Способ измерения толщины диэлектрика, наносимого в вакуумной камере на проводящуюподложку

 

О П И С А Н И Е 2С3936

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Кл. 42b, 12 06

Заявлено 19.Х1.1962 (№ 803759/26-10) с присоединением заявки №

МПК б 01b 3K

Приоритет

Опубликовано 09.Х.1967. Ьюллетень № 21

Дата опубликования описания 25.XII.1967

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ДИЭЛЕКТРИКА, НАНОСИМОГО В ВАКУУМНОЙ КАМЕРЕ НА ПРОВОДЯ ЩУГО

ПОДЛОЖКУ

При вакуумном изготовлении, например. пленочных конденсаторов для микроминиапорных устройств необходимо производить измерение контролируемой величины без нарушения вакуума в камере и непрерывности технологического процесса. С этой целью предлагается способ, в котором используются известные явления вторичной эмиссии очень тонких слоев диэлектриков, наносимых на металлические подложки, величина (коэффициент) которых зависит от толщины слоя диэлектрика.

На чертеже приведена схемa измерения.

В вакуумную камеру 1 помещают электронную пушку 2, с помощью которой периодически облучают сфокусированным лучом одну точку пленки 3, наносимую на проводящую подложку 4, и измеряют импульсы тока, возникающие в результате заряда участка диэлектрика и потока вторичной электронной эмиссии на коллектор 5. Величина импульсов тока находится в функциональной зависимости от толщины пленки.

Этк импульсы могут быгь использованы для автоматического воздействия на технологический процесс.

5 Предмет изобретения

Способ измерения толщины диэлектрика, наносимого в вакуумной камере на проводящую подложку, основанный па зависимости вторичной эмиссии тонких слоев днэлектри10 KQB па металлических подложках от толщины слоя диэлектрика, огличаюш,,илсл тем. что, с целью производства измерения контролируемой толщины оез нарушения вакуума в камере и непрерывности технологического

15 процесса, сфокусированным лучом электронной пушки, размещенной внутри камеры, периодически в одной точке облучают пленку и при этом измеряют импульсы тока, возникающего в результате заряда участка диэлектри20 ка и потока вторичной электронной эмиссии на коллектор, величина которых находится B функциональной зависимости QT толщины пленки.

203930 l

Корректоры: О. Б. Тюрина и С. А. Башлыкова

Тсхред Л. К. Малова

Редактор Л. А. Утехина

Типография, пр, Сапунова, 2

?аказ 3876!10 Тираж 5;35 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва. Центр, пр. Серова, д. 4