Кремневодородные соединения (C01B33/04)

Отслеживание патентов класса C01B33/04

Способ получения загустителей и применение полученных таким образом загустителей в обладающих высокой вязкостью композициях, содержащих ненасыщенный сложный полиэфир // 2743714
Настоящее изобретение относится к способу получения специализированных загустителей и к применению полученных таким образом загустителей в обладающих высокой вязкостью композициях, содержащих ненасыщенный сложный полиэфир.

Функционализованные азокарбонилом силаны // 2688516
Изобретение относится к функционализованным азокарбонилом силанам общей формулы (I) (R1)3-a(R2)aSi-RI-NH-C(O)-N=N-R4. Функционализованные азокарбонилом силаны получают способом, при осуществлении которого на первой стадии гидразин формулы H2N-NH-R4 подвергают взаимодействию с изоцианатосиланом общей формулы (R1)3-a(R2)aSi-RI-NCO и на второй стадии полученный на первой стадии продукт окисляют окислителем или на первой стадии гидразин формулы H2N-NH-R4 подвергают взаимодействию с ацилгалогенидом общей формулы Cl-C(O)-O-R5, на второй стадии полученный на первой стадии продукт окисляют окислителем и на третьей стадии полученный на второй стадии продукт подвергают взаимодействию с аминосиланом общей формулы (R1)3-a(R2)aSi-RI-NH2.

Способ получения силанолов из гидросиланов // 2633351
Изобретение относится к способам получения силанолов и силоксанолов, широко используемых в качестве реагентов для синтеза полимеров заданной архитектуры.

Способ получения силана и хлорсиланов // 2608523
Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано для получения силана и хлорсиланов.

Способ генерирования моносилана // 2599659
Изобретение относится к технологии получения соединений кремния, а именно фторсилана, пригодного для генерирования моносилана с целью дальнейшего его использования в микроэлектронной промышленности как сырья для производства поликристаллического кремния высокой чистоты.

Способ глубокой очистки моносилана // 2593634
Изобретение относится к области получения кремнийсодержащих материалов. Способ получения моносилана осуществляют диспропорционированием трихлорсилана.
Способы производства тетрафторида кремния // 2560377
Изобретение относится к способам производства фторидных соединений и, в частности, к способам производства тетрафторида кремния кислотным гидролизом фторидных солей щелочных металлов или щелочноземельных металлов и алюминия.

Способ получения моносилана и устройство для его осуществления // 2551511
Изобретение может быть использовано в области химической технологии. Способ получения моносилана включает взаимодействие гидрида кальция с тетрафторидом кремния в эвтектическом расплаве хлоридов лития и калия при 360-390°C и очистку моносилана.

Способ и система для получения моносилана // 2551493
Изобретение относится к химической промышленности. Система для получения моносилана содержит реакционную колонну (100) с питающей трубой (101) для подачи трихлорсилана и с отводящей трубой (102) для полученного тетрахлорида кремния с одним конденсатором (103), через который полученный моносилан отводят из реакционной колонны.

Способ получения моносилана // 2524597
Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Моносилан получают в реакторе кипящего слоя в две стадии.

Способ и система для получения чистого кремния // 2503616
Изобретение может быть использовано в химической промышленности для получения высокочистого кремния. Способ включает этапы: получения трихлорсилана, получения моносилана посредством диспропорционирования трихлорсилана и термического разложения моносилана.
Способ получения силана // 2492141
Изобретение относится к неорганической химии и может быть использовано для получения силана, применяемого для производства кремния в виде поли- и монокристаллов, и пленок аморфного гидрогенизированного кремния, легированного фтором.

Способ получения силанов типа rnsih4-n диспропорционированием гидридалкоксисиланов типа rnsih(or')3-n (где n=0; 1; r=me; r'=me, et) и катализаторы для его осуществления // 2479350
Изобретение относится к способу получения моносилана, пригодного для производства поли- и монокристаллического кремния для солнечной энергетики и полупроводниковой техники, а также метилсилана для получения покрытий из карбида кремния.
Способ получения моносилана // 2466089
Изобретение относится к технологии получения моносилана, используемого в производстве поли- и монокристаллического кремния градации SG и EG, а также полупроводниковых структур методом газовой эпитаксии.

Способ получения высокочистого моносилана и тетрахлорида кремния // 2457178
Изобретение относится к технологии неорганических соединений. .

Способ очистки отходящих газов от силана // 2450850
Изобретение относится к способам очистки отходящих газов от содержащегося в них силана SiH4. .

Способ получения моносилана и устройство для его осуществления // 2412902
Изобретение относится к области химической технологии, в частности к получению гидрида кремния (моносилана), и может быть использовано в производстве полупроводниковых структур, микроэлектронике и солнечной энергетике.

Способ глубокой очистки моносилана // 2410326
Изобретение относится к технологии получения высокочистых силанов, а именно к способам глубокой очистки моносилана, пригодного для формирования тонких полупроводниковых и диэлектрических слоев, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения.
Способ получения моносилана // 2390494
Изобретение относится к области неорганической химии, а именно к получению моносилана, пригодного для формирования тонкопленочных полупроводниковых изделий, а также для производства поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения (полупроводниковая техника, солнечная энергетика).
Способ получения высокочистого силана (варианты) // 2388692
Изобретение относится к неорганической химии, а именно к получению кремнийсодержащих материалов, и касается разработки способа получения высокочистого силана, в том числе обогащенного изотопами Si28, или Si29, или Si30 , используемого для получения кремния в виде монокристаллов и пленок, а также покрытий из изотопно-обогащенного SiO2 .

