Гермоввод

 

Изобретение относится к электронной технике и может быть применено при электрическом вакуум-плотном соединений аппаратуры , размещенной в гермокорпусах, В качестве диэлектрической детали термоввода используют пластину из композиционного материала, включающего алмаЗНую и стеклофазы, причем на обеих поверхностях пластины с помощью, например, обработки лазером выполнены проводящие зоны, глубина которых не превышает толщины пластины . В области пересечения этих зон образованы электропроводящие участки, которые являются герметичными. 3 з.п.флы, 4 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (sr)s Н 05 К 5/06

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) б

ОПИСАНИЁ ИЗОБРЕТЕНИЯ н.

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1 (21) 4754821/21: 4755505/21 (22) 22.08.89 (46) 23,01..93. Бюл. М 3 (71) Научно-производственное объединение

"ЭЛАСи (72) В.И.Боронин, Ю.С,Макаренков, В.Н.Чиков и B.È.Øàðàíoê (56) Заявка Японии М 58-35356, кл. Н 01 R 43/00, 1983. (54) ГЕРМОВ ВОД (57) Изобретение относится к электронной технике и может быть применено при элекИзобретение относится к электрорадиоэлектронной технике и может использоваться для электрического вакуум-плотного соединения аппаратурй, размещенной в гермокорпусах..

Целью изобретения является увеличение Выхода годных, йбвыШение технологичности и надежности за" счет повышения герметизации сквозных электропроводя, щих участков.

На фиг.1 показан вид электропроводящих зон с одной из сторон пластин; на фиг.2 — сечение по толщине пластины в месте выполнения электропроводящих эон"; на фиг.3 — монтаж пайкой внешних проводников; на фиг.4 — монтаж микросхемы с шариковыми выводами на гермовводе.

Гермоввод имеет металлический корпус

1 с закрепленной в нем диэлектрической пластиной 2, в которой размещены сквозные электропроводящие участки, состоящие из двух электропроводящих зон 3 и 4.

Пластина 2 выполнена из композиционного материала, содержащего алмазную и стеклофазы, злектропроводящие участки

„„5Q„„1790045 А1 трическом вакуум-плотном соединении. ariпаратуры, размещенной в гермокорпусах. В качестве диэлектрической детали гермоввода используют плэстину из комйдзиционного материала, включающего алмазную-и стеклофазы, причем на обеих поверхностях пластины с помощью, например, обработки лазером выполнены проводящие зоны, глубина которых не превышает толщины пластины. В области пересечения этих зон образованы электропроводящие участки, которые являются герметичными. 3 з.п.флы, 4 ил. состоят из зон 3 и 4 и составляют одно целое с пластиной 2, так как сформированы высокоэнергетическими импульсами, например, при помощи лазера с превращеНием алмазной фазы в графитовую.

Электропроводящие участки представляют собой взаимно перпендикулярные протяженные электропровддящие зоны 3 и

4, расположенные с двух сторон пластины, при этом глубина д, ширина — h и длина . о каждой из электропроводящих зон выбраны ( из выражений .; р д н/г, 1/h «3, где Н вЂ” толщина диэлектрической пластины, мм.

Глубина ка>кдой иа аон 3 и 4 опрадаляется гарантированным получением сквозно- ". и

ro электропроводящего участка при формировании зон с двух сторой плоасгйнк ы, отношение L/h >3 при взаимно перпендикулярном расположении электропроводя- щих зон определяет условие обеспечения требования стабильной величины электрического сопротивления гермоввода при од4

1790045

Н вЂ” 0,5

Н вЂ” 0,5

Н новременном обеспечении минимально возможного шага, при необходимой точности совмещения пятна на разных сторонах пластины и минимальной мощности источника энергии.

Гермоввод в местах расположения электропроводных участков на пластине 2 с одной или двух сторон может иметь сферические углубления 5, радиус которых выбирают из выражения где Н вЂ” толщина пластины, мм;

a — длина дуги углубления в его диаметральном сечении, град.

При этом толщина электропроводящего участка между сферическими углублениями на противоположных плоскостях пластины находится в пределах 0,5 — 1 мм.

Толщина пластины НЖ;5 мм принята, из условйя сохранения вакуумной плотности герметизации. .Толщина пластины Н"-1 мм в месте выполнения электропроводящих участков выбрана из условия, что электропроводящая зона может быть сформйрована лишь на глубину до 0,6 мм с одной стороны, так как увеличение ее глубины влечет прогрессивное нарастание рассеяния энергии источниФормула изобретения

1. Гермоввод, содержащий металлический корпус с герметично закрепленной в нем диэлектрической пластиной, на которой

-выполнены сквозные электропроводящие участки, отличающийся тем, что; с целью повышения технологичности и надежности за счет повышения герметизации сквозных электропроводящих участков, диэлектрическая пластина выполнена из композиционного материала, включающего алмазную фазу и стеклофазу, а сквозные электропроводящие участки образованы пересечением йротяженных электропроводящих зон, выполненных на противоположных поверхностях пластины, причем глубина д, ширина h и длина L каждой из электропроводящих зон выбраны из выражений д Н/2; L/h = 3. где Н вЂ” толщина диэлектрической пластины, мм. ка и, следовательно, неравномерности структуры зоны, возможности прожогов.

При радиусе В2 0,6 мм и угле а 60 обеспечивается оптимальная площадь и толщина металлизации 6 в месте пайки, а также необходимая адгезия, прочность и электропроводность монтажного спая 7 монтажного проводника 8 при металлизации 6 углубления 5.

Указанные значения радиуса и угла углублений позволяют,. при необходимости, выполнять качественную групповую пайку, например, плоских кабелей или микросхем

9 с шариковыми выводами 10 при мини15 мальном шаге расположения выводов, автоматической фиксации микросхем по углублениям. При этом существенно то, что наличие углублений гарантирует надежное соединение (пайку) всех выводов, даже при

20 их некоторой разновысотности, После изготовления, установки и монтажа внешней коммутации гермоввод обеспе чивает надежную защиту аппаратуры . гермокорпуСа от внешних воздействий в

25 широком диапазоне изменения температур, давлений, влажности при минимальных габаритах, соизмеримых с размерами микроэлектронной аппаратуры, так как электропроводящие участки и композици30 онный материал пластины имеют минимальное различие в коэффициентах линейного расширения.

2. Гермоввод поп.1,отличающийся тем, что, по крайней мере одна поверхность электропроводящей эоны металлизирована и соединена с металлическим проводником.

3. Гермоввод по пп.1 и 2, о т л и ч а ю щ ий с я тем, что с одной или с обеих сторон пластйны в местах расположения злектропроводящих участков выполнены сферическйе углубления, радиус R которых выбран из выражения

2 1 — cosa 2 2 1 — cosa 2

50 где а- длина дуги углубления в его диаметральном сечении, град.

4. Гермоввод по пп.1-3, о т л и ч а ю щ ий с я тем, что сферические углубления вы55 полнены радиусом йЖ,6 мм в пределах угла а > 60 .

1790045

Составитель Д.Рау

Редактор Г.Бельская ТехредM,Moðãåíòàÿ Корректор И.Муска

Заказ 363 Тираж Подписное

ВНИЙПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101