Способ изготовления светофильтра для коррекции освещенности при фотоэкспонировании экранов цветных электронно-лучевых трубок
Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии изготовления светофильтров, применяемых при изготовленииэкрановцветных электронно-лучевых трубок. Изобретение позволяет улучшить качество линейчатых экранных покрытий за счет обеспечения требуемой коррекции освещенности прифотоэкспонировании. Способ включает предварительный замер освещенности экспонируемого экрана без применения светофильтра, определение освещенности при изготовлении эталонного экрана., определение распределения прозрачности расчетного светофильтра, послойное вакуумное напыление на прозрачную подложку слоев светопоглощанэщего материала через набор масок с различным размером отверстий, при этом в процессе напыления центры маски и подложки совмещены. Напыление слоев осуществляют со скоростью 0.005-0,5 нм/с до получения прозрачности каждого слоя Р = '^VP мин . где N - число используемых для напыления одного светофильтра масок; Рмин - минимальная величина матрицы II PIJ II прозрачности расчетного светофильтра. Число N определяют как целую часть выражений N = logo.8 Рмин + 1 (для линейчатых экранов); N = 1одо,95 Рмин + 1 (для мозаичных экранов) i-строки матрицы; j - столбцы матрицы. 4 ил.сл
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4810007/21 (22) 04.04.90 (46) 30.01.92. Бюл. N. 4 (71) Львовское конструкторское бюро "Эротрон" (72) И.Н.Хомич, И.Е.Кульчицкая, А.И.Мороз и И.И.Козыра (53) 621.385.832(088.8) (56) Акцептованная заявка Японии N. 6024531, кл, Н 01 J 9/227, опублик. 1980. Патент США М 3773541, кл, С 23 С 13/02, опублик. 1973, (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОФИЛЬТРА ДЛЯ КОРРЕКЦИИ ОСВЕЩЕННОСТИ ПРИ ФОТОЭКСПОНИРОВАНИИ ЭКРАНОВ ЦВЕТНЫХ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫХ ТРУБОК (57) Изобретение относится к электронной технике. в частности к технологии изготовления светофильтров, применяемых при из-готовлении экранов цветных электронно-лучевых трубок. Изобретение позволяет улучшить качество линейчатых экранных покрытий за счет обеспечения требуемой коррекции освещенности при Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии изготов- ления светофильтров, применяемых при фо- . тоэкспонировании экранов цветных электронно-лучевых трубок (ЦЭЛТ). Известен способ изготовления корректирующего светофильтра для установки экспонирования. В способе на прозрачную пластину напылением наносят тонкую металлическую.пленку с меньшим коэффици- ентом прозрачности, чем требуется, а затем осуществляют термообработку в атмосфе„, . Ы „„1 709425 А1 фотоэкспонировании. Способ включает предварительный замер освещенности экспонируемого экрана без применения светофильтра, определение освещенности при изготовлении эталонного экрана,, определение распределения прозрачности расчетного светофильтра, послойное вакуумное напыление на прозрачную подложку слоев светопоглощающего материала через набор масок с различным размером отверстий. при этом в процессе напыления центры маски и подложки совмещены. Напыление слоев осуществляют со скоростью 0,005-0,5 нм/с до получения прозрачности каждого слоя Р = ЧР урн, где N — число используей/ мых для напыления одного светофильтра масок; P H — минимальная. величина матрицы И Рц П прозрачности расчетного светофильтра. Число N определяют как целую часть выражений N = logo,в Р н + 1 (для линейчатых экранов); N = logo,м Рмин + 1 (для мозаичных экранов) i-строки матрицы: j — столбцы матрицы. 4 ил. ре, содержащей кислород. В процессе окисления измеряют коэффициент прозрачности пленки и при достижении требуемого коэффициента прозрачности термообработку прекращают. Этот способ не практичен, так как для его реализации необходимо каким-либо способом получить светофильтр с нужным, но заниженным коэффициентом прозрачности, однако способ получения такого светофильтра в заявке не описан. 