Способ автоматического регулирования процесса


B01D1/30 - Разделение (разделение твердых частиц мокрыми способами B03B,B03D; с помощью пневматических отсадочных машин или концентрационных столов B03B, другими сухими способами B07; магнитное или электростатическое отделение твердых материалов от твердых материалов или от текучей среды, разделение с помощью электрического поля, образованного высоким напряжением B03C; центрифуги, циклоны B04; прессы как таковые для выжимания жидкостей из веществ B30B 9/02; обработка воды C02F, например умягчение ионообменом C02F 1/42; расположение или установка фильтров в устройствах для кондиционирования, увлажнения воздуха, вентиляции F24F 13/28)

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 19.1Х.1966 (№ 1103237/28-13) Кл. 89d, 2

89с, 17 с присоединением заявки №

МПК С 131

С 13d

УДК 664.1.054(088.8) Приоритет

Опубликовано 12111.1968. Бюллетень № 10

Дата опубликования описания 15.V.1968

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

С. И. Сиренко, И. Г. Бажал, И, C. Гулый и В. Д. Попов

Киевский технологический институт пищевой промышленности

Заявитель

СПОСОБ АВТОМАТИЧЕСКОГО РЕГУЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССА

ЗАВОДКИ КРИСТАЛЛОВ В ВАКУУМ-АППАРАТЕ

НЕПРЕРЫВНОГО ДЕИСТВИЯ

Известны способы автоматического регулирования процесса заводки кристаллов в вакуум-аппарате непрерывного действия для уваривания кристаллизующихся растворов, например сахарных, включающие поддержание заданного коэффициента перенасыщения сгущаемого раствора.

Для устойчивого непрерывного кристаллообразования при согласовании стадий заводки и наращивания кристаллов, а также для получения равномерных по величине и однородных по форме кристал лов предложено коэффициент пересыщения сгущенного раствора подерживать регулированием расхода грсющего пара. Количество кристаллов, образовавшихся в единице объема раствора, стабилизировать путем растворения их избытка, например, паром, причем подачу пара для растворения регулировать в зависимости от концентрации кристаллов на выходе из зоны активного кристаллообразования.

Способ поясняется схемой, изображенной па чертеже.

Она включает вакуум-аппарат непрерывного действия, содержащий секцию 1 сгущения раствора, секцию 2 заводки кристаллов и секцию наращивания кристаллов (не показана).

Секции 1 и 2 разделены перегородками 3 и имеют камеру 4 с патрубком 5 для подачи греющего пара. Для прохода раствора из секции заводки кристаллов в секцию наращивания кристаллов служит щель б.

Сскция сгущения сиропа оснащена регулятором 7 концентрации в комплекте с датчиками 8 температурной депрессии и регулирующим органом 9 на паровом трубопроводе. Подается сироп регулятором 10 в зависимости от производительности аппарата при помощи регулирующего органа 11.

Секция заводки кристаллов снабжена коробкой 12 для установки тубуса 18 подсветки 14 .в подвижчом сальнике 15 и тубуса 1б фотоэлемента 17, связанного с регулятором 18, например электронным потенциометром типа

15 ЗПД. Регулятор 18 воздействует на регулирующий орган 19, который изменяет подачу пара в барботер 20.

Способ состоит в следующем. Сироп или патока в требусмом количестве, т. е. в зависи20 мости от потребности последующих секций (производительности вакуум-аппарата), постуIIHcT в нижнюю часть секции сгущения, где увлекается циркуляционными потоками и многократно циркулирует по греющим трубкам.

25 Количество пара, поступающего в камеру 4, регулируется регулятором 7 в зависимости от концентрации сгущаемого раствора в секции

1. В секции 2 при дальнейшем сгущении сиропа происходит процесс образования кри30 сталлов. При необходимости в этой секции

2/3703

Предмет изобретения

Й! Illl

u g I

5! !

)!! 1 (3-11 (1

Составитель 3, Салимовскаи

Редактор В. Ф. Чулкова

Заказ !040/!3 Тираж 530 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4 типографии, пр. Сапунова, 2 процесс может быть интенспфипирован, например, ультразвуковым облучеьием.

Масса, находящаяся в секции Z, может свободно циркулировaòü в коробке 12, где при помощи под ветки 14 фотоэлементом 17 подается импульс, пропорциональный количеству кристаллов в единице объема массы, на регулятор 18. Последний сравнивает поступающий импульс с заданным и подает сигнал на регулирующий орган 19, который в свою очередь изменяет подачу пара в барботер 20 для растворения избьпочного количества образовавшихся кристаллов. При этом происходит растворение самых мелких кристаллов, а оставшиеся кристаллы становятся более подвижными и однородными по форме H равномерные по величине, Сгущенный раствор стабилизируется по коэффициенту пересыщения.

Для настройки датчика регулятора 18 можно использовать изменение величины зазора между тубусами 16 и 18 и величины освещенности подсветки 14, при этом оптимальный зазор 20,п,п, а оптим альная освещенность

400 як.

Способ автоматического регулирования процесса заводки кристаллов в вакуум-аппарате непрерывного действия для уваривания кристаллизующихся растворов, например сахар10 ных, включающий поддержание заданного коэффициента пересыщения сгущаемого раствор», отличающийся тем, что, с целью устойгивого непрерывного кристаллообразования и получения равномерных по величине и одноlб родных по форме кристаллов, коэффициент пересыщения поддерживают регулированием расхода греющего пара, при этом количество образовавшихся в единице объема раствора кристаллов стабилизируют растворением их

20 избытка, например, паром, подачу которого регулируют в зависимости от концентрации кристаллов на выходе из зоны активного кристаллообразования.

Техред T. П. Курилко Корректоры: И. Л. Кириллова и А. П. Татаринцева

Способ автоматического регулирования процесса Способ автоматического регулирования процесса 

 

Похожие патенты:
Наверх