Способ резки полупроводниковых слитков

Авторы патента:

B28D5 - Способы и устройства для тонкой обработки драгоценных камней, камней для часовых механизмов, кристаллов, например полупроводниковых материалов (обработка шлифованием или полированием B24; устройства для выполнения художественных работ B44B; немеханическими способами C04B 41/00; немеханическая последующая обработка монокристаллов C30B 33/00)

Использование: при резке полупроводнйкЬвьТХ Пматер5йалов в электронной промышленности . Сущность изобретения: способ резки полупроводниковый слитков на пластины осуществляется прямолинейным перемещением слитка относительно вращающегося круга. Перед отрезанием пластины производится нанесение покрытия на основе графита на обрабатываемую поверхность слитка и режущей кромки алмазного круга, причем нанесение покрытия на режущую кромку алмазного круга осуществляют на протяжении процесса резки в виде смазки. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕ СПУБЛИК (sl)s В 28 D 5/00

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТЙУ (21) 4880427/33 (22) 16.10.90 (46) 30.12.92, Бюл. И 48 (75) И.Б,Хомин (56) Авторское свидетельство СССР, N. 1361869, кл. В 28 О 5/00, 1986.

Авторское свидетельство СССР йв 1441665, кл, В 28 D 5/00, 1985, (54) СПОСОБ РЕЗКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЛИТКОВ (57) Использование ; при резке полупровод. íиковьгх материалов в электронной- про Изобретение относится к области обработки полупроводниковых материалов и может быть использовано при резке полупроводниковых материалов в электронной промышленности.

Известен способ резки цилиндрических слитков на пластины; включающий перемещение режущего инструмента относител ьйо слитка, заключающийся в том, что поверхность Слитка смазывают мастикой, формируя по длине слитка параллелепипед со сторонами, в поперечном сечении на 5-20 Д превышающими диаметр разрезаемого слитка. При этом нанесение покрытия на режущую кромку осуществляют путем подачи на нее посгоянно смазки (1).

Недостатком данного способа резки является то, что при высоких скоростях резки (частота вращения кругов 1600 вЂ” 2200 . об/мин при резке слитков и 1500045000 об/мин при резке пластин) пространство: между разрушающимися алмазными зернами на режущей кромке забивается мастикой и продуктами реза, йри этом подача смазки в зону реза ограничена, . Ц 78М 67 А1

2 мышленности. СущноСть изобретения: способ резки пол упроводников ъх с л ит ко в на пластины осуществляется прямолинейным йеремещением слитка относительно враща- ющегося круга. Перед отрезанием пластины производится нанесение покрытия на основетрафита на обрабатываемую поверхность. слитка и режущей кромки алмазного круга, йричем нанесение " пбкрытия -на режущую крЬмку алмазного .круга осуществляют на протяжении процесса резки в виде смазки.

2 ил.

Ф, W что приводйт к ухудшению геометрии отре- Ф . заемых пластин и снйжейию производительности резки;

Наиболее близким к предлагаемому способу является способ резки слитков полупроводниковых материалов, заключающийся в том, что слиток в момент врезания подают со скоростью, не превышающей

0,15Vcq с последующим увеличением скорости подачи к средине слитка и уменьшением ее к концу обработки, йричем текущее значение скорости подачи V в заданной зоне слитка определяется по заданной формуле 4 с текущими размерами зоны слитка в на- О правлении резания (2), Недостатком данного способа является эйачительное изменение скорости подачи алмазного круга в процессе резки из-за сколов, возникающих во время врезания круга в слиток и во время окончания реза. а также заполнение пространства между разрушившимися алмазными зернами на поверхности режущей кромки продуктами реза.

Цель изобретения вЂ” увеличение производительности резки и повышение качества

1784467 отрезаемых пластин путем уменьшения радиального биения режущей кромки, Указанная цель достигается тем, что перед отрезанием пластины производят нанесение покрытия на основе графита на обрабатываемую поверхность слитка и режущей кромки алмазного круга, причем йанесен ие покрытия на режущую кромку алмазного круга осуществляют на протя>кении riроцесса" реей в виде смазки, Способ заключа»ется в том, чт* о при» рез ке полупроводниковых слитков (отрезании пластин от слитка) производят йанесение покрытия на основе графита, йри этом.. вЂ” на обрабатываемую поверхность

Слитка s виде слоя смазки, заполняющей микроне»ровности, царапины и придающей слитку форму (цилиндра, призмы и т.п; в зависимости от расположения базовбго и дополнитЕльных срезов Ориентации слитка), обеспечивающую образование ограничйтельных стенок в нанесенном слое для алмазного. круга в момент врезания и выхода его из полупроводниковою слитка; вЂ” на рабочую поверхность режущей кромки осуществляют на протяжении всего

Процесса резки в виде смазки захватываемой абразивными зернами режущей кромки для подачи ее в зону резки.

Способ резки полупроводниковых слитков осуществляется следующим образом и поясняется чертежами, На фиг. 1 схематически показано ради альное сечение слитка после покрытия.

На фиг. 2 представлена схема резки слитка алмазным кругом.

