Устройство для определения импульсного
О П И С А Н И Е 2I7533
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Союз Советских
Социалистических
Республин
t ависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 01.V1.1966 (№ 1081129/26-10) с присоединеиисм заявки X
1(л. 21, 11/02
421, 12i05.ЧПК H 01!
G 011<
УД1 621.382:536.6 (088.8) Приоритет
Ком!!тет оо делам изобретений и открытий ори Совете Министров
СССР
Опубликовано 11.Х11.1968. Бюллетень № 1 за 1969 г.
Дата опубликования описания 8.1 .1969
Автор изобретения
Э. Н. Улановский
Заявитель
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ИМПУЛЬСНОГО
ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ р — и-ПЕРЕХОДА
ПОЛУПРОВОДНИКОВЪ|Х ПРИБОРОВ
Известны устройства для определения импульсного теплового сопротивления р — п-перехода полупроводниковых приборов по разности экстремального значения температурозависимого параметра, измеренного в момент снятия греющего импульса и через промежуток времени, больший времени охлаждения кристалла, но меньший времени охлаждения корпуса прибора, содер кащие импульсный генератор тока нагрева, генератор измерительного тока, усилитель тсмпературозависимого параметра и выходной показывающий прибор.
Эти устройства не обеспечивают достаточной точности определения вследствие недостаточного быстродействия и наличия дрейфа между двумя измерениями, свойственного усилителя постоянного напряжения.
В предлагаемом устройстве к выходу усилителя переменной составляющей температурозависимого параметра подключены две пиковые ячейки с разными постоянными времени заряда, включенные встречно на выходной прибор.
Для испытания полупроводниковых приборов с малой тепловои инерцией обе пиковые ячейки выбраны с одинаковым временем заряда, а между уси.кителем и одной пиковой ячейкой включен расширитель импульсов, обеспечивающий длительность действия экстремальиого значения температурозависимого параметра, превышающую время заряда.
Иа фиг. 1 изображена принципиальная схема описываемого устройства; на фиг. 2 — то
5 же, с расширителем импульсов.
Устройство содержит испытуемый диод 1, к которому через выпрямитель 2 подводится ток нагрева от импульсного генератора 3, а через выпрямитель 4 измерительный ток от
10 I.;.нератора 5.
После IIpoIlyc«a!I!I;I греющего импульса через диод 1 температурозависимый параметр, например пороговое напряжение на диоде 1, меняется.
15 Его переменная составляющая, пройдя через конденсатор 6, усиливается усилителем 7 переменного тока, к выходу которого подключены пиковая ячейка 8 с х!инимально Возможным временем заряда и пиковая ячейка 9 с
2Q временем заряда, большим времени остываиия кристалла, но меньшим времени остывания корпуса диода 1. Обе ячейки при помощи диодов 1О и 11 включены встречно на выходной Ilpll0op 12, показывакпций разность зиа25 чепий порогового напряжения в указан.тые моменты времени, характеризующую тепловое сопротивление р — n-перехода.
Если время разряда ячеек соизмеримо со временем теплоBой релаксацш! малоинерцион30 !Illa полупроводниковых приборов, то обе пи217533
Предмет изобретения
Г
9i/г Z
Составитель М. Фримштейи
Редактор П. А. Джарагетти Техред Т. П. Курилко Корректор Т. Д. Чунаева
Заказ 44277 Тираж 427 Подписное (НИИПИ Коми1ета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д, 4
Типография пр. Сапунова, 2 ковые ячейки 8 и 9 (фиг. 2) выбираются с одинаковым временем заряда, а между усилителем 7 и одной ячейкой 8 включается расширитель И, например диодный, импульсов порогового напряжения, обеспечивающий длительность действия экстремального значения этого напряжения, превышающую время заряда ячейки 9.
Устройство работает при комнатной температуре и не нуждается в термостатирующих приспособлениях.
Устройство для определения импульсного теплового сопротивления р и-перехода полупроводниковых приборов по разности экстремального значения температурозависимого параметра, измеренного в момент снятия греющего импульса и через промежуток времени, больший времени охлахкдения кристалла, но меньший времени охлаждения корпуса прибора, содержащее импульсный генератор тока нагрева, генератор измерительного тока, усилитель переменной составляющей температурозависимого параметра ll выходной показывающий прибор, отличающееся тем, что, с целью повышения точности определения, к выходу усилителя подключены две пиковые
10 ячейки с разными постоянными времени заряда, включенные встречно на выходной прибор.
2. Устройство по и. 1, отличающееся тем, что, с целью испытания полупроводниковых приборов с малой тепловой инерцией, обе пи15 ковые ячейки выбраны с одинаковым временем заряда, а между усилителем и одной пиковой ячейкой включен расширитель импульсов, обеспечивающий длительность действия экстремального значения температурозави20 симого параметра, превышающую время заряда ячейки.