1709425 Известен способ изготовления светофильтра для коррекции освещенности при экспонировании экранов ЦЭЛТ, заключающийся в вакуумном напылении пленки хрома через трафарет на промежуточный испаритель и перепылении полученной пленки на кварцевую подложку. Этот способ позволяет изготавливать асимметричные светофильтры сложной конфигурации, но, ввиду отсутствия оптического контроля за процессом напыления, невозможно обеспечить высокий процент выхода годных светофильтров. Поэтому не во всех светофильтрах обеспечивается заданная минимальная прозрачность, что при экспонировании влияет на иирину люминофорных элементов в центральной части экспонируемого экрана. Это ведет к невысокому качеству экранных покрытий. Известен также способ изготовления корректирующих светофильтров для экспонирования ЦЭЛТ, в котором осуществляют вакуумное напыление светофильтра через две совмещенные маски с отверстиями, вытянутыми в направлении оси удлиненного испаритепя. Причем диаметр отверстия маски, расположенной ближе к источнику, по крайней мере, в центральной части меньше диаметра отверстий другой маски в направлении оси источника напыления. Недостатком известного способа является то, что любые, даже самые малые по размеру; изменения в масках отражаются на светофильтре в виде полос, параллельных испарителю, Известный способ пригоден для коррекции только таких распределений освещенности, которые не имеют локального роста или спада на фоне общего снижения освещенности.от центра экрана к его краям. Поэтому этот способ не пригоден дпя получения качественных экранов ЦЭЛТ в случае сложной асимметричной освещенности на установках фотоэкспонирования. Наиболее близким по технической сути и достигаемому результату к предлагаемому способу является способ изготовления корректирующих светофильтров для экспонирования экранов ЦЭЛТ. Этот способ включает вакуумное испарение сплава инконеля и конденсацию его пэров на прозрачную подложку. На пути испаряемого вещества размещают вращающийся диск (маску) с отверстием сложной формы. После получения на подложке темной пленки со светопропусканием в центральной части 16-20%, над вращающимся диском вводят второй диск (маску) с отверстием, значительно Отличным от отверстия вращающегося диска. Затем продолжают процесс напыления через две 30 маски одновременно: одна — вращающаяся, а вторая — неподвижно зафиксирована в зоне напыления. Процесс напыления продолжают до получения прозрачности светофильтра в центральной части 10-15%. При этом подложку, маску и испаритель размещают соосно один другому. Контроль прозрачности осуществляют посредством средств оптического контроля. Известным способом возможно изготовление светофильтров, применяемых для фотоэкспонирования только мозаичных экранов, так как таким светофильтром возможна коррекция освещенности только в том случае, когда отклонение освещенности в данной точке от симметричной составляет не более 10%. При экспонировании штриховых экранов ЦЭЛТ отклонение освещенности достигается почти 200% по сравнению с освещенностью, создаваемой коническими световодами, применяемыми при фотоэкспонировании мозаичных экранов. Целью изобретения является улучшение качества экранных покрытий ЦЭЛТ путем обеспечения требуемой коррекции освещенности. Для достижения поставленной цели в известном способе, включающем предварительный замер нэ установке экспонирования распределения освещенности экспонируемого экрана без применения светофильтра, определение освЬщенности при изготовлении эталонного экрэна,.