Способ выращивания монокристаллов

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 22.111.1965 (№ 947896/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 21.VII.1966. Бюллетень № 15

Дата опубликования описания 13.IX.1966

Кл. 12с, 2

МПК В 01d

УДК 548.522(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

СПОСОБ ВЪ|РАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

Известен способ выращивания монокристаллов веществ из газовой фазы в запаянной ампуле, при котором используется свойство веществ возгоняться при температуре ниже точки плавления. При этом ампула расположена горизонтально и не производится ее вращения.

Предложенный способ отличается тем, что вращают ампулу с шихтой и растущим в ней мснокристаллом и перемещают ее вертикально вверх в печи с заданным температурным режимом при совмещении осей печного пространства и ампулы.

На чертеже изображена установка для осуществления способа.

Кристаллизационная установка состоит из вертикальной трубчатой (прозрачной) печи с воздушной теп.чоизоляцией и механизмов подъема и вращения ампулы. Печь соорана из двух цилиндров (плавленный кварц), встав.ченных один в другой. Наружный цилиндр 1 служит защитным кожухом, позволяющим создать воздушную теплоизоляцию. Внутренний цилиндр 2 является оболочкой печи и каркасом для размещення нагревателя. Распределение обмотки нагревателя по цилиндру должно соответствовать определенному температурному графику 8. Оба цилиндра устанавливаются в пазах асбоцементной подставки 4 и закрываются сверху крышкой 5.

Порошкообразное кристаллизуемое вещество засыпается в конусную часть ампулы 6 с крючком для крепления 7, затем плотно утрамбовывается. После этого в цилиндрическую часть ампулы помещается спрессованное ьещество и закрывающий поршенек 8 (из материала ампулы). Подготовленная таким образом ампула откачивается или наполняется необходимой газовой средой и запаивается.

Запаянная ампула прикрепляется к стержню

9, соединенному с механизмами вращения и перемещения ампулы. Благодаря теплопроводности стержень выполняет роль дополнительного теплоотвода от растущего кристал15 ла.

После включения нагрева печи ампула усганавливается так, чтобы центр теплоотвода находился в зоне максимальной температуры, после чего включается механизм вращения 10 и механизм подъема 11. При движении ампу lbl вещество, находящееся в конусной части, попав в зову максимального обогрева, начнет уплотняться, освобождая вершину конуса. Обр-,зовавшиеся пары кристаллизуемого вещества устремятся в более холодную часть ампулы и плотно закупорят брикет с поршнем в ампуле. Такое самозакрывание исключает возможность конденсации вещества в противоположном конце ампулы. При выходе из гочп рячей зоны конической часги ампулы скопив184246

Составитель Ю. Рапкии

Редактор И. Г. Карпас Техред Т. П. Курилко Корректор М. П. Ромашова

Заказ 2545/1 Тираж 900 Формат бум. 60;к90 /, Объем 0,16 изд. л. Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д, 4

Типография, пр. Сапунова, 2 шиеся пары начнут осаждаться, образуя центр кристаллизации.

При необходимости проводить кристаллизацию на ориентированную затравку в конусную часть ампулы вместо порошкообразного реактива, монтируется затравка.

Предмет изобретения

Способ выращивания монокристаллов веществ, разлагающихся при температуре ниже точки плавления, из газовой фазы в запаянной ампуле, перемещаемой в печи с заданным температурным режимом на ориентированной затравке или без нее, отличающийся тем, что, с целью получения однородных монокристаллов, вращают ампулу с испаряемым веществом и растущим в пей монокристаллом и перемещают ее вертикально вверх в печи с заданным темперят1 рным режимом при совме10 щении осей печного пространства и ампулы.

Способ выращивания монокристаллов Способ выращивания монокристаллов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вакуумной технике и может быть использовано в технологии получения тонкопленочных многослойных покрытий

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений типа А3N и может быть использовано при изготовлении эпитаксиальных структур различного назначения

Изобретение относится к полупроводниковой области техники и может быть использовано в молекулярно-лучевой эпитаксии для снижения плотности дефектов в эпитаксиальных структурах

Изобретение относится к способу и устройству для изготовления монокристаллов карбида кремния

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и приборов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и приборов

Изобретение относится к синтетическим драгоценным камням из полупрозрачного монокристаллического карбида кремния и может быть использовано в ювелирной промышленности

Изобретение относится к оборудованию для производства элементов полупроводниковой техники и, в частности, предназначено для создания полупроводниковых соединений азота с металлами группы A3
Наверх