Способ сборки гибридной фоточувствительной схемы

Авторы патента:

H01L21/50 - сборка полупроводниковых приборов с использованием способов или устройств, не предусмотренных ни одной из подгрупп H01L 21/06- H01L 21/326

Использование: создание гибридных фоточувствительных схем. Сущность изобретения: на первой стороне предметного столика крепится первая кросс-плата с линейкой фотоприемников, на второй стороне - плата коммутатора, на третьей стороне - вторая кросс-плата и плата разъема. После этого производится разварка проволочками контактных площадок фотоприемников с контактными площадками первой кросс-платы, после разворота предметного столика осуществляется соединение с контактными площадками платы коммутатора. Предметный столик поворачивается еще раз и осуществляется соединение с контактными площадками второй кросс-платы и платы разъема. 1 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к технологии изготовления микросхем. Целью изобретения является повышение надежности разварок гибридных фото чувствительных схем с расположением отдельных плат схемы под углом oтносительно друг к другу. На чертеже приведена гибридная фоточувствительная схема в собранном виде. На стороне N I посадочного места 1 крепятся плата 2, линейки 3 фотоприемников и первая кросс-плата 4, затем на стороне N II крепятся плата 6 коммутатора 7, а на стороне N III вторая кросс-плата 9 и плата 10 выходного разъема 11. Разварка начинается с соединения контактных площади 12 фотоприемников линейки 3 с контактными площадками токоведущих дорожек 13 с помощью проволочек 14. Затем после сдвига столика также с помощью проволочек вторые контактные площадки токоведущих дорожек 13 соединяются с контактными площадками первой кросс-платы 4. Вторые контактные площадки токоведущих дорожек 16 (на первой кросс-плате 4) после разворота предметного столика со схемой вокруг оси в заданном направлении и его фиксации с помощью проволочек соединяются с контактными площадками токоведущих дорожек 17 на плате 6. Далее вторые контактные площадки токоведущих дорожек 17 с помощью проволочек развариваются к контактным площадкам входного узла коммутатора 7, а контактные площадки выходных узлов коммутатора 7 к контактным площадкам токоведущих дорожек 8. После смещения предметного столика вторые контактные площадки токоведущих дорожек 8 соединяются с контактными площадками токоведущих дорожек 5 на второй кросс-плате 9, но предварительно предметный столик со схемой разворачивается вокруг оси 15 в заданном направлении. Завершается разварка соединением вторых контактных площадок токоведущих дорожек 5 к контактным площадкам на плате разъема 11. Технико-экономическая эффективность предложенного технического решения заключается в том, что гибридная фоточувствительная схема благодаря возможности разворота собираемой схемы в процессе сборки вокруг специально встроенной оси монтируется в том виде, в каком прибор эксплуатируется, и благодаря этому резко повышается надежность прибора по монтажу. В значительно большом проценте выхода годных приборов после разварки и заключается экономическая эффективность способа.

Формула изобретения

Способ сборки гибридной фоточувствительной схемы, включающий размещение и крепление на горизонтальной плоскости предметного столика первой кросс-платы с линейкой фотоприемников, платы коммутатора, второй кросс-платы и платы разъема, последовательное соединение микросваркой проволочными проводниками контактных площадок линейки фотоприемников с контактными площадками на первой кросс-плате, контактных площадок на первой кросс-плате с контактными площадками на плате коммутатора, контактных площадок на плате коммутатора с контактными площадками платы разъема, и контактных площадок платы разъема при перемещении предметного столика в двух взаимно перпендикулярных направлениях и вращении его вокруг вертикальной оси, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, размещение и крепление платы коммутатора осуществляют на первой вертикальной плоскости, а второй кросс-платы разъема на второй вертикальной плоскости предметного столика, расположенной перпендикулярно первой вертикальной плоскости, перед соединением контактных площадок на плате коммутатора осуществляют поворот первой вертикальной плоскости в направлении против часовой стрелки до горизонтального положения, а перед соединением контактных площадок второй кросс-платы осуществляют поворот второй вертикальной плоскости в направлении по часовой стрелке до горизонтального положения.

РИСУНКИ

Рисунок 1

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 10-2002

Извещение опубликовано: 10.04.2002

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении гибридных микросборок и полупро- водниковых приборов

Способ изготовления имплазионного полупроводникового прибора // 1781731

Гибридный многоуровневый электронный модуль // 1753961

Способ пайки элементов полупроводникового прибора // 1739401

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, в частности к сборке и пайке кристаллической структуры к кристаллодержателю

Трехкоординатное устройство для прецизионного перемещения изделий // 1711270

Изобретение относится к технологическому оборудованию для монтажа радиоэлектронной аппаратуры в условиях особо чистых технологических сред и в вакууме

Способ соединения кристалла с выводом полупроводникового прибора // 1636879

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано при соединении кристалла с выводом полупроводникового прибора

Устройство для нанесения клея преимущественно при монтаже полупроводниковых приборов // 1496566

Изобретение относится к производству микроэлектронных изделий и может быть использовано для дозированного нанесения полимерных и клеевых материалов при монтаже полупроводниковых приборов, интегральных схем и других изделий микроэлектроники

Способ монтажа кристаллов на облуженные платы микросборок // 1496565

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении гибридных микросборок и полупроводниковых приборов

