Устройство нанесения тонких пленок

 

Изобретение относится к микроэлектронике и направлено на обеспечение минимальной неравномерности покрытия подложки тонкой пленкой распыляемого материала. Устройство содержит плоский испаритель и приемный свод с подложкодержателями и закрепленными на них подложками. При этом приемный свод выполнен по кривой в виде степенной косинусоидальной функции с показателем степени одна вторая. 1 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к способам нанесения тонких пленок.

Известно устройство нанесения тонких пленок [1], содержащее испаритель и подложки, расположенные на вращающемся подложкодержателе.

Недостатком аналога является большая неравномерность покрытия подложки тонкой пленкой распыляемого материала.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является устройство нанесения тонких пленок [2], содержащее плоский испаритель и приемный свод с подложкодержателями и закрепленными на них подложками. В устройстве используют изменение расстояния испаритель-подложка.

Недостатком прототипа является также большая неравномерность покрытия подложки тонкой пленкой распыляемого материала.

В основу изобретения положена задача обеспечить минимальную неравномерность покрытия подложки тонкой пленкой распыляемого материала, при котором используют плоский испаритель и приемный свод с подложкодержателями и закрепленными на них подложками.

Эта задача решается тем, что подложкодержатели с подложками устанавливают на приемном своде, профиль которого выполняют по кривой в виде степенной косинусоидальной функции с показателем степени - одна вторая. Введение в устройство нанесения тонких пленок приемного свода, выполненного в виде степенной косинусоидальной функции с показателем степени - одна вторая, обеспечивает минимальную неравномерность покрытия подложки тонкой пленкой распыляемого материала.

Сопоставительный анализ заявляемого устройства нанесения тонких пленок и прототипа показывает, что предлагаемое техническое решение соответствует критерию изобретения "новизна", так как предложена новая форма профиля приемного свода.

Сравнение заявляемого устройства не только с прототипом, но и с другими устройствами в данной области техники позволило выявить в нем совокупность признаков, отличающих заявляемое техническое решение от прототипа - выполнение профиля приемного свода по кривой в виде степенной косинусоидальной функции с показателем степени - одна вторая, что позволяет сделать вывод о соответствии критерию "существенные отличия".

На чертеже представлена схема устройства, где показан плоский испаритель и приемный свод, профиль которого выполнен по кривой в виде степенной косинусоидальной функции с показателем степени - одна вторая.

Устройство содержит испаритель 1, приемный свод 2 с подложкодержателями 3 и закрепленными на них подложками 4. Подложкодержатели 3 установлены на внутренней поверхности 5 приемного свода 2, профиль 6 которого выполнен по кривой 7 в виде степенной косинусоидальной функции с показателем степени - одна вторая.

Перед выполнением технологического процесса нанесения тонких пленок подложки 4 закрепляют на подложкодержателях 3 приемного свода 2, затем включают испаритель 1 и осуществляют технологический процесс нанесения тонких пленок.

Профиль приемного свода выполняют таким образом, что расстояние от испарителя L изменяется в зависимости от угла расположения подложки по закону (см. чертеж), где L - максимальное расстояние от испарителя 1 до подложки 4, - угол расположения подложки относительно вертикальной оси. Скорость напыления , где - угол между нормалью к плоскости подложки и направлением испарения. Подложки расположены на приемном своде таким образом, что угол всегда равен нулю. Таким образом скорость напыления .

Для того, чтобы V= const, необходимо выполнять следующие условия . Откуда .

Применение предложенного устройства нанесения тонких пленок уменьшает неравномерность покрытия и в конечном итоге повышает процесс выхода годных.

Источники информации.

Вакуумное оборудование тонкопленочной технологии производства изделий электронной техники: Учебник для студентов специальности "Электронное машиностроение"/Н. В.Василенко, Е.Н.Ивашов, Л.К.Ковалев и др.: Под ред. проф. Л. К.Ковалева, Н.В.Василенко.: В 2т. т.1- Красноярск: Кн.изд-во; Сиб. аэрокосм, акад., 1995- 256с., с. 144, табл.3.2 (первый способ сверху).

2. Вакуумное оборудование тонкопленочной технологии производства изделий электронной техники: Учебник для студентов специальности "Электронное машиностроение"/Н. В.Василенко, Е.Н.Ивашов, Л.К.Ковалев и др.: Под ред. проф. Л. К.Ковалева, Н.В.Василенко.: В 2т. т.1- Красноярск: Кн.изд-во: Сиб. аэрокосм, акад.,1995- 256с., с.144, табл.3.2 (четвертый способ сверху).

Формула изобретения

Устройство нанесения тонких пленок, содержащее плоский испаритель, приемный свод с подложкодержателями и закрепленными на них подложками, отличающееся тем, что подложкодержатели с подложками установлены на приемном своде, профиль которого выполнен по кривой в виде степенной косинусоидальной функции с показателем степени - одна вторая.

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к машиностроению, в частности к нанесению покрытий в вакууме, и может быть использовано при нанесении покрытий на режущий инструмент, изготовленный из сталей, твердых сплавов и керамических материалов
Изобретение относится к нанесению тонкопленочных покрытий в вакууме, в частности защитных, износостойких и декоративных покрытий на изделия из различных материалов
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к наноэлектронике, сканирующей туннельной и атомно-силовой микроскопии

Изобретение относится к области получения пленок и может быть использовано в медицине, оптике, микроэлектронике

Изобретение относится к технологии нанесения вакуумно-поазменных покрытий и может использоваться в микроэлектронике, машиностроении

Изобретение относится к технике изготовления пьезоэлектрических резонаторов путем покрытия кристаллических пластин вакуумным испарением металлов при управлении и регулировании их осаждением

Изобретение относится к плазменной технике, в частности к способам вакуумной металлизации поверхности и синтеза неорганических пленок в пучково-плазменном разряде
Изобретение относится к покрытиям в виде конденсируемых пленок и может быть использовано в вакуумной, криогенной и космической технике, в микро- и оптоэлектронике, в инфракрасной (ИК) и волоконной оптике

Изобретение относится к устройствам для получения газофазным методом ультрадисперсных порошков и сплавов, а также для нанесения металлических покрытий в вакууме на металлические и неметаллические изделия

Изобретение относится к области получения высокотемпературных материалов, используемых для защиты от окисления и газовой коррозии и в качестве защитных покрытий термонагруженных деталей газовых турбин и двигателей внутреннего сгорания

Изобретение относится к нанесению покрытий в вакууме и может быть использовано для получения толстых пленок металлов при изготовлении, например, разводки коммутационных плат

Изобретение относится к материаловедению, а именно к способам изготовления преимущественно износостойких, прочных и жаропрочных материалов на металлической, металлокерамической или полимерной основе, а также изделий из этих материалов

Изобретение относится к полупроводниковой области техники и может быть использовано в молекулярно-лучевой эпитаксии для снижения плотности дефектов в эпитаксиальных структурах

Изобретение относится к устройствам взрывного испарения с резистивным нагревом для испарения металлов

Изобретение относится к технологии и оборудованию для получения эпитаксиальных структур кремния методом осаждения из газовой фазы

Изобретение относится к способам вакуумного конденсационного напыления покрытий на металлические и металлсодержащие поверхности подложки термическим испарением многокомпонентных материалов
Наверх