Способ контроля эмиссионной неоднородности термокатодов электровакуумных приборов

 

Использование: в электронной технике, а именно в способах анализа и контроля качества катодов при разработке и производстве электровакуумных приборов для оценки неоднородности плотности тока эмиссии по эмиттирующей поверхности катода. Сущность изобретения: измеряют одно значение тока в режиме насыщения и соответствующее этому току анодное напряжение: Определяют полный ток эмиссии JA и измеряют катодный ток JB при напряжении Uа, соответствующем точке перехода из режима пространственного заряда в режим насыщения; а затем определяют коэффициент вариации плотности тока по формуле 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам анализа и контроля качества термокатодов электровакуумных приборов, и предназначено для оценки неоднородности плотности тока эмиссии по эмиттирующей поверхности катода эмиссионной неоднородности (ЭН) катодов.

Известен способ анализа ЭН катодов с помощью эмиссионных микроскопов [1] При использовании эмиссионных микроскопов наблюдают локализацию центров эмиссии по поверхности катода.

Однако указанный способ не позволяет получить количественной оценки ЭН и, следовательно, не может быть использован для контроля качества катодов в технологическом процессе.

Наиболее близким к предлагаемому является способ определения ЭН катодов по вольт-амперным характеристикам [2] Сущность этого способа заключается в следующем. Первоначально измеряют токи и соответствующие им напряжения в режимах пространственного заряда, переходном и насыщения, т.е. получают вольт-амперную характеристику (ВАХ) I f(U). Причем интервалы изменения напряжения при измерении должны быть возможно меньшими, а количество измерений возможно большим. Затем зависимость тока от напряжения I f(U) пересчитывают и перестраивают в координаты I f(U)3/2. Далее путем графического или численного дифференцирования характеристики I f(U)3/2 определяют ее первую и вторую производные во всем диапазоне изменения напряжения. Затем, используя эти данные, определяют функцию распределения плотности тока термоэмиссии. После этого, аппроксимируя полученную функцию распределения нормальным законом и нормируя ее определенным образом, вычисляют безразмерный параметр ЭН, который и используют в качестве количественного критерия для оценки ЭН катодов.

Недостатком данного способа является его значительная трудоемкость, обусловленная большим объемом измерений и сложностью вычислительных работ, что делает невозможным эффективное его использование в процессе серийного изготовления и обработки катодов.

Целью изобретения является снижение трудоемкости способа в процессе измерений и математической обработки.

Для этого по способу, включающему измерение токов и напряжений в режимах насыщения и переходном, определение показателя ЭН и составление суждения о ней, измеряют одно значение тока в режиме насыщения и соответствующее этому току анодное напряжение, затем, используя измеренные значения тока и напряжения и значения первеанса и коэффициента Шоттки, определяют величину тока IA и величину напряжения, соответствующие точке перехода из режима пространственного заряда в режим насыщения, после чего измеряют при этом напряжении значение тока IB. В качестве показателя ЭН используют коэффициент вариации плотности тока по эмиттирующей поверхности, величину которого определяют из выражения Ki= Известных технических решений, содержащих сходные отличительные признаки, не обнаружено.

На чертеже показаны результаты измерений предлагаемым способом, необходимые для контроля ЭН катода.

В примере токи и напряжения измеряют в диоде одиночными импульсами длительностью 70 мкс при температуре катода 940оС. Первеанс диода имеет значение р 2,5 10-5 А В-3/2, а коэффициент Шоттки = 1,03 10-2 В-1/2.

Измеряют в режиме насыщения ток и напряжение. Они имеют значения: Iн 0,8 А; Uн 2000 В (точка Н на чертеже).

Величину тока IA и напряжения UA определяют решением системы уравнений которая после подстановки численных значений р, , Iн и Uн имеет вид Решение дает численные значения тока IA и напряжения UA в точке перехода из режима пространственного заряда в режим насыщения: IA 0,688 А; UA 911,3 В (точка А на чертеже).

Измеренная при этом напряжении (UA 911,3 В) величина тока составляет IB 0,566 А (точка В на чертеже).

Показатель ЭН равен Ki= 0,445 что позволяет составить суждение о соответствии катода требованиям нормативной документации.

Снижение трудоемкости контроля ЭН катодов по сравнению с прототипом обусловлено существенным уменьшением объема измерений, а также уменьшением объема и сложности вычислительных работ. В отличие от прототипа, в котором для обеспечения возможности математической обработки (двойного дифференцирования ВАХ) интервалы изменения напряжений при измерении ВАХ должны быть возможно меньшими, а количество измерений соответственно возможно большим, в предлагаемом способе показатель ЭН определяется по результатам измерения тока и напряжения только в двух точках ВАХ.

Формула изобретения

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ЭМИССИОННОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ТЕРМОКАТОДОВ ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫХ ПРИБОРОВ, включающий измерение токов и напряжений в режимах насыщения и переходном, определение показателя эмиссионной неоднородности и составление суждения об эмиссионной неоднородности, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости способа, измеряют одно значение тока в режиме насыщения и соответствующее этому току анодное напряжение, затем, используя эти измеренные значения и значения первеанса и коэффициента Шоттки, определяют величину тока IA и величину напряжения UA, соответствующие точке перехода из режима пространственного заряда в режим насыщения, после чего измеряют при этом напряжении значение тока IB, а в качестве показателя эмиссионной неоднородности используют коэффициент вариации плотности тока по эмиттирующей поверхности Ki, величину которого определяют из выражения

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к производству электровакуумных приборов, а именно к методам испытания и прогнозирования долговечности электроннолучевых трубок (ЭЛТ), в т.ч

Изобретение относится к электротехнической промышленности и может быть использовано при производстве газоразрядных ламп низкого давления, в частности люминесцентных ламп

Изобретение относится к электровакуумной технике

Изобретение относится к вакуумметрии и может быть использовано при измерении давления в электровакуумных приборах (ЭВП)

Изобретение относится к светотехнике, в частности к производству разрядных ламп низкого давления

Изобретение относится к светотехнике, в частности к способам изготовления и контроля параметров газоразрядных ламп

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано в производстве лазеров, имеющих в составе газового наполнения СО2

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам активировки оксидных катодов электроннолучевых приборов (ЭЛП)

Изобретение относится к электронной технике, в частности к изготовлению металлопористых катодов для электронных приборов СВЧ

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении эмиссионных материалов для катодов электровакуумных и газоразрядных приборов на основе карбонатов щелочно-земельных металлов (Ba, Sr, Ca)

Изобретение относится к электронной технике, в частности к изготовлению металлопористых катодов для электронных приборов СВЧ

Изобретение относится к вакуумной электронике, в частности к производству электровакуумных приборов

Изобретение относится к электронной технике, в частности к методам изготовления металлопористых катодов (МПК) для электронных приборов СВЧ

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении карбидированных катодов
Наверх