Способ очистки фторидов

 

ЩОБ62

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ,, К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от з!вг. свидетельства ¹

Заявлено 20.1I 1.1965 (¹ 948218/26-25) Ь7, 12с, 2 с I!pllcoe,71!IICIIIIe» заявки №

МПК В 01d

УД1; 546 161.05(088.8) Приоритет

Опубликовано 26.III.1966. Бюллетень ¹ 8

Дата опубликования описания 18.! .1966

Комитет по делам изобретений и открытий лри Совете Министров

СССР

ЛГ ТОР изобретения

С. В. Петров

Институт физических проблем AH СССР

Заявитель

СПОСОБ ОЧИСТКИ ФТОРИДОВ

Кислородсодержащис соединения обладают менсе высокой упругостью паров, нежели чистые фториды, и потому остаются в тигле, что приводит в конечном счете к надежному получсншо высококачественных моно кристаллов

Способ применим для любых фторидов, упруГость I!31100 кот017!з1х Отли 1ается От УIIPI Гос! II паров примесей (в частности, кислородсодержащих соединений этих же элементов).

15 Способ очистки фторидов типа Мп1.=., CoF., XiF oT,ш т1он!и!1ся тем, что, с целью получения высоко IIIcToI o продукта, необходимого для выращпга пня однородпых монокристал,7O!I, ВОЗГОИЯIОТ ИСХОДНЫЙ ППОДУКТ ИЗ THI, 111

20 при высоки.; температурах в потоке сухого фтористого водорода.

Известен способ очистки фторидов, заключающийся в тОм, что порошкообразные фторпды для удаления гидротированной и адсорбированной влаги выдерживаются в течение длительного времени в потоке сухого фтористого водорода при высокой температуре.

Предлагаемый способ очистки дает возможность получить более чистые фториды, а следовательно, и более однородные монокриста,7лы фторидов.

Сущность способа состоит в том, что спеченные во фтористом водороде А!пт. CHF пли

NiF> нагреваются в платиновом тигле в потоке сухого HF до температур, при которых начинается интенсивная возгонка фторидов. Для

MI7F. температура возгонки составляет около

1000 С, для СОРв около 1250 С, для XiF около 1400 С.

Возогнанные фториды конденсируются в виде игл и наплавов в зоне более низких температур.

Предмет изобретения

Способ очистки фторидов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вакуумной технике и может быть использовано в технологии получения тонкопленочных многослойных покрытий

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений типа А3N и может быть использовано при изготовлении эпитаксиальных структур различного назначения

Изобретение относится к полупроводниковой области техники и может быть использовано в молекулярно-лучевой эпитаксии для снижения плотности дефектов в эпитаксиальных структурах

Изобретение относится к способу и устройству для изготовления монокристаллов карбида кремния

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и приборов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и приборов

Изобретение относится к синтетическим драгоценным камням из полупрозрачного монокристаллического карбида кремния и может быть использовано в ювелирной промышленности

Изобретение относится к оборудованию для производства элементов полупроводниковой техники и, в частности, предназначено для создания полупроводниковых соединений азота с металлами группы A3

Изобретение относится к области выращивания активированных монокристаллов и может быть использовано при производстве сцинтилляторов, применяемых в приборостроении для ядерных, космических, геофизических исследований, для медицинской и промышленной компьютерной томографии
Наверх