опре35 деление распределения прозрачности расчетного светофильтра, послойное вакуумное напыление на прозрачную подложку слоев светопоглощэющего материала через набор масок с различным размером 40 отверстий, с предварительным совмещением центров масок и подложки, и оптический контроль прозрачности напыленных слоев в процессе напыления, согласно изобретению, напыление слоев ведут соскоростью 45 0,005 — 0,5 нм/с до получения прозрачности каждого слоя P = 7Рмин, Где n — число и используемых масок, Р— минимальная величина матрицы прозрачности Рп расчетного светофильтра, а число N применяемых 50 для напыления масок определяют, как целую часть выражений: N = logo,в Р и +1 (для линейчатых люминофорных покрытий); N = togo,ì P «+1 (для мозаичных люминофорных покрытий); 1 —; j — столбцы матрицы. Указанные пределы скорости напыления определяют соответствие прозрачности нэпыленного покрытия расчетной прозрачности слоя. а также эксплуатационные свойства (стабильность коэффициента 1709425 прозрачности) светофильтра как пленочной системы. Светофильтры. напыленные со скоростью меньше 0,005 нм/с, нестабильны в процессе эксплуатации, так как медленное напыление сопровождается "замуровыванием" в состав тонкопленочного покрытия остаточных газов. В итоге повышается прозрачность светофильтра в процессе эксплуатации. Увеличение скорости напыления выше 0,5 нм/с снижает точность напыления покрытия заданной прозрачности ввиду инерционности системы напыления и контроля. Предлагаемые выражения для определения требуемого количества масок для изготовления конкретного светофильтра обеспечивают формирование ступенчатой структуры светофильтра, причем высота ступенек (минимальная прозрачность слоя) такова, что эта ступенчатая структура не отображается на экспонируемых экранах. Т.е. в освещенности экрана, .скорректированной полученным светофильтром, ступеньки не проявляются. В выражениях для расчета количества масок основания логарифмов (0,8 и 0,95) задают минимально допустимую прозрачность каждого слоя светофильтра соответственно для штриховых и мозаичных люминофорных покрытий. Снижение прозрачности ниже указанных пределов сопровождается проявлением ступенчатого изменения размеров элементов люминофорного покрытия на экранах ЦЭЛТ, .Максимальная прозрачность светофильтра не может превышать единицу (наличие любого светофильтра обеспечивает поглощение большее нуля). Следовательно. прозрачность одного из слоев светофильтра (каждого слоя) лежит в пределах 0,8<Р<1,0 для линейчатых экранов и в пределах 0,95<Р<1,0 для мозаичных эк-. ранов. Предлагаемые формулы для определения числа масок, используемых для изготовления конкретного светофильтра, и определения прозрачности каждого слоя выведены эмпирически.с учетом обеспечения требуемого качества светофильтра. Режимы напыления также определены экспериментальным путем. Предлагаемый способ изготовления светофильтра с послойным напылением слоев светофильтра заданной прозрачности обеспечивает воэможность получения светофильтров с параметрами,. соответствующими расчетным. Применение таких светофильтров при изготовлении экранов ЦЭЛТ обеспечивается повышение качества люминофорных покрытий. Напыление слоев светопоглощающего материала обычно начинают с маски с наи5 большим размером отверстия, так как это обеспечивает оптимальные условия формирования тонкопленочной структуры светофил ьтра. Но, в зависимости от конструктивного выполнения механизма 10 подачи масок в зону напыления, возможно вести напыление через маски с любым порядком расположения отверстий. Возникающие при этом краевые искажения (образование малозаметных тканей) íà све15 тофильтре практически не влияют íà его качество. На фиг.1 схематически изображен набор масок с совмещенным центром для напыления одного светофильтра; на фиг,2— 20 график прозрачности светофильтра, полученного с помощью четырех масок, показанных на фиг,1; на фиг.3 — схема замера освещенности на установке фотоэкспонирования; на фиг.4 — принцип построения 25 контуров отверстий четырех.масок. необходимых для напыления светофильтра по результатам замера освещенности а двадцати пяти точках (пять горизонтальных и пять вертикальных направлений). 