Способ получения гидридов кремния
Изобретение относится к области металлургии и может быть использовано при получении кремния. Сущность изобретения заключается в способе получения гидридов кремния из кварцита в смеси с магнием, взятым в стехиометрическом соотношении, в присутствии соли алюминия. Процесс ведут при 450 - 600oС в потоке атомарного водорода в тлеющем разряде. При этом соль алюминия используют в количестве 110 мас. % от смеси кварцита и магния. Использование данного способа позволяет непосредственно из природного кварцита получить гидрид кремния. Способ исключает использование эфира и потому пожаробезопасен. 1 з. п. ф-лы, 1 табл.
Изобретение относится к области металлургии и может быть использовано при получении кремния.
Известен способ получения гидрида кремния, например силана, путем взаимодействия гидрида металла с каким-либо соединением кремния, в котором он связан с фтором, хлором, бромом, иодом, цианом, кислородом, серой или азотом. Гидрид металла (обычно гидрид литий-алюминий) растворяют в эфире, затем через полученный раствор пропускают соединение кремния (патент австралийский N 200917, 1956 г.). Способ осуществляют по реакции: SiCl4 + LiAlH4 ---> SiH4 + LiCl + AlCl3. Этот способ пожаро- и взрывоопасный за счет использования легковоспламеняющегося эфира, отличается многостадийностью и использованием дорогостоящих сырья и реагентов. Целью изобретения является снижение затрат на получение гидрида кремния путем использования в качестве исходного сырья дешевого природного кварцита и дешевых реагентов (магния, соли алюминия и водорода). Сущность изобретения заключается в том, что гидрид кремния получают из соединения кремния в присутствии соли алюминия, где в качестве соединения кремния используют кварцит, который нагревают при 450 - 600oC в смеси с магнием, взятом в стехиометрическом соотношении, в потоке атомарного водорода в тлеющем разряде. Соль алюминия используют в количестве 110 мас.% от смеси кварцита и магния. Эта совокупность признаков дает большой эффект и по данным патентно-лицензионного поиска обладает существенной новизной, что доказывает соответствие заявленного технического решения критерию существенности отличий. Пример способа получения гидрида кремния. В реактор из нержавеющей стали или никеля, футерованный кремнием и снабженный фланцевой крышкой с погружной и отводящей трубкой, имеющей на наружном конце вентиль из нержавеющей стали мембранного типа, помещают стехиометрическую смесь кварцита с магнием и соль алюминия, например хлорид, в количестве 110%, являющимся замедлителем процесса. Реактор нагревают до 450 - 600oC при подаче атомарного водорода в тлеющем разряде. Образующийся гидрид кремния поступает в конденсатор, где отделяется от избыточного водорода, возвращающегося в голову процесса. С помощью хромато-масс-спектрометрического анализа установлено, что образующиеся продукты реакции на 99,9% состоят из гидрида кремния. Граничные условия процесса даны в таблице. Использование данного способа позволяет получить непосредственно из природного кварцита гидрид кремния, необходимый для электроники. Способ исключает использование эфира и потому пожаробезопасен.Формула изобретения
1. Способ получения гидрида кремния из соединения кремния в присутствии соли алюминия, отличающийся тем, что в качестве соединения кремния используют кварцит, который нагревают при 450 - 600oC в смеси с магнием, взятым в стехиометрическом соотношении, в потоке атомарного водорода в тлеющем разряде. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что соль алюминия используют в количестве 110 мас.% от смеси кварцита с магнием.РИСУНКИ
Рисунок 1
Похожие патенты:
Способ получения моносилана высокой чистоты // 2129984
Изобретение относится к способу получения моносилана высокой степени чистоты, пригодного для формирования тонкопленочных полупроводниковых изделий, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения (полупроводниковая техника, солнечная энергетика)
Изобретение относится к способам получения силана (SiH4) высокой чистоты для полупроводниковой техники
Способ получения гидрида кремния // 2085487
Изобретение относится к способу получения гидрида кремния, в частности дисилана, который может быть использован как источник кремния при изготовлении полупроводников
Способ получения моносилана // 2077483
Изобретение относится к области химической технологии получения моносилана и может быть использовано в производстве высокочистого поликристаллического кремния, а также полупроводниковых структур методами газовой эпитаксии
Способ получения моносилана // 2050320
Изобретение относится к способам конверсии тетрафторида кремния в моносилан и фторид водорода
Способ получения трихлормоносилана // 1838236
Изобретение относится к получению кремнеземной реакционной массы в виде свободнотекущего порошка с содержанием меди менее 2%, используемого для получения метилхлорсиланов
Способ получения дихлорсилана // 1375563
Способ получения силанов // 2152902
Способ получения моносилана и дисилана // 2160706
Изобретение относится к области химической технологии, в частности к получению силанов, и может быть использовано в производстве поликристаллического кремния, а также полупроводниковых структур методами газовой эпитаксии
Установка получения моносилана // 2164218
Изобретение относится к химической промышленности, в частности к устройствам для проведения гетерогенных процессов между твердым телом и газом
Изобретение относится к технологии получения моносилана, который может быть использован при получении особо чистого полупроводникового кремния
Способ получения силана // 2174950
Изобретение относится к способу получения силана, применяемого в полупроводниковой промышленности
Способ получения силана // 2194009
Изобретение относится к технологии получения полупроводникового кремния, а также к технологии формирования различных кремнийсодержащих слоев в микроэлектронике
Способ получения силана // 2194010
Изобретение относится к технологии получения полупроводникового кремния, а также к технологии формирования различных кремнийсодержащих слоев в микроэлектронике
Способ получения моносилана высокой чистоты // 2214362
Изобретение относится к способу получения моносилана высокой чистоты и низкой стоимости, пригодного для формирования тонких полупроводниковых и диэлектрических слоев, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения
Способ получения алкилсиланов // 2219126
Изобретение относится к химической технологии, а именно к способам получения алкилсиланов
Изобретение относится к неорганической химии и касается разработки способа получения высокочистого силана, обогащенного изотопами Si28, или Si29, или Si30 , используемого для получения Si в виде монокристаллов и пленок, а также покрытий из моноизотопного SiO2