Графитовый нагреватель

Авторы патента:

СИНЕВ АЛЕКСАНДР НИКОЛАЕВИЧ

СУРКОВ СЕРГЕЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ

ЧЕРНЯВЕЦ АНАТОЛИЙ НИКОЛАЕВИЧ

КВАШНИН БОРИС ИВАНОВИЧ

СТЕПАНОВ ГЕННАДИЙ БОРИСОВИЧ

C30B15/14 - нагревание расплава или кристаллизуемого материала

C30B11 - Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу Бриджмена-Стокбаргера (C30B 13/00, C30B 15/00,C30B 17/00,C30B 19/00 имеют преимущество; под защитной жидкостью C30B 27/00)

Изобретение относится к нагревательным блокам устройств для получения искусственных кристаллов и обеспечивает повышение равномерности температурного поля по высоте нагревателя. Нагреватель имеет форму полого цилиндра с вертикальными прорезями, выполненными попеременно сверху и снизу. По торцам цилиндра в прорезях выполнены гнезда, в которых установлены армирующие элементы в форме штырей из электроизоляционного, теплостойкого и прозрачного материала, такого как лейкосапфир. циркон, рубин или гранат. Нагреватель обеспечивает повышение качества продукции на 4,8%. 1 з.п. ф-лы, 1 ил,

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИ4ЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 С 30 В 11/00, 15/14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4352565/26 (22) 29.12.87 (46) 15.11.91. Бюл. М 42 (72) А.Н.Синев, С.А.Сурков, А.Н.Чернявец, Б.И.Квашнин и Г.Б.Степанов (53) 621,315.592(088.8) (56) Патент Великобритании М 2136310, кл.

С 30 В 15/20, 1984. (54) ГРАФИТОВЫЙ НАГРЕВАТЕЛЬ (57) Изобретение относится к нагревательным блокам устройств для получения искусственных кристаллов и обеспечивает

Изобретение относится к получению искусственных кристаллов, конкретно к нагревательным блокам устройств для выращивания кристаллов.

Цель изобретения вЂ” повышение равномерности температурного поля по высоте нагревателя.

На чертеже изображен нагреватель, продольный разрез.

Нагреватель выполнен в форме полого цилиндра 1 с несущими элементами 2 с отверстиями 3 для его крепления. Цилиндр 1 имеет вертикальные прорези 4, выполненные попеременно сверху и снизу и образующие ветви нагревателя . В прорезях 4 по торцам цилиндра 1 выполнены гнезда, в которых установлены армирующие элементы в форме штырей. В верхней части цилиндра 1 штыри 5 установлены вертикально, а в нижней части цилиндра 1 штыри 6 установлены горизонтально. Штыри 5 и 6 выполнены из электроизоляционного, теплостойкого и прозрачного материала, такого как лейкосапфир, циркон, рубин или гранат.

„„. Ж „„1691431 А1 повышение равномерности температурного поля по высоте нагревателя. Нагреватель имеет форму полого цилиндра с вертикальными прорезями, выполненными попеременно сверху и снизу. По торцам цилиндра в. прорезях выполнены гнезда, в которых установлены армирующие элементы в форме штырей из электроизоляционного, теплостойкого и прозрачного материала, такого как лейкосапфир, циркон, рубин или гранат.

Нагреватель обеспечивает повышение качества продукции на 4,8%. 1 з.п. ф-лы, 1 ил, Графитовый нагреватель работает следующим образом.

При подаче питающего напряжения на несущие элементы 2 происходит разогрев цилиндра 1. При этом штыри 5 и 6 препятствуют деформациям цилиндра 1 как в радиальном, так и в осевом направлениях, Использование прозрачного материала для изготовления штырей улучшает условия теплообмена между ветвями нагревателя за счет лучистого теплообмена, что повышает равномерность температурного поля по высоте нагревателя.

Конструкция нагревателя обеспечивает повышение срока службы на 40%, повышение качества продукции на 4,8% и за счет этого снижение потерь сырья на 23,4%.

Формула изобретения

1. Графитовый нагреватель устройства для выращивания кристаллов, имеющий форму полого цилиндра с вертикальными прорезями, выполненными попеременно сверху и снизу, снабженного армирующими элементами из электроизоляционного и

1691431 в прорезях выполнены гнезда для их размещения.