30 Как видно из фиг.1, для напыления светофильтра используют маски, контуры отверстий которых не пересекаются и не совпадают, Позициями 1-4 обозначены контуры отверстий различных четырех масок, 5 35 — совмещенная часть всех четырех масок. Из фиг.2 видно, что прозрачность полученного светофильтра имеет ступенчатую форму, P — прозрачность светофильтра, .1 расстояние от центра подложки к ее краю. 40 На фиг.3 позицией 6 обозначен экспонируемый экран, 0 — центр экрана 6, А, В,С,D и Š— пять горизонтальных направлений замера освещенности, M,N;K,S и Т вЂ” пять вертикальных направлений замера 45 освещенности. На фиг.4 приведены следующие обозначения: 7 — графики прозрачности расчетного светофильтра вдоль осевой (СС) и двух боковых горизонтальных (АА,00) линий; 8 — гра50 фики прозрачности расчетного светофильтра для вертикального направления (КК,SS,ÌÌ); 9 — линии одинаковой позрачности расчетного светофильтра; 10 —, координатная сетка расчетНого светофильт55 ра, соответствующая координатам точек замера освещенности на установке фотоэкспонирования (в соответствии со схеМоА приведенной На фиг 3); Р, Р2, Pý Р4 уровни одинаковой прозрачности, рассчитанные для четырех последовательных на1709425 25 45 50 пылений; А — А,  — В, С-С, D— - D, Š— Е, М вЂ” М, N-N, К вЂ” К, $ — S, Т вЂ” Т вЂ” направления, по которым велись измерения; F — Fo — обозначение одной из множества приведенйых на фиг.4 линий проектирования; (Рз+ Р4) 2 — вспомогательный уровень прозрачности. (Графики прозрачности .по линиям  — В, Š— Е, N-N, Т-Т на фиг.4 не приведены в целях упрощенияя рисунка). Способ осуществляют следующим образом. В процессе подготовки к напылению светофильтра с помощью люксметра определяют освещенность (Е1 )) экспонируемого экрана, например, з двадцати пяти точках, размещенных по пять в ряд (фиг.3). Таким образом формируют матрицу освещенности II EiIll, где i — строки, j — столбцы, Затем определяют освещенность (E2iI), необходимую для получения эталонного (идеального) люминофорного покрытия. Для этого несколько (например, три) экранов с люминофорным покрытием экспонируют при различных экспозициях с целью получения люминофорных элементов (штрихов или точек) требуемых размеров, Таким образом, определяют идеальное распределение освещенности для всех двадцати пяти точек экрана. Разделив значение освещенности (E2q), необходимой для получения идеального экрана, на значение реальной освещенности (Е11)), замеренной на установке фотоэкспонирования, и умножив результат на нормиЕ1мин РУЮЩИй КОЭффИЦИЕНт К=, ГДЕ Е1мии — минимальный по величине элемент матрицы распределения реальной освещенности; Е2 — элемент матрицы распределения идеальной освещенности той же точки, получают значение прозрачности для каждой из двадцати пяти точек светофильтра, Нормирующий коэффициент обеспечивает получение светофильтра с максимально возможным светопропусканием, т,е, хотя бы в одной точке светофильтра обеспечива. ется 100 g, прозрачность. Экспонируя без светофильтра несколько экранов с люминофорным покрытием при различных экспозициях, анализируют зависимость люминофорных линий (или диаметра точек) от экспозиции, определяют распределения освещенности II E2iI И, необходимой для получения идеального люминофорного покрытия, затем проводят замер реальной освещенности II E11I И на конкретной установке фотоэкспонирования. Освещенность определяют в точках, экрана, равномерно размещенных по экрану (на8 пример, в пяти рядах по пять точек в каждом). На основе реального и идеального распределения освещенности рассчитывают распределение прозрачности II Рл II изготавливаемого светофильтра по формуле Il Рi) II = x . Из матрицы II Pil II E2lI Е1мин Е1 Е2 выбирают минимальный элемент Рми,. Вычисляя целую часть выражения N = I0g0,8 Pl4vIH+1 (для линейчатых экранов), рассчитывают число N масок, необходимых