Способ получения силана

Авторы патента:

C01B33/04 - кремневодородные соединения

2I9 580

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик Ъс-1:.

Вс ..;, - ..3 . 1, натен-;;о, библ --=, Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 03.Ч1.1966 (№ 1081138/23-26) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 14 VI.1968. Бюллетень № 19

Дата опубликования описания ЗОХ111.1968

Кл. 121, 33/04

МПК С 01Ь

УДК 546.28.05(088.8) Комитет по делам

d изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

В. Л. Волков, В. Л. Воробьев, С. К. Недев, Е. Б. Соколов и В. M. Школьников

Московский институт тонкой химической технологии им. М. В. Ломоносова

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СИЛАНА

Силан является перспективным исходным продуктом для получения кремния высокой степени чистоты.

Известный способ получения силана заключается в разложении силицида магния хлори. стым аммонием, растворенным в жидком аммиаке. Однако использование жидкого аммиака в качестве среды для проведения реакции разложения снлпцида магния вызывает необходимость проведения процесса при низких температурах и требует применения сложной аппаратуры.

С целью упрощения и осуществления непрерывности процесса, предлагается взаимодействие силицида магния и хлорида аммония проводить в твердой фазе при 230 вЂ” 250 С. Выделяющийся частично хлористый аммоний конденсируют. Образующийся силан отводят и разлагают при 1000 С.

Пример. 12 г мелкодисперсного порошка силицида магния; полученного при 550 С в

2 атмосфере аргона, смешивают с 35 г (5%-ный избыток по отношению к стехиометрии) хлористого аммония и загружают в реактор, который промывают сухим аргоном 30 мин и подогревают до 230 С. Выделившийся частично хлористый аммоний конденсируют в конденсаторе. Процесс разложения силицида магния протекает 15 вЂ” 20 нин. Силан разлагают при 1000 С. Получают 1,9 г кремния, что со1р ставляет 43% по отношению к исходному силициду магния.

Предмет изобретения

Способ получения силана взаимодействием силицида магния с хлористым аммонием, атличаюи1ийся тем, что, с целью упрощения ll осуществления непрерывности процесса, пос2р ледний проводят в твердой фазе при 230вЂ”

250 С.

Похожие патенты:

Способ получения силана // 139311

Способ получения метилхлорсиланов // 130882

Способ получения моносилана высокой чистоты // 2129984

Изобретение относится к способу получения моносилана высокой степени чистоты, пригодного для формирования тонкопленочных полупроводниковых изделий, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения (полупроводниковая техника, солнечная энергетика)

Способ получения гидридов кремния // 2151099

Изобретение относится к области металлургии и может быть использовано при получении кремния

Способ получения силанов // 2152902

Способ получения моносилана и дисилана // 2160706

Изобретение относится к области химической технологии, в частности к получению силанов, и может быть использовано в производстве поликристаллического кремния, а также полупроводниковых структур методами газовой эпитаксии

Установка получения моносилана // 2164218

Изобретение относится к химической промышленности, в частности к устройствам для проведения гетерогенных процессов между твердым телом и газом

Способ получения моносилана из тетрахлорида кремния // 2173297

Изобретение относится к технологии получения моносилана, который может быть использован при получении особо чистого полупроводникового кремния

Способ получения силана // 2174950

Изобретение относится к способу получения силана, применяемого в полупроводниковой промышленности

Способ получения силана // 2194009

Изобретение относится к технологии получения полупроводникового кремния, а также к технологии формирования различных кремнийсодержащих слоев в микроэлектронике

Способ получения силана // 2194010

Способ получения моносилана высокой чистоты // 2214362

Изобретение относится к способу получения моносилана высокой чистоты и низкой стоимости, пригодного для формирования тонких полупроводниковых и диэлектрических слоев, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения