Устройство для выращивания кристаллов из расплава



 

Изобретение относится к технике получения искусственных кристаллов и обеспечивает сокращение времени ремонтных работ. Устройство содержит охлаждаемую камеру с тиглем и нагревателем. В нижней части камеры размещен сливной патрубок, соединенный с емкостью для сбора пролитого расплава, установленной вне камеры. Емкость имеет предохранительную мембрану. 1 ил.

Изобретение относится к оборудованию для получения полупроводниковых материалов и может быть использовано в установках для выращивания монокристаллов на затравку, например, кремния методом Чохральского. Известно устройство для выращивания кристаллов из расплава на затравку, содержащее охлаждаемую камеру с тиглем, нагревателем тигля и емкость для сбора пролитого расплава, расположенную под тиглем. Недостатком известного решения является то, что в большегрузных устройствах большое количество пролитого расплава остается в емкости внутри камеры, что вызывает увеличение камеры, кроме того, требуется значительное время на остывание пролитого расплава, что увеличивает время ремонтных работ. Целью изобретения является сокращение времени ремонтных работ. На чертеже изображено устройство для выращивания, разрез в зоне сливного патрубка и дополнительной емкости. Устройство для выращивания монокристаллов содержит плавильную камеру 1, камеру 2 для выращивания монокристалла, тигель 3 с расплавом 4, шток 5 вращения тигля, привод 6 вращения и перемещения тигля, нагреватель 7, поддон 8 плавильной камеры, теплозащиту 9, герметичную емкость 10, теплозащиту 11 емкости, мембрану 12, дренажную систему 13. Внутренняя полость плавильной камеры 1 сообщается с внутренней полостью герметичной емкости 10 через патрубок 14. При возникновении аварийной ситуации, вызванной проливом расплава при разрушении тигля или в другом случае, расплав, стекая по наклонной поверхности теплозащиты 9 поддона 8 и не задерживаясь на нем, попадает через сливной патрубок 14 в емкость 10. Поскольку емкость 10 отвакуумирована и заполнена инертным газом одновременно с плавильной камерой 1 и имеет теплозащиту 11, то попадание расплава внутрь этой емкости не вызывает нежелательных последствий, выделившийся газ прорывает предохранительную мембрану 12 и стравливается в дренажную систему 13. Расплав и емкости 10 затвердевает, емкость демонтируется и заменяется новой, и установка вновь готова к работе. Положительный эффект состоит в сокращении времени ремонтно-восстановительных работ за счет быстрого удаления расплава из объема плавильной камеры и остывания его вне камеры.

Формула изобретения

Устройство для выращивания кристаллов из расплава на затравку, содержащее охлаждаемую камеру с тиглем, нагревателем тигля и емкость для сбора пролитого расплава, отличающееся тем, что, с целью сокращения времени ремонтных работ, нижняя часть камеры снабжена сливным патрубком, соединенным с емкостью, установленной вне камеры и имеющей предохранительную мембрану.

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к автоматизации процессов выращивания профилированных кристаллов из расплава способом Степанов с применением смачиваемых расплавом формообразователен, может быть использовано для выращивания кристаллов полупповлдн 1кового кремния, лейкосапфира ниобата и тантапата литмк и друп х материалов ъ позволяв повысить качество регулирования процесса выоащивания псофилирозанных чр сталлов, реагирование технологических переменных процесса кристаллизации в зависимости от змен енмя веса и сил поверхностного натчхен я оэстущего кристалла, которое определяю-- на основании измеречш силы, приложенной к формообразователю, заглубленному п расплав

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов, а именно к управлению и измерению геометрических параметров кристаллов в процессе их выращивания, и позволяет расширить функциональные возможности и повысить точность определения диаметра кристалла

Изобретение относится к технике выращивания искусственных кристаллов и обеспечивает контроль за ростом кристалла из-под слоя флюса в глубоком тигле

Изобретение относится к устройствам автоматического управления процессами выращивания монокристаллов из расплава

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов, которые могут найти применение в квантовой электронике

Изобретение относится к технике высокочастотного нагрева, в частности к устройствам для поддержания температуры в установках для выращивания кристаллов, и позволяет повысить точность поддержания и регулирования температуры Б ростоных индукционных установках

Изобретение относится к устройству определения положения фронта кристаллизатДии,, используемому при кристаллизации кристаллов методами зонной плавки Бриджмена-Стокстаргера с целыо упрощения контроля положения фронта крист.аллизаггии

Изобретение относится к устройству для контроля процесса кристаллизации, может быть использовано в химической промышленности и позволяет повысить точность контроля структуры кристаллов в процессе их выращивания

Изобретение относится к технологии получения кристаллов и может быть использовано в химической промышленности при производстве рубинов для оптических квантовых генераторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов, а более конкретно к устройствам для выращивания монокристаллов из расплава,и обеспечивает увеличение стабильности скорости перемещения кристаллодержателя при, стях вытягивания кристаллов порядка 0.1-Ю ММ /Ч

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов, а более конкретно к устройствам для выращивания монокристаллов из расплава,и обеспечивает увеличение стабильности скорости перемещения кристаллодержателя при, стях вытягивания кристаллов порядка 0.1-Ю ММ /Ч

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов со структурой силеннита и позволяет увеличить производительность способа и предотвратить растрескивание монокристаллов Bli2Ge020 и BI12SI020 диаметром 60-90 мм

Изобретение относится к способу выращивания монокристаллов германэта висмута и позволяет улучшить КЛЧРСТ- во кристаллов и повысить выход годных

Изобретение относится к автоматизации процессов выращивания профилированных кристаллов из расплава способом Степанов с применением смачиваемых расплавом формообразователен, может быть использовано для выращивания кристаллов полупповлдн 1кового кремния, лейкосапфира ниобата и тантапата литмк и друп х материалов ъ позволяв повысить качество регулирования процесса выоащивания псофилирозанных чр сталлов, реагирование технологических переменных процесса кристаллизации в зависимости от змен енмя веса и сил поверхностного натчхен я оэстущего кристалла, которое определяю-- на основании измеречш силы, приложенной к формообразователю, заглубленному п расплав

Изобретение относится к химическому синтезу монокристаллов на основе танталата калия-лития и может быть использовано в оптических затворах и модуляторах, а также в СВЧ-резонаторах

Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов сложных окислов из расплава и может быть использовано для получения кристаллов LiNbOs и Gda(Mo04)3

Изобретение относится к нагревательным блокам устройств для получения искусственных кристаллов и обеспечивает повышение равномерности температурного поля по высоте нагревателя

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов, а именно к управлению и измерению геометрических параметров кристаллов в процессе их выращивания, и позволяет расширить функциональные возможности и повысить точность определения диаметра кристалла

Изобретение относится к получению искусственных кристаллов и обеспечивает уменьшение габаритов устройства и повышение удобства обслуживания, а также повышение производительности

© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности 2013-03-27T17:24:51
Наверх