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 1325603

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов

Способ изготовления датчиков давления // 1318117

Способ монтажа кристалла полупроводникового прибора // 2136078

Способ изготовления термоэлектрических модулей // 2195049

Изобретение относится к области термоэлектрического приборостроения и может быть использовано при изготовлении термоэлектрических устройств, основанных на эффектах Пельтье или Зеебека, прежде всего холодильных термоэлектрических устройств, а также термоэлектрических генераторов электроэнергии

Способ изготовления полупроводникового нелинейного резистора в стеклянном корпусе // 2197032

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления нелинейных полупроводниковых резисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления

Микросборка на гибком носителе // 2003203

Способ стабилизации электрических параметров полупроводниковых приборов, загерметизированных в пластмассу // 2484550

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано для стабилизации электрических параметров полупроводниковых приборов, загерметизированных в пластмассу

Способ вибрационной пайки кристаллов бескорпусных транзисторов // 2510545

Изобретение относится к технологии монтажа кристаллов бескорпусных транзисторов. Техническим результатом изобретения является повышение качества монтажа кристаллов бескорпусных транзисторов за счет уменьшения пустот в присоединительном слое. Способ вибрационной пайки кристаллов бескорпусных транзисторов заключается в том, что при реализации вибрационной пайки кристаллов бескорпусных транзисторов частота вибрации инструмента на основе незначительного числа экспериментов устанавливается минимизирующей процент пустот в присоединительном слое.

Способ группового монтажа кристаллов при сборке высокоплотных электронных модулей // 2527661

Изобретение относится к технологии производства многокристальных электронных модулей. В способе группового монтажа кристаллов при сборке высокоплотных электронных модулей изготавливают промежуточный носитель с зеркальным изображением знаков совмещения и временных посадочных мест кристаллов на рабочей стороне, закрепляют промежуточный носитель в установке контактной фотолитографии с системой совмещения так, чтобы рабочая сторона носителя была обращена вниз, на рабочий столик под соответствующее временное посадочное место выкладывают кристалл активной стороной вверх, позиционируют кристалл относительно знаков совмещения на промежуточном носителе, доводят его до контакта с носителем и фиксируют за счет адгезии клеевого слоя, повторяют фиксацию для других кристаллов, промежуточный носитель с необходимым набором кристаллов извлекают из установки контактной фотолитографии и фиксируют на заготовке микрокоммутационной платы, затем демонтируют промежуточный носитель с поверхности кристаллов. Технический результат изобретения - повышение технологичности процесса сборки многокристальных электронных модулей и точности позиционирования кристаллов относительно посадочных мест, а также выравнивание плоскостей активных поверхностей кристаллов с плоскостью верхней поверхности микрокоммутационной платы. 3 з.п. ф-лы, 6 ил.

Способ и устройство для присоединения чипа к печатной проводящей поверхности // 2563971

Изобретение относится к технологии присоединения элемента интегральной схемы (чип) к поверхности, которая содержит проводящие рисунки. Технический результат - создание способа и устройства для быстрого, плавного и надежного подключения чипа к печатной проводящей поверхности за счет точечного характера передачи тепла и приложения давления к поверхности в точках контакта. Достигается это тем, что сначала чип (201) нагревают до первой температуры, более низкой, чем температура, которую чип может выдерживать без повреждения под действием тепла. Нагретый чип прижимают к печатной проводящей поверхности с первым прижимающим усилием. Совместного воздействия первой температуры и первого прижимающего усилия достаточно для того, чтобы, по меньшей мере, частично расплавить материал печатной проводящей поверхности и/или соответствующей точки контакта на чипе (205, 206). 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 13 ил.

Способ монтажа микроэлектронных компонентов // 2571880

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для поверхностного монтажа микроэлектронных компонентов в многокристальные модули, микросборки и модули с внутренним монтажом компонентов. Технический результат - уменьшение трудоемкости и повышение надежности микроэлектронных узлов, снижение их массогабаритных параметров. Достигается тем, что в металлической круглой пластине по заданным координатам формируют отверстия под бескорпусные кристаллы. На одну из внешних поверхностей металлической круглой пластины натягивают липкую ленту липкой стороной внутрь пластины. Бескорпусные кристаллы устанавливают по заданным координатам контактными площадками на поверхность липкой ленты, герметизируют, отделяют липкую ленту. Наносят полиимидный фотолак, формируют в нем отверстия. Проводят коммутацию методом вакуумного напыления металлов через тонкую съемную маску или используют процессы фотолитографии после вакуумно-плазменного осаждения металлов. Повторно наносят слой диэлектрика и формируют в нем окна. Наносят последний слой металлизации, формируют коммутацию с контактными площадками и устанавливают чип компоненты. 7 ил.

Избирательный лазерно-стимулированный перенос дискретных компонентов // 2582160

Изобретение относится к бесконтактному переносу и сборке компонентов с использованием лазера. В способе избирательного лазерно-стимулированного переноса кристаллов перенос с прозрачного для лазерного излучения носителя на приемную подложку осуществляют на основе режима образования вздутия многослойного динамически отделяющегося слоя при облучении сфокусированным лазерным импульсом(ами) с низкой энергией, в результате чего вздутие вызывает перенос изделия. Такое перемещение дает точные результаты по расположению с незначительным боковым и угловым смещением. 3 н. и 27 з.п. ф-лы, 9 ил, 1 табл.