Способ изготовления поглотителя водорода в вакууме

 

Использование: в качестве поглотителя водорода из герметичных объемов. Сущность изобретения: пластина губчатого титана подвергается температурной обработке при температуре 1100°С в течение 10 мин. Затем удаляют окисную пленку путем ионной очистки поверхности титана. После чего наносят слой палладия толщиной 2...5 мкм. Процесс изготовления поглотителя осуществляют в вакууме при 10 ...5x10 6 мм рт.ст. Изготовленный таким способом поглотитель поглощает водород как в бескислородной среде, так и в присутствии кислорода.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (s»s С 23 С 14/02, 14/06

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

"-- @ИМ

E0Qj

4 (21) 4941909/21 (22) 03.06.91 (46) 15.07.93. Бюл. йв 26 (71) Всесоюзный научно-исследовательский институт технической физики (72) А, В.ушков (56) Литвинов В.А., Буханова А.А.. Колачев

Б.А. Водород в титане, М., 1962. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОГЛОТИТЕЛЯ ВОДОРОДА (57) Использование: в качестве поглотителя водорода из герметичных объемов. СущИзобретение относится к средствам очистки газовой среды герметичных объектов, в которых размещены приборы, чувствительные к воздействию вредных летучих примесей, а более конкретно к способам изготовления поглотителей, необратимо удаляющих водород из герметичных объектов.

Целью изобретения является расшире.ние области применения изготавливаемого поглотителя водорода, т.е, расширение его способности поглощать водород не только в бескислородной среде, но и s присутствии кислорода, Укаэанная цель достигается тем, что s известном способе изготовления поглотителя водорода из пластины губчатого титана, подвергаемой температурной обработке с последующим удалением окисной пленки, „„Я2 „„1827398 А1 ность изобретения: пластина губчатого титана подвергается температурной обработке при температуре 1100 С в течение 10 мин. Затем удаляют окисную пленку путем ионной очистки поверхности титана. После чего наносят слой палладия толщиной 2...5 мкм. Процесс изготовления поглотителя осуществляют в вакууме при 10 ...5х10 мм рт.ст. Изготовленный таким способом поглотитель поглощает водород как в бескислородной среде, так и в присутствии кислорода. температурную обработку производят при температуре 1100 С в течение 10 мин, а удаление окисной пленки производят ионной очисткой поверхности титана, после чего наносят слой из палладия толщиной 2...5 мкм, причем все работы производят в вакууме 10 ...5 10 мм рт.ст.

Достижимость поставленной цели обусловлена тем, что, во-первых, все операции производятся в глубоком вакууме и поэтому под слоем из палладия отсутствует даже мо- О номолекулярная окисная пленка на титане, QO которая препятствует поглощению водорода титаном; во-вторых, слой из палладия обладает высоким коэффициентом водоро° авй допроницаемости и поэтому он выполняет функцию мембраны, которая пропускает только водород, не пропуская другие газы; и в третьих, энтропия взаимодействия водо. 1827398

Формула изобретения

Составитель А.Ушков

Техред М,Моргентал Корректор Q. Густи

Редактор

Заказ 2345 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент, г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 рода с титаном приблизительно в два раза выше энтропии системы Pd-Í, а согласно второму закону термодинамики: самопроизвольно могут протекать только процессы и реакции, в ходе которых энтропия возрастает„ поэтому палладий будет передавать свой растворенный водород титану с последующим его поглощением титаном.

Таким образоМ, изготовленный данным способом поглотитель в среде с кислородом будет поглощать водород за счет каталитического окисления водорода слоем палладия, а в среде без кислорода будет диффундировать через палладиевый слой и поглощаться титаном.

Сравнение заявляемого решения с другими техническими решениями в данной области техники показывает, что в микроэлектронике используется ионная очистка поверхности металлов с нанесением покрытия из палладия для создания контактных площадок.

Порядок конкретного способа изготовления поглотителя водорода следующий:. образцы иэ титановой губки марки ВТ-1 закрепляют во вращательное устройство установки типа АИР-3 и камеру установки вакуумируют до давления 10 ...5 10 мм рт.ст„ расфокусированным пучком электронного луча нагревают образцы до температуры 1100 С и выдерживают при этой температуре 10 минут; расфокусированными потоками металлической плазмы производят ионную очистку образцов, непосредственно после ионной очистки наносят слой иэ палладия толщиной 2...5 мкм сфокусированной металлической плазмой.

Выполненный данным способом поглотитель поглощает водород как в кислород10 ной, так и бескислородной среде. При этом по теоретическим расчетам при давлении водорода в одну атмосферу поглотитель в виде диска диаметром 2,5 см и толщиной 0 5 см в бескислородной среде может поглотить

15 около 40 л водорода со скоростью поглощения до 1 л водорода в минуту, 20 Способ изготовления поглотителя водорода в вакууме из пластины губчатого титана, включающий температурную обработку пластины, удаление окисной пленки, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью расширения

25 технологических возможностей, температурную обработку проводят при 1100 С в течение 10 мин, удаление окисной пленки производят путем ионной очистки поверхности титана, после чего наносят слой пал30 ладия толщиной 2-5 мкм, причем температурную обработку, ионную очистку и нанесение слоя палладия осуществляют при давлении 1. 10 — 5 10 мм рт.ст,

Способ изготовления поглотителя водорода в вакууме Способ изготовления поглотителя водорода в вакууме 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к металлургии при получении износостойких покрытий

Изобретение относится к защитным покрытиям на деталях, подвергающихся в процессе эксплуатации частым теплосменам, воздействию высоких температур, агрессивных сред и эрозии, например детали ДВС и ГТД

Изобретение относится к металлургии, в частности к многослойным материалам для режущего инструмента и подшипников скольжения
Изобретение относится к производству элементов радиоэлектронной аппаратуры, в частности к технологии изготовления тонкопленочных резисторов

Изобретение относится к области порошковой металлургии, в частности к составу порошкового материала, используемого для газотермического напыления износостойких покрытий

Изобретение относится к области ионно-плазменной обработки и может найти применение в микроэлектронике при производстве интегральных схем

Изобретение относится к области очистки и обработки деталей в вакууме на различных этапах технологического процесса, в частности для удаления с поверхности деталей окисных пленок и загрязнений, упрочнения или отпуска приповерхностного слоя обрабатываемой детали, удаления заусенец

Изобретение относится к светотехнике, в частности к способам изготовления рефлекторов из углепластика с высоким коэффициентом зеркального отражения
Наверх