для напыления светофильтра. Затем графическим способом в соответствии с фиг,4 вычерчивают контуры отверстий масок и изготавливают их, вырезая (например, ножницами) отверстия требуемой формы в тонких металлических пластинах. В установку вакуумного напыления помещают прозрачную подложку, на которую будет напыляться светофильтр, набор масок и напыляемый материал. После достижения необходимого вакуума подложку нагревают для обеспечения достаточной адгезии конденсата и производят совмещение центра первой маски с центром подложки. Напыление через эту маску проводят со скоростью 0,005-0,5 нм/с до поучения покрытия прозрачностью Р = Рмии, после чего эту N ) маску удаляют. Таким же образом проводят напыление через остальные маски. Прозрачность всех напыляемых слоев должна N быть о инаковой и всегда равной P Р )мин, так как в этом случае обеспечивается минимальная высота ступенек напыляемого светофильтра при использованном. количестве масок, Минимальная прозрачность светофильтра при этом равна Pil »H = P, где P — прозрачность каждого слоя, N — число используемых масок (что соответствует количеству напыляемых слоев). Форма контуров отверстий масок может быть самой различной и в каждом конкретном случае форма отверстий рассчитывается на основе индивидуальной освещенности установки фотоэкспонирования. Кроме того, разные типы ЦЭЛТ требуют разнбтипных светофильтров, т,е. отверстия в масках для каж= дого типа приборов имеют отличную (другую) форму. Пример, На установке фотоэкспонирования экранов ЦЭЛТ "Уран", используемой для печати штриховых экранов кинескопов 51ЛК2Ц, замеряли в двадцати пяти точках распределение освещенности, Данные замера приведены в таблице (rp. I). Предварительно на той же или однотипной установке фотоэкспонирования без применений Светофильтра экспонирования три экрана кинескопа 51ЛК2П при времени 1709425 il Е щ 11 — матрица распределения реальной освещенности; Е1мин, Е2 — минимальные по величине элементы матриц II Eal ll u li Егн И. В ПрИВЕдЕННОМ ПрИМЕрЕ Е1уин = 58 отн.ед., Ez = 290 отн.ед. Результаты расчета прозрачности светофильтра также внесены в таблицу. Необходимое для напыления светофильтра число масок определяют как целую часть выражения N = logo,а Рр,ин+1. Так как минимальная прозрачность Рцу8ин = 0,22 (см. таблицу), то, подставляя Рл 4ин = 0,22 в выражение, получим N = logo,в х 0,22 + 1 = 7,97. Таким образом, необходимое число масок равно 7. ПоДставив значение РУ8ин и N в фоРмУеу P - /Рееее =. Ч8.28 = 0.804. опрере7 ляют прозрачность отдельного слоя светофильтра, напыленного через одну ма40 50 экспонирования: 5,15 и 45 с, На каждом экране во всех двадцати пяти точках замеряли ширину люминофорного покрытия. Ширина линий составляла от 0,12 до 0,45 мм, Для каждой иэ указанных точек опреде- 5 ляли экспозицию, как произведение освещенности в данной точке на время экспонирования (Е и - 5 х 58 = 290 отн, ед.; E88axc = 15 х 116 = 1740 отн.ед.). Далее для каждой из двадцати пяти точек строили rpa- . 10 фик зависимости размера люминофорных элементов (ширины линий) от экспозиции. На тех же графиках определяли экспозицию, необходимую для получения заданного размера люминофорного элемента .. 15 Например, для ширины линии 0,26 мм в углу экрана нужна экспозиция 1140 отн. ед. Проделав такую операцию для всех двадцати пяти точек экрана, определяют распределение экспозиций, необходимых для получе- 20 ния идеального экрана. Так как распределение экспозиций выполнено в отн. ед., а сама экспозиция отличается от освещенности постоянным множителем (время экспонирования),то распределениеэкспо- 25 зиций эквивалентно распределению освещенности для получения идеального экрана, Определение идеальной освещенности для каждой установки "Уран" выполняют только один раз. Результаты 30 приведены также в таблице. Расчетная прозрачность светофильтра в каждой из двадцати