Способ локализации взрыва и детонации в газах
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДИТИДЬСеВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик (11) Д ", 1 (б1) Дополнительное к авт. свид-ву (22) 3а явлено 12.03.66 (21) 1061083/2 3-26 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.01.76Бюллетень № 3 (45) Дата опубликования описания т 7.05.76
2 (51) М, Кл. А 62С 4/02
Государственна<й комитет
Совета Министров СССР пе делан нэооретеннй
И ОТКР<<<Т<<<< (S3) ÀK 6 14.83(088.8) (72) Авторы изобретения
М. А. Гликин, И, И. Стрижевский и B. К. Битюцкий
Северодонецкий филиал Государственного нвучно-исследоввтельского и проектного института азотной промышленности и продуктов оргвнического синтеза (71) Заявитель (54) СГ10 ОБ ЛОКАЛИЗАЦИИ ВЗРЫВА И ДЕТОНАЦИИ В ГАЗАХ
Изобретение относится к области защиты технологического оборудования от разрушен ния в результвте взрь<вв, например, в нефтехимической промышленности.
По известному способу прекрвшения рвспро- 5 стрвнения пламени в газопроводах и вппврвтуре гвз вводят снизу нвсвдки и выводят сверху.
Для одинаковой зашиты входящей и выходящей систем газопроводов и впцврвт ры <О предлагается вводить и выводить гвз нвд поверхностью насадки.
Установлена закономерность, что эффективность действия насадки нв 30-50% выше в том случве, если взрывная волна про- та ходят половину пути через насадку сверху вниз.
Новый способ обеспечиввет защиту оборудоввния вне зависимости от того, по кв< кому трубопроводу распространяется взрьтв41 нвя волна: подводящему нли отводящему.
Нв чертеже изобрвженв принципивльнвя схема осуществления этого способе.
Двв сообщающихся сосуда 1 и 2 имеют одинаковую высоту слоя нвсвдки 3 и 4 в каждом сосуде. Ввод 5 и вывод 6 для гвзв расположены таким образом, что гвз половину пути в слое насадки проходит сверху вниз.
Ф о р м у л в изобретен и я
Способ локвлизвцин взрыва и детонаций в газах с применением насадки, о т л и- ч в ю шийся тем, что, с целью одинв1ковой звшиты входящей и выходящей систем газопроводов и аппаратуры, гвз вводят и выводйт нвд поверхностью нвсвдки.
23 771
C0CIhIHTChbC, g
Редактор Т.Л,йэарева Техред 3 . аРа 1еио Корректор Л
Заказ
Предлриятие Патент>, Москва. Г.59, Бережковская наб., 24 наад дР4 Ili1 Тира к а; щ Подписное
1ЯНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам нэобретеиий и открытий
Москва, 113035, Раушская наб. ° 4