Способ получения гидридов кремния // 2357924
Изобретение относится к получению гидридов кремния, в том числе моносилана высокой чистоты, предназначенного для формирования полупроводниковых и диэлектрических слоев, синтеза кремнийорганических соединений, термического осаждения (диссоциации) поликристаллического кремния.

Способ получения моносилана и поликристаллического кремния высокой чистоты // 2329196
Изобретение относится к способу получения моносилана высокой чистоты и низкой стоимости, пригодного для формирования тонких полупроводниковых и диэлектрических слоев, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения (электроника, солнечная энергетика).

Способ получения моносилана // 2313485
Изобретение относится к химическим технологиям, а именно получению моносилана, используемого в производстве «солнечного» кремния.
Способ разделения смесей летучих веществ (варианты) // 2288769
Изобретение относится к способам разделения смесей летучих веществ в процессах химической технологии и может быть использовано для разделения смесей хлорсиланов, гидридов, фторидов, органических продуктов и других продуктов с выделением целевого продукта.

Способ получения моносилана высокой чистоты // 2279403
Изобретение относится к способу получения моносилана высокой степени чистоты, пригодного для формирования тонкопленочных полупроводниковых изделий, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения (полупроводниковая техника, солнечная энергетика).
Способ получения силана // 2267459
Изобретение относится к технологии получения силана для изготовления особо чистого полупроводникового кремния, используемого в силовой электронике, а также кремниевых пластин для производства сверхбольших интегральных схем и для формирования различных кремнийсодержащих слоев и пленочных покрытий в микроэлектронике.
Способ получения силана // 2245299
Изобретение относится к технологии получения силана из природных кварцитов для изготовления особо чистого полупроводникового кремния, используемого в силовой электронике.

Способ получения высокочистого изотопно-обогащенного силана // 2226501
Изобретение относится к неорганической химии и касается разработки способа получения высокочистого силана, обогащенного изотопами Si28, или Si29, или Si30 , используемого для получения Si в виде монокристаллов и пленок, а также покрытий из моноизотопного SiO2.
Способ получения алкилсиланов // 2219126
Изобретение относится к химической технологии, а именно к способам получения алкилсиланов. .

Способ получения моносилана высокой чистоты // 2214362
Изобретение относится к способу получения моносилана высокой чистоты и низкой стоимости, пригодного для формирования тонких полупроводниковых и диэлектрических слоев, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения.
Способ получения силана // 2194010
Изобретение относится к технологии получения полупроводникового кремния, а также к технологии формирования различных кремнийсодержащих слоев в микроэлектронике.
Способ получения силана // 2194009
Изобретение относится к технологии получения полупроводникового кремния, а также к технологии формирования различных кремнийсодержащих слоев в микроэлектронике.
Способ получения силана // 2174950
Изобретение относится к способу получения силана, применяемого в полупроводниковой промышленности. .
Способ получения моносилана из тетрахлорида кремния // 2173297
Изобретение относится к технологии получения моносилана, который может быть использован при получении особо чистого полупроводникового кремния.

Установка получения моносилана // 2164218
Изобретение относится к химической промышленности, в частности к устройствам для проведения гетерогенных процессов между твердым телом и газом.

Способ получения моносилана и дисилана // 2160706
Изобретение относится к области химической технологии, в частности к получению силанов, и может быть использовано в производстве поликристаллического кремния, а также полупроводниковых структур методами газовой эпитаксии.

Способ получения гидридов кремния // 2151099
Изобретение относится к области металлургии и может быть использовано при получении кремния. .

Способ получения моносилана высокой чистоты // 2129984
Изобретение относится к способу получения моносилана высокой степени чистоты, пригодного для формирования тонкопленочных полупроводниковых изделий, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения (полупроводниковая техника, солнечная энергетика).

Способ получения силана для полупроводниковой техники // 2093463
Изобретение относится к способам получения силана (SiH4) высокой чистоты для полупроводниковой техники. .

Способ получения гидрида кремния // 2085487
Изобретение относится к способу получения гидрида кремния, в частности дисилана, который может быть использован как источник кремния при изготовлении полупроводников.

Способ получения моносилана // 2077483
Изобретение относится к области химической технологии получения моносилана и может быть использовано в производстве высокочистого поликристаллического кремния, а также полупроводниковых структур методами газовой эпитаксии.
Способ получения моносилана // 2050320
Изобретение относится к способам конверсии тетрафторида кремния в моносилан и фторид водорода. .

Способ получения моносилана // 1754655
Изобретение относится к способам получения моносилана. .

Способ получения кремниевой реакционной массы, катализированной медью // 1526580
Изобретение относится к получению кремнеземной реакционной массы в виде свободнотекущего порошка с содержанием меди менее 2%, используемого для получения метилхлорсиланов.
 
.
Наверх