Способ получения высокотемпературных сверхпроводников

Авторы патента:

H01L39/24 - способы и устройства для изготовления или обработки предусмотренных в H01L 39/00 приборов или их частей (не предназначенные специально для этой цели H01L 21/00; магнитное разделение сверхпроводящих материалов от других материалов, например с использованием эффекта Мейснера, B03C 1/00)[2]

Способ получения высокотемпературных сверхпроводников, включающий измельчение исходных солей и/или оксидов, гомогенизацию, отжиг, охлаждение, измельчение спека, введение оксида таллия (III), прессование таблеток и заключительный отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения критической температуры, содержания сверхпроводящей фазы в образце и исключения потерь таллия, одновременно с оксидом таллия в шихту вводят 1,0 - 2,0 моль нитрата калия в расчете на один моль исходного вещества, при этом заключительный отжиг проводят при температуре 850 - 870^oС в течение 5 - 10 мин.

Способ определения критической температуры сверхпроводящего перехода керамики yba2cu3o7- // 1793811

Изобретение относится к области сверхпроводимости

Сверхпроводящее электронное устройство и способ его изготовления // 1785056

Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих покрытий // 1783940

Способ изготовления болометра // 1780476

Изобретение относится к технической физике, а именно к области измерения тепловых потоков излучения, в частности к тепловым приемникам излучения, работающим при низких температурах

Способ получения оксидного сверхпроводящего материала yba2 cu3o7-x // 1776168

Способ обработки иттрий-бариевых высокотемпературных сверхпроводников // 1752155

Способ синтеза иттрий-бариевых купратов // 1752154

Способ изготовления изделий из иттрий-бариевого высокотемпературного сверхпроводника // 1752153

Способ получения фазы bi2sr2cacuocuo8- путем кристаллизации из расплава // 1748587

Способ изготовления высокотемпературного сверхпроводящего перехода джозефсона // 2105390

Изобретение относится к криогенной микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении электронных приборов и устройств, работа которых основана на сверхпроводимости и эффекте Джозефсона, с рабочей температурой вблизи температуры кипения жидкого азота и характеристиками, неуступающими характеристикам аналогов, работающих при температуре 4,2 K

Способ изготовления высокотемпературного сверхпроводящего перехода джозефсона // 2107358

Изобретение относится к криогенной микроэлектронике и может быть использовано для изготовления электронных приборов и устройств, работающих в сверхвысокочастотном диапазоне частот, с уровнем собственных шумов, приближающимся к квантовому порогу, работа которых основана на явлении высокотемпературной сверхпроводимости и эффекте Джозефсона, с рабочей температурой вблизи температуры кипения жидкого азота и характеристиками, неуступающими характеристикам аналогов, работающих при температуре 4,2 К

Способ формирования многослойных структур с разными электрофизическими свойствами // 2107973

Сверхпроводящий квантовый интерференционный датчик и способ его изготовления // 2133525

Способ получения структуры металл/диэлектрик/высокотемпературный сверхпроводник // 2156016

Способ бесконтактного определения эффективности центров пиннинга в сверхпроводниках // 2160485

Изобретение относится к области измерительной техники, а точнее к способам измерения параметров сверхпроводящих материалов, в частности силы пиннинга

Способ повышения критического тока сверхпроводника // 2172043

Изобретение относится к области получения сверхпроводников, сверхпроводящих композиций и проводников на их основе

Способ изготовления интегральных схем со сверхпроводящими компонентами // 2181222

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных схем и гибридных интегральных схемах для изготовления сверхпроводящих квантовых интерференционных детекторов и других высокотемпературных сверхпроводящих толстопленочных элементов

Способ получения высокотемпературных сверхпроводниковых соединений // 2182194

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов сверхпроводниковых соединений для производства устройств сверхпроводниковой электроники

Способ формирования многослойных структур из материала yвaсuо с двух сторон подложки // 2189090

Изобретение относится к сверхпроводниковой технике, в частности к формированию структуры типа SIS