пяти конкретных точек определялась по формуле ll EZ() l l Е1мин 35 II Pll II = TIITI x где Ц =1 — 5; ll Ezii 1- матрица распределения идеальной освещенности; ску. Далее определяют минимальную прозрачность светофильтра как результат последовательного напыления через каждую из семи масок: одзна маска — Р = 0,804: две— Р =- 0,65; три — P = 0,52; четыре — P = 0,42 пять — Р = 0,36; шесть — P = 0,28; семь — Р 5, 6 = 0.22. В соответствии с фиг.4 графически определяют контуры отверстий масок построения графиков зависимости прозрачности светофильтров вдоль направлений АА, ВВ, СС, DD, ЕЕ и в перпендикулярных направлениях ММ, NN, КК, SS и ТТ. Как видно из фиг.4 на графиках построены также уровни прозрачности Р, Р, Р, +P 4 и Р, Точки пересечения соответствующего уровня, например Р, с графиками прозрачности 7 и 8 определяют координаты точек, принадлежащих линии оавной прозрачности, в данном случае — P, Проектируя упомянутые точки на одноименные линии координатной сетки 10 (фиг.4), получают совокупность точек контура отверстий одной.из масок. Такую последовательность операций проводят для каждого уровня прозрачности P, P,...,Р . Исключением является уровень Р ; отверстия маски этого уровня, как видно из фиг.4, вырожда.отся в точку. Поэтому вместо уровpN+ pN — 1 ня Р используют. уровень Экспериментальная проверка показала, что искажения, вносимые таким произвольным шагом, не влияют на качество светофильтра. Соединив между собой точки, принадлежащие одному уровню прозрачности, получают контур выреза одной маски. Контуры остальных масок получают аналогичным образом. На алюминиевые пластины размером 122 х 82 х 0,5 (ммз) переносят полученные линии одинаковой плотности, ограниченные прямоугольником 120 х 80 (MM2) (рабочая часть светофильтра), и по ним изготавливают отверстия масок. Изготовленные семь масок, корректирующая линза ПГУ 7,558,003, служившая подложкой светофильтра, распыляемый материал (300 мг хрома) монтируют в камеру установки вакуумного напыления типа УРМ 3.279.011 на устройство для напыления светофильтров. Устройство для напыления светофильтров состоит из плиты с отверстием, над которым размещают прозрачную подложку. На нижней стороне плиты смонтирован маскодержатель с отверстиями, обеспечивающий поочередную подачу масок в зону напыления. В отверстиях маскодержателя разме1709425 50 щают маски. Установка вакуумного напыления содержит испаритель, устройство для нагрева подложки (на которую напыляют светофильтр) и устройство оптического контроля за процессом напыления. Установку откачивают до вакуума 10 Па, прогревают подложку до температуры Т = 603 К, затем последовательно через каждую маску в отдельности производят напыление тонкопленочных покрытий прозрачностью P0,804 каждое со скоростью 0,05 нм/с. На плиту диаметром 448 мм и толщиной 5 мм с отверстием (диаметр 150 мм) устанавливают над отверстием подложку- корректирующую линзу — кварцевый диск диаметром 227 мм, одна сторона которого плоская. Маски (7 шт) монтируют на маскодержателе, выполненном в виде вращающегося диска диаметром 330 мм, толщиной 5 мм с четырьмя отверстиями 80 х 120 мм. Расстояние от испарителя до подложки 320 мм. По окончании напыления линзу с нанесенным светофильтром охлаждают до комнатной температуры, вынимают из установки вакуумного напыления и монтируют в установку фотоэкспонирования и производят замер освещенности со светофильтром. Результаты замера освещенности приведены в таблице (гр, lV). Из таблицы видно, что полученная с использованием светофильтра освещенность близка к расчетной, Предлагаемый способ изготовления светофильтров за счет учета реального распределения освещенности на каждой из установок фотоэкспонирования экранов ЦЭЛТ и распределения освещенности, необходимой для получения размеров люминофорных элементов (полос или мозаики), в пределах,,установленных для каждого типа кинескопов, позволяет получить скорректированную освещенность с минимальным отклонением от заданной не более 4 (при допустимых T 5$). Использование таких светофильтров обеспечивает улучшение качества люминофорного покрытия экранов ЦЭЛТ. Светофильтры, полученные предлагаемым способом, за счет большой минималь10 12 ной прозрачности по сравнению со светофильтрами, полученными известным способом, позволяют, кроме улучшения качества экранных покрытий, или сократить время экспонирования экранов ЦЭЛТ, или эксплуатировать установки фотоэкспонирования на пониженной мощности, экономя электроэнергию. По предлагаемому способу были изготовлены светофильтры для установок фотоэкспонирования экранов ЦЭЛТ 61ЛК5Ц, 51ЛК2Ц, 25ЛК2Ц и 63ЛКЦ. Формула изобретения Способ изготовления светофильтра для коррекцИи освещенности при фотоэкспонировании экранов цветных электронно-лучевых трубок, включающий предварительный замер на установке фотоэкспонирования распределения освещенности экспонируемого экрана без применения светофильтра, определения освещенности при изготовлении эталонного экрана, определений распределения прозрачности расчетного светофильтра, послойное вакуумное нэпыление на прозрачную подложку слоев светопоглощающего материала через набор масок с различным размером отверстий, с предварительным совмещением масок и подложки, и оптический контроль прозрачности напыляемых слоев в процессе напыления, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества люминофорных покрытий экранов цветных электронно-лучевых трубок путем обеспечения требуемой коррекции освещенности. направление слоев осуществляют со скоростью 0.005-0.5 нм/с до получения прозрачности каждого слоя Р= ЧРмии, где N — число используемых ЧР масок; Рмии минимальная величина матрицы 11 Ptl Ипроэрачности расчетного светофильтра, а число N применяемых для напыления масок определяют как целую часть выражений N - logo,â Рмин+1 для линейчатых люминофорных покрытий и выражения N = togo,g5" "Рмии+1 для мозаичных люминофорных покрытий, где i — строки матрицы, à j — столбцы. 1709425 1 X K о I Ш CL О 1 1 Z 1 (g С» 1 1- X I Оi8 1 1l,а (D I I- Ш о о * v 1 Э: 1 3 Х 1, ф Cg ш а о> I Ю I I I ф I Ш 1 О 1 .а 1о о l Х 1 Г I (g 1 CL (g (g Q. О 1I CLл с 1 (g o I Х 11 1» 1 ф I 3 и l Щ I ! fe I 1 I 1 I 1 I 1 1 ! ! 1 1 I 1 I I I 1 CD .й 1 (g е ф I S (Х 1- S о О tC Х Х I CD Ш 1 Б У 1 Э О I Ш (» v,o (c О 1= К 1 CD CC 2 s 1. -а cZ X I (D P I. (>S C 1 (D О сСХО 1 ф Я 1 CL. aO C:OZ v x (g t0 CL О 1 Ш I Х I 1 1 1- 1О CD о m r v 1 Х В (0 1 БЗ Ф 1 CD (О 1 Ш I (g I ф CL I S Ое Ш.О I CD (D .а 1 CD Y I CtГ Ш э о а х I Г (g и 1я v l 0 >е I 1 i 1 1 ! 1-1 г 1 Q. ! 1 l ! ! 1 ! 1 1 1 1 l со ("1 0O:1 со I (л -л- .л ж ! I t м )-- -(л-! (л ммм(л I 1 t 1 I 1 1 LAW«О ММ 1 1 «) М (лг М-б I w I -а I I C4 О -Ф -=(1 Ю ММciLD 1 I I 1 1 I 1 -а О МСО )л и1- (л (л f I, л() (лм 1 в.-(л ло а а в a a о ооо 1 1 I м. о м (л 1 лмmмл а в в в а ооооа 1 м 01 M а .4 NN ж м(л Н 1 - - - - 1 аооюа w 1 CV (ЛOМ(1 ° t лмммл Q. 1 е е л е е ) 1 ООооО ) 1 I I I 4 СО С) Wе — I 1 0(МЭ (Л "О CD 1 ! л е в в а ооооа 1 1 X 1 (g I 1 =Т 1 I S оо оа 1 ЧЭ -4 О- ) МЭ 1 X С»-сГ О 1 Ct I е- - О1-- -- 1 ф l 1 l х 1 I 2 О О 1 r.. l -сГЮЮЮ4 I .а 1 o D СО а а. 1 ЛО Л- 1 (Р 1 1 1и 1 S Н . 1 V оаоюо 1 0 а 1 СО Ц (К СО Q. I OO iО (Лiо CO 1 I1 1 О I m 1 1 о ю 1 (гг 1 ГOOO4 I Х а а со o o (g - ).,О Г. - 1 EL I i t . 1 .а 1 ° I lDî аа f v 1 О-а.а=ГV 1 О О.=à Π— 1 Z X (D I l =-Г . ) I CD I I Ш 1 ос.г(лсо 1 v 1 О ЛСО f» и I I 1 CD I OLD 1 ) е-СО е- О CDj 1. l CD - -О ) ) 1 Х 1 I ! 1 (g I I I сг мэ сО I маoг С(О----СО 1 CD ) ! 1 I мл сч о асч а 1 I 1 I С= ! 1 с) О о г - - 1 l О ЛО(! О 1709425 1709425 10 99 eg Редактор Э.Слиган Корректор О. Кравцова Заказ 432 Тираж ! Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5 рО Составитель И.Хомич Техред М. Моргентал Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101
