Способ настройки многофункциональной электронно-лучевой установки

 

Использование: в микрозондовой технике , например электроннои ионно-лучевой технологии производства изделий микроэлектроники. Сущность изобретения: после предварительной настройки зондоформирующей системы получают изображение на экране видеоконтрольного устройства, затем отключают растровую систему и переводят электронно-лучевую установку в высокомощный режим, после чего переводят установку в исходный режим и включают растровую систему, совмещают центр растра с центром облученного участка . Указаны требования к тест-объекту в виде островковой пленки на подложке. 1 з.п. ф-лы.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 Н 01 J 37/28

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

Ц1Ugg $

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЪСТВУ (21) 4632590/21 (22) 05.01.89 (46) 23.06.92, Бюл. hh 23 (71) Московский институт электронного машиностроения (72) В.В. Рыбалко (53) 621.385(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

N. 1157589, кл. H 01 J 37/26, 1983.

Авторское свидетельство СССР

М 928466, кл. Н 01 J 37/24, 1980. (54) СПОСОБ НАСТРОЙКИ МНОГОФУНКЦИО НАЛ Ъ НОЙ ЭЛЕКТРОН НО-ЛУЧЕВОЙ

УСТАНОВКИ

Изобретение относится к микроэондовой технике, например электронно- и ионно-лучевой, и может быть использовано в лучевой технологии;производства изделий микроэлектроники.

Целью изобретения является повышение точности настройки за счет компенсации смещения электронного пучка.

При осуществлении способа на объектодержатель устанавливают тест-объект, . представляющий собой керметную шайбу, с нанесенным на нее слоем серебра толщиной 200 А; На пушку подают ускоряющее напряжение 4 кВ, на конденсорный блок— ток возбуждения 0,4 А. Включают растровую систему, юстировки и стигматор. Режимы работы элементов зондоформирующей системы обеспечивают возможность неразрушающего облучения тест-объекта зондом с диаметром порядка 250 А и током 10 А, Изменением возбуждения формирующей линзы добиваются резкого изображения по„„,Ж„„1742898 А1 (57) Использование: в микроэондовой технике, например электронно- и ионно-лучевой технологии производства изделий микроэлектроники. Сущность изобретения: после предварительной настройки зондоформирующей системы получают изображение на экране видеоконтрольного устройства, затем отключают растровую систему и переводят электронно-лучевую установку в высокомощный режим, после чего переводят установку в исходный режим и включают растровую систему, совмещают центр растра с центром облученного участка. Указаны требования к тест-объекту в виде островковой пленки на подложке.

1 з.п. ф-лы. верхности тест-объекта на экране видеоконтрольного устройства при масштабе увеличения 10 000 крат. Такое полезное увеличение может быть легко получено благодаря тому, что пленка серебра имеет трещины между островками шириной порядка

0,1 мкм. Эти трещины и дают четкий рельеф картины. Пилообразные токи, подаваемые на растровую систему, симметричны относительно нулевой точки; т. е. амплитуда отрицательных токов равна соответствующим амплитудам положительных токов.

Далее отключают растровую систему и увеличивают в три раза ток 1 возбуждения формирующей линзы и в девять раз ускоряющее напряжение О. T. e. U 36 к8. Снижение тока возбуждения конденсоров до 0 2 А позволяет увеличить ток пучка до 5 10 А.

Время облучения тест-объекта порядка

10 с приведет к испарению серебра под пучком. Этот участок диаметром 2-4 мкм будет выглядеть как отверстие в пленке. Да1742898

I Составитель E. Барышевский

Редактор М. Кузнецова Техред M.Ìîðãåíòàë Корректор О. Ципле

Заказ 2290 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул,Гагарина, 101 лее переводят зондоформирующую систему в исходное состояние и формируют на экране изображение облученного участка (отверстия в пленке). Перемещая растр по поверхности объекта путем сдвига пилообразных токов развертки относительно нулевых точек, добиваются еовмещения центра выфрезерованного отверстия с центром растра (т. е, экрана).

П редлагаемый способ позволяет существенно расширить функциональные возможности электронно-лучевой техники за счет обеспечения возможности использовать ее для решения двух и более совмещаемых задач.

Формула изобретения

1, Способ настройки многофункциональной электронно-лучевой установки, включающий установку тест-объекта, включение и предварительную настройку зондоформирующей системы, получение изображения на экране видеоконтрольного устройства и оценку качества настройки зондоформирующей системы по параметрам полученного изображения, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения точности настройки за счет компенсации смещения электронного пучка, после получения изображения отключают растровую систему, переводят электронно-лучевую ус5 тановку в высокомощный режим, путем изменения токов возбуждения линз и/или ускоряющего напряжения пушки, после этого переводят электронно-лучевую установку в исходный режим, включают растровую си10 стему, получают иэображение тест-объекта и смещают растр на поверхности образца до совмещения центра облученного участка с центром экрана путем регулировки постоянной составляющей токов в отклоняющих

15 катушках.

2. Способ поп.1,отл ича ю щийс я тем, что в качестве тест-объекта используют структуру, представляющую собой подложку из материала с малой теплопро20 водностью и коэффициентом вторичной электронной эмиссии, покрытую островковой пленкой электропроводного материала, причем пленку выбирают с удельной теплотой испарения меньшей, чем удельная выде25 ляемая мощность электронного пучка в режиме высокой мощности.

Способ настройки многофункциональной электронно-лучевой установки Способ настройки многофункциональной электронно-лучевой установки 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к исследованию поверхности методом туннельной микроскопии

Изобретение относится к структурным исследованиям поверхности с использованием туннельного эффекта

Изобретение относится к устройствам для микроанализа образца, Целью изобретения является расширение диапазона изменении и точности микроанализа образца зи счет изменения в ходе эксперимента выхода вторичного излучения в двух или более противоположно-симметричных направлениях относительно точки возбуждения

Изобретение относится к электронной микроскопии и может быть использовано при документировании результатов исследований

Изобретение относится к микрозондовой технике и предназначено для стробирования электронного пучка в электронно-оптических системах при исследовании динамических процессов

Изобретение относится к растровой электронной микроскопии полупроводниковых объектов и может быть использовано для визуализации и измерения распределения времени жизни неравновесных носителей заряда по поверхности этих объектов

Изобретение относится к электронным вакуумным приборам, в частности к эмиссионным микроскопам и видеоусилителям, и раскрывает способ визуализации и увеличения изображений исследуемых объектов

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, а более конкретно к устройствам, обеспечивающим наблюдение, измерение и модификацию поверхности объектов в туннельном и атомно-силовом режимах

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, а именно к устройствам, обеспечивающим наблюдение, измерение и модификацию поверхности объектов в туннельном и атомно-силовом режимах

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, к устройствам, обеспечивающим наблюдение, измерение и модификацию поверхности в многоигольчатом комплексном режиме работы

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, к устройствам, обеспечивающим наблюдение, измерение и модификацию поверхности объектов в туннельном и атомно-силовом режимах в условиях сверхвысокого вакуума и в широком диапазоне температур

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, а именно к устройствам, обеспечивающим наблюдение, изменение и модификацию поверхности объектов в туннельном и атомно-силовом режимах

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, к устройствам, обеспечивающим наблюдение, измерение и модификацию поверхности объектов в режиме сканирующего туннельного микроскопа (СТМ) или атомно-силового микроскопа (АСМ)
Наверх