Составитель В,Захаров-Черенков

Техред M.Ìîðãåíòàë Корректор M.ØàðoUjè

Редактор M.Ïåòðoâà

Заказ 3908 T l!I p8 >К Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 теплостойкого материала, установленными в прорезях по торцам цилиндра, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью повышения равномерности температурного поля по высоте нагревателя, элементы выполнены в форме штырей из прозрачного материала, а

2. Нагреватель по и. 1, о т л и ч а ю щ и5 и с я тем, что штыри выполняют из лейкосапфира, циркона, рубина или граната.

Изобретение относится к технологии получения кристаллов вытягиванием из расплава

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава // 1466275

Изобретение относится к выращиванию кристаллов и обеспечивает повышение качества кристаллов и выхода в годную продукцию за счет создания управляемого изометрического температурного поля вокруг кристалла

Способ выращивания монокристаллов сложных оксидов из расплава и устройство для его осуществления // 1228526

Способ получения монокристаллов сложных окислов и устройство для его осуществления // 1165095

Нагреватель сопротивления // 887630

Тепловой узел // 857308

Способ выращивания монокристаллов оксидов и устройство для его осуществления // 786110

Ампула для выращивания кристаллов из расплава // 1673652

Изобретение относится к области выращивания кристаллов методом направленной кристаллизации

Устройство для группового выращивания кристаллов // 1666584

Изобретение относится к технологии получения оптических монокристаллов

Способ выращивания монокристаллов тугоплавких оксидов // 1658668

Способ синтеза и наплавления шихты германоэвлинита и устройство для его осуществления // 1649852

Изобретение относится к технологи получения кристаллов германата висмута со структурой эвлинита Bi Ge О и может быть использовано для промышленного производства сцинтилляционных кристаллов, находящих применение в ядерной физике , физике высоких энергий, позитронной и технической томографии и других областях науки и техники

Способ получения амплитудных фильтров // 1647044

Изобретение относится к электронной технике и позволяет расширить спектральный диапазон пропускания амплитудных фильтров в ближнюю инфракрасную область спектра и сократить толщину фильтра за счет увеличения коэффициента поглощения на краях в видимой области спектра

Способ получения дисперсных частиц // 1638217

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению монокристаллов сферической и нитевидной форм, которые могут быть использованы в практике физического эксперимента и как материалы со специально созданным комплексом свойств: высоким уровнем прочности, коррозионной износостойкости

Способ определения фронта кристаллизации и устройство для его осуществления // 1635598

Способ выращивания монокристаллов // 1624064

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов и позволяет получать ориентированные кристаллы цепочной или слоистой структуры с низкой степенью деформации

Устройство для выращивания кристаллов тугоплавких веществ // 1624063

Изобретение относится к технике выращивания искусственных кристаллов и обеспечивает повышение качества кристаллов за счет уменьшения теплоотвода при выходе контейнера из зоны нагрева

Способ плавления и/или кристаллизации веществ // 1620510

Изобретение относится к управлению термодинамическими потоками и может быть использовано при разработке и оптимизации различных массообменных процессов, включая тепломассоперенос в жидкой фазе, плавление и/или кристаллизацию

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений // 2105831

Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6

Устройство для получения термоэлектрических материалов // 2107116

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению и может найти применение в создании высокоэффективных преобразователей на основе полупроводниковых материалов для прямого преобразования тепловой энергии в электрическую, например, в холодильниках, термостатах, агрегатах для кондиционирования воздуха и других устройствах

Способ выращивания звездчатых монокристаллов тугоплавких окислов по методу вернейля // 2124077

Изобретение относится к производству монокристаллов корунда и других тугоплавких веществ по методу Вернейля, в частности кристаллов сапфира и рубина с эффектом астеризма, которые иначе называются звездчатыми

Способ получения высококачественных монокристаллических заготовок // 2127774

Изобретение относится к металлургии, преимущественно к технологии получения литых монокристаллических заготовок из сплавов, содержащих Fe-Co-Ni-Al-Cu-Ti (ЮНДКТ)