Фоторезистор

 

Сущность: фоторезистор выполнен на основе перекристаллизованной пленки n-InSb на слюдяной подложке с низкоомными включениями двухфазной системы InSb-Jn p-типа проводимости, обеспечивающими при освещении белым светом освещенностью 2000 лк в диапазоне температур 77-340 К, при приложении напряжения 0,01-0,10 B уменьшение полного тока и возрастание сопротивления пленки.

Изобретение относится к устройствам, используемым в электронной технике, в частности к конструктивному изготовлению фотосопротивления, управляемого электрическим полем.

В применяемых фотосопротивлениях полный ток возрастает под действием интегрального излучения при увеличении напряжения и понижении температуры.

Например, фотосопротивление из пленки n-InSb на подложке из диоксида кремния имеет характеристики, у которых под действием белого света освещенностью 2000 лк, ток возрастает, а сопротивление падает с увеличением напряжения от 0 до 15 B и понижением температуры в диапазоне 77-340 K (см. Никольский Ю. А. Сборник рефератов НИР, выполненных по грантам администрации воронежской обл. 1994, с 30) Сущность изобретения. Фоторезистор содержит подложку с нанесенной на нее пленкой InSb n-типа проводимости и отличается тем, что подложка выполнена из слюды, а пленка выполнена в виде монокристаллической матрицы с низкоомными включениями двухфазной системы InSb-In p-типа проводимости, которые обеспечивают уменьшение полного тока и возрастание сопротивления при напряжении 0,01-0,1 B при температуре 77-340 K, под действием белого света освещенностью 2000 лк.

Пленка n-InSb, полученная термической перекристаллизацией на слюдяной подложке, представляет собой монокристаллическую матрицу n-InSb стехиометрического состава с низкоомными включениями двухфазной системы InSb-In p-типа проводимости. Фоторезистор изготавливают из такой пленки, для чего на нее напыляют индиевые токовые контакты, к которым припаивают эвтектическим сплавом In-Sn тонкие медные проволочки для измерения тока и напряжения. На фоторезистор падает белый свет освещенностью 2000 лк. Полное изменение проводимости при освещении Δσ = Δσ_n+Δσ_μ, где Ds_n обычная концентрационная фотопроводимость; Δσ_μ фотопроводимость, обусловленная изменением подвижности носителей заряда.

Если при освещении уменьшение подвижности в образце преобладает над ростом концентрации носителей заряда Ds_μ > Δσ_n, наблюдается отрицательная фотопроводимость и сопротивление образца возрастает (см. Ю. А. Никольский ФТП, 28, 1972, 1994).

В диапазоне температур 77-340 K при напряжениях 0,1-0,10 B и освещенности 2000 лк происходит уменьшение полного тока и сопротивление фоторезистора возрастает.

В диапазоне температур 77-340 K при напряжениях 0,00-0,10 B и освещенностью 2000 лк происходит уменьшение полного тока и сопротивление фоторезистора возрастает.

Формула изобретения

Фоторезистор, содержащий подложку с нанесенной на нее пленкой InSb n-типа проводимости, отличающийся тем, что подложка выполнена из слюды, а пленка в виде монокристаллической матрицы с низкоомными включениями двухфазной системы InSb In p-типа проводимости, обеспечивающими уменьшение полного тока и возрастание сопротивления при напряжениях 0,01 0,1 В при 77 340 К под действием белого света освещенностью 2000 лк.