония 95,2-97,3: диоксид церия 0,8-г3.5; оксид иттрия 1.3-1,9. Монокристаллы получают плавлением в "холодном" тигле. Ударн'ая вязкость (Кю) таких образцов изменяется от 8,2 до 9,5 МПа •м"^ в зависи- ^ мости от компонентного состава. 1 табл.^

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (l 9) (1 l) (я)5 С 30 В 29/22

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4390658/23 (22) 10.03,88 (46) 30.01.92. Бюл. 4 (71) Всесоюзный научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт теплотехники, цветной металлургии и огнеупоров (72) С.Ю.Плинер, В,Г.Пейчев, Ю.И.Комоликов, H.Ô.Ëåáåäåâ, В.H.RÉîâ, В.Г,Поротников, В.Л.Романенко, В.В.Прокопьев, Н.И.Заболотнов, А.ИЛ орошенков, B.Ï.Êîçлов и В.Г.Пургин (53) 666.764.2(088.8) (56) Известия АН СССР. Неорганические материалы, 1976, т. 12, М 5, с. 900-906.

"1.Mater ЗсГ, 1983, ч. 18, М 9, р, 26182628. (54} МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к монокристаллам на основе диоксида циркония и может быть использовано при изготовлении инструмента для обработки металлов {волок, плавающих опрэвок и др.).

Цель изобретения — повышение ударной Вязкости . Монокристаллы системы ZrC4- У Оз- Се02 получают. плавлением в "холодном" тигле на установке "Кристалл 401". Измерения удар ной вязкости (K

Измерения К1 ". проводились методом пропила. (57) Изобретение относится к монокристаллам на основе диоксида циркония (Zr02) и может быть использовано при изготовлении инструмента для обработки металлов {волок, плавающих оправок и др.). Цель изобретения — повышение ударной вязкости.

Монокристаллический материал представляет собой кристалл кубической сингонии с мелкодисперсными выделениями тетрагональной фазы и содержит компоненты в следующем соотношении, мол.$: диоксид циркония 95,2-97,3; диоксид церия 0,8-.3.5; оксид иттрия 1,3-1,9. Монокристаллы получают плавлением в "холодном" тигле. Ударная вязкость (К с) таких образцов изменяется от 8,2 до 9,5 МПа м в зависимости от компонентного состава. 1 табл.

Конкретные составы и данные о результатах испытаний приведены в таблице..

Формула изобретения

Монокристаллический материал, представляющий собой кристалл кубической сингонии с мелкодисперсными выделения- Ф ми тетрагональной фазы, содержащий диок- 0 сид циркония и оксид иттрия, о т л и ч а ю. шийся тем, что, с целью повышения ударной вязкости. он дополнительно содержит оксид церия при следующем соотношении компонентов, мол. :

Оксид иттрия 1,3-1.9

Оксид церия 0,8-3,5

Диоксид циркония 95,2-97,3 .

1708946.-Редактор Э.Слиган Заказ 408 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский. комбинат "Патент", r. Ужгород, ул Гагарина, 101

Составитель В.бабаева

Техред М.Моргентал

Корректор Н;Ревская

Монокристаллический материал Монокристаллический материал 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам получения монокристаллов нефелина и позволяет получать крупные однородные монокристаллы нефелина состава (Na4-xKxXA S 04)4, где х 0-1

Изобретение относится к монокристаллическим ферритовым материалам, используемым для создания твердотельных СВЧ-приборов, работающих в диапазоне сантиметровых длин волн 9 30 ГГц

Изобретение относится к физике твердого тела, геофизике и геохимии и может быть использовано для окрашивания низкосортных кристаллов природного кальцита с последующим их использованием в травильной , художественно-декоративной и ювелирной промышленности, а также в качестве фильтров в оптике

Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов сложных окислов из расплава и может быть использовано для получения кристаллов LiNbOs и Gda(Mo04)3

Изобретение относится к технологии получения кристаллов оксидных высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП), содержащих достаточно крупные моноблоки, пригодные для комплексных прецезионных физических исследований в области физики ВТСП, и обеспечивает получение в кристаллах моноблоков размером более 1x1x0,1 мм°

Изобретение относится к получению монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников на основе сложных оксидов, обеспечивает сокращение времени процесса

Изобретение относится к росту кристаллов , может быть использовано для получения кристаллов, применяемых в электронной, химической промышленности, и позволяет ускорить процесс и получать трехмерные кристаллы, ограниченные плоскостями с кристаллографическими индексами одного типа В тигле расплавляют исходную шихту

Изобретение относится к фотохромным материалам, обладающим высоким электрооптическим эффектом, которые могут быть использованы в устройствах обработки голографической информации в качестве функциональных сред на основе кристалла силикосилленита - BSO

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов литиевого бората, которые могут быть использованы в пьезотехнике

Изобретение относится к нелинейно-оптическому кристаллу стронций бериллатоборату, способу выращивания нелинейно-оптических монокристаллов бериллатобората и нелинейно-оптическому устройству

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO)
Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO) и позволяет выращивать крупные кристаллы диаметром 65-70 мм и длиной до 40-45 мм высокого оптического качества без включений и свилей, пригодных для изготовления оптических элементов

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiB6O10 из раствор-расплава на затравку путем снижения температуры расплава
Изобретение относится к области получения монокристаллов калий титанил арсената KTiOAsO4 (КТА), используемых в лазерной технике в качестве преобразователей частоты лазерного излучения

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)

Изобретение относится к порошку комплексного оксида металла, содержащему по крайней мере два металлических элемента, который используют в качестве исходного порошка оксидной керамики, которую используют в качестве функционального материала для конструктивного материала, который используют в диспергированном состоянии в качестве наполнителя или пигмента, или который используют в качестве исходного порошка для получения монокристалла или покрытия, нанесенного методом пламенного распыления, и к способу его получения
Наверх