Способ изготовления радиопоглощающих пленок

 

Использование: в радиотехнике. Сущность изобретения: диэлектрик толщиной, равной четверти длины волны, обрабатывают пучком ионов металла, уско| энергии 10x1000 кэВ, дозой 1x101 ме этого, обработку диэлектрика осуществляют ускорителями с разной энергией ионов. 1 з.п.ф-лы. енных до . Кро

СОЮЗ СОВГ ТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)5 Н 01 Q 17/00 с

" "3::. - " . Я

Г .i.

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4933260/09 (22) 30.04.91 (46) 23.04.93. Бюл. М 15 (71) Усть-Каменогорский строительно-дорожный институт (72) С.В.Плотников и В.А.Кузьминых (56) Великанов В.Д. и др. Радиотехнические системы в ракетной технике, М.: Воениздат, 1974, с.225 — 226, Холланд Л. Нанесение тонких пленок в вакууме. M.: Госэнергоиздат, 1963, с.12.

Изобретение относится к технической физике, в частности к способам получения покрытий, поглощающих электромагнитные волны, s

Цель изобретения — улучшение качества покрытия, расширение диапазона поглощаемых волн, упрощение технологии нанесения покрытия.

Способ осуществляется следующим образом, Диэлектрик помещается в вакуумную камеру ускорителя ионов металла. Известно, что внедрение ускоренных металлических ионов в диэлектрик позволяет изменять его поверхностное сопротивление на несколько порядков. Распределение внедренных атомов в диэлектрике при имплантации имеет вид кривой Гаусса:

И(х) Ы0I где N — флюенс ионов; Rp — проективный пробег; d — дисперсия пробегов. Положение

» Ы 1810942 Al (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РАДИОПОГЛОЩАЮЩИХ ПЛЕНОК (57) Использование: в радиотехнике. Сущность изобретения: диэлектрик толщиной, равной четверти длины волны, обрабатывают пучком ионов металла, ускоренных до энергии 10х1000 кэВ, дозой 1х1016 см 2. Кроме этого, обработку диэлектрика осуществляют ускорителями с разной энергией ионов, 1 з.п.ф-лы. максимума распределения определяется энергией иона и веществом диэлектриков.

Таким образом, внедряя, например, в

ВаТ! Оз ионы Al с энергией 10 кэВ, получак т проводящую пленку на глубине 300 — 400 А, Нижний предел энергии ионов 10 кэВ обусловлен влиянием поверхности на процесс имплантации. Для ионов с энергией ниже

10 кэВ сильное влияние оказывает состояние поверхности. Верхний предел энергии .обусловлен трудностями в создании ускорителей с энергией выше 100 кэВ

Сопротивление поверхностного слоя определяется дозой внедренных ионов, Величина сопротивления зависит от сорта

16 ионов и вида диэлектрика, Доза 1х10 см соответствует минимальному поверхност.ному сопротивлению.

При дозе 1х1019 см .в объеме диэлектрика создается большое количество радиационных дефектов, которые снижают качество покрытия, 1810942

Формула изобретения

Составитель СЛлотников

Техред M.Ìîðãåíòàë Корректор Н.Кешеля

Редактор

Заказ 1449 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Используя ускоритель ионов с изменяемой энергией или несколько ускорителей с разной энергией, создают многослойные покрытия, имеющие широкий диапазон поглощаемых волн. Так, например, ионами с энергией 10 кэВ создают проводящий слой в диэлектрике на глубине 300 — 400 А, ионами с энергией 100 кэ — слой на глубине

4000-6000 А, а ионами с энергией 1 МэВ— слой на глубине 3 — 6 мкм, Таким образом, создают покрытие с тремя проводящими пленками.

Введение легирующих примесей в материалы позволяет в широких пределах управлять их свойствами. Метод ионной имплантации является универсальным способом введения легирующих примесей, позволяющим вводить любую примесь в поверхность любого материала при комнатной температуре в строго контролируемом количестве.

Один из основных преимуществ ионной имплантации заключается в неравновесной природе процесса. В случае ионного легирования атомы инжектируются за счет кинетической энергии ионов, намного превышающей энергию связи атомов в решетке. Благодаря этому ограничения, накладываемые законами термодинамики, снимаются и открывается уникальная возможность получения смеси из любых элементов. Другой важной особенностью метода является возможность задания любой конфигурации концентрации примеси, 5 Метод ионной имплантации полностью снимает проблему адгезии между покрытием и металлом и пористости покрытия, Имплантация металлических ионов в диэлектрик позволяет изменять его поверхностное сопротивление на несколько порядков. Методом имплантации металлических ионов в поверхностном слое диэлектрика толщиной в четверть длины волны создается проводящий слой с необхо15 димым волновым сопротивлением.

1. Способ изготовления радиопоглоща20 ющих пленок, включающий воздействие на диэлектрический материал частиц металла, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения качества, йа диэлектрический материал направляют пучок ионов металла, ускоренных qo энергии 10 — 1000 кэв дозой 1х10 — 1х10 см 2.

2. Способ поп1,отлича ющийся тем, что пучок ионов металла последовательно ускоряют до энергии в диапазонах

10 — 30 кэВ, 30 — 100 кэВ, 100 — 1000 кэв.