На йолупроводниковый слиток 1 (фиг. 1) перед отрезанием пластины, вокруг обрабатываемой поверхности по контуру 2, наносят покрытие на основе графита 3 в виде слоя; заполня ащего микронеровности, царапинь и придающего слитку форму(цилиндра, призмы и др.) в зависимости от расположения его базового и дополнительнйх срезов.

Затем производят установку алмазйого . круга (диска) 4, проведя ориентацию слитка

1 и его фиксацию в оправке 5 клеящей мастикой 6 (фиг, 2).

5 После этого в зону резки подают смазочно-охлаждающую жидкость и осуществляют прямолинейное перемещение слитка 1 относительно вращающегося круга 4 и производят его резку режущей кромкой 7, на

10 которую стержнями на основе графита 8 че"рез направляющие 9 наносят покрытие на основе графита на протяжении всего процесса резки, Отрезав пластину, слиток перемещают на заданный шаг и цикл повторяют.

15 Изобретение обеспечивает уменьшение радиального биения режущей кромки, увеличение производительности и качества порезки, при этом также повышается стой- . кость режущей кромки круга за счет умень20 шения трения, и постоянного заполнения пустот (образующихся в результате разрушения алмазных зерен) графитовой смазкой.

Особенно важно, что данный способ

25 широко применим при разделении полупроводниковых пластин на кристаллы.

Формула изобретения

Способ резки полупроводниковых слитков на пластины алмазным кругом, включа30 ющий закрепление слитка, его ориентацию и последующее отрезание пластины прямолинейным перемещением слитка относительно вращающегося круга, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения

35 производительности резки и качества отрезаемых пластин путем радиального уменьшения радиального биения режущей кромки, перед отрезанием пластины производят нанесения покрытия на основе графи40 та на обрабатываемую поверхность слитка и режущей кромки алмазного круга, причем нанесение покрытия на режущую кромку алмазного круга осуществляют на протяжении процесса резки в виде смазки.

1784467

Составитель И, Хомин

Редактор Н. Егорова Техред М,Моргентал Корректор. Л. Лукач

Заказ 4340 Тираж Подписное

BHMNtlN Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР.

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб.; 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Камнедержатель с приспособлением для обработки // 1766243

Способ резки монокристаллов // 1761521

Изобретение относится к механической обработке твердых и хрупких материалов и может быть использовано при разделении полупроводниковых и диэлектрических монокристаллов на пластины

Способ огранки ювелирных камней с произвольной формой рундиста // 1759644

Способ обработки кристаллов алмаза и устройство для его осуществления // 1757895

Устройство для огранки алмазов // 1754463

Способ разделения пластин на кристаллы двухдисковым инструментом // 1747285

Устройство для адаптивного формообразования цилиндра на алмазной заготовке // 1726276

Изобретение относится к технологическому оснащению производства переработки алмазов в бриллианты и мсжет быть использовано для круглого шлифования заготовок из материалов высокой твердости

Устройство для вакуумного скола полупроводниковых монокристаллов // 1701562

Изобретение относится к устройствам для обработки полупроводниковых материалов и может быть использовано при подготовке образцов полупроводниковых монокристаллов с атомарно-чистой поверхностью

Способ изготовления бриллиантов произвольной формы // 1699782

Изобретение относится к технологии ювелирного производства, а именно к технологии изготовления ювелирных камней с огранкой в бриллианты

Способ выполнения маркировки на алмазе, способ изготовления вкладыша пресс-формы, способ обработки изделий из бриллиантов, пресс-форма для экструдирования волокон, проволок, нитей и подобных изделий и способ выполнения маркировки на жемчуге, драгоценном или полудрагоценном камне // 2102231

Способ обработки алмаза // 2123424

Изобретение относится к обработке алмазов, а именно к нанесению несмываемой линии на алмаз

Способ обработки алмаза // 2125934

Изобретение относится к обработке алмазов, а точнее к способу изготовления алмазных украшений с использованием метода нанесения несмываемых линий (гравировки) на алмазе

Способ технической и художественной разметки поверхности и объема минеральных объектов (варианты) // 2133195

Изобретение относится к области технологии обработки поверхности геолого-минералогических аншлифов в лабораторной практике, а также к технологии шлифовки и огранки поделочного и ювелирного камня

Способ разрезания блоков из твердых материалов на пластины проволочной пилой и проволочная пила для осуществления способа // 2138372

Изобретение относится к разрезанию блоков из твердых материалов, в частности из полупроводников, стекла и керамики, на пластины путем воздействия свободно подаваемого абразива и бесконечного циркулирующего прочного несущего элемента

Устройство для распиливания кристалла // 2148495

Изобретение относится к производству бриллиантов, а также может быть применено при распиливании драгоценных камней

Способ резки монокристаллов кремния // 2155131

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых подложек и предназначено для использования на операциях резки монокристаллов кремния на пластины в электронной промышленности

Способ маркировки бриллиантов // 2161093

Способ резки монокристаллов и других хрупких материалов // 2167055

Изобретение относится к области механической обработки твердых хрупких материалов, а именно к способам механической резки монокристаллов на пластины

Способ обработки янтаря // 2173258

Изобретение относится к способам обработки янтарного сырья преимущественно мелких фракций и получения янтарных изделий, а также различных композиций, в состав которых